Афанасьева Маргарита Александровна Метод создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусах

Краткое описание

Афанасьева Маргарита Александровна Метод создания безразрядных полупроводниковых приборов космической электроники в полимерных корпусах
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Афанасьева Маргарита Александровна
Введение

Глава 1 Электризация околоземных высокоорбитальных космических аппаратов. Обзор и анализ литературных данных

1.1 Условия функционирования околоземных высокоорбитальных космических аппаратов

1.2 Взаимодействие околоземных высокоорбитальных космических аппаратов с окружающей плазмой

1.3 Дифференциальное заряжение внешней поверхности высокоорбитальных космических аппаратов как причина возникновения электростатических разрядов

1.4 Внутренняя электризация космического аппарата

1.5 Критерии возникновения объемных разрядов в диэлектриках бортовой электроники, основанные на результатах натурных испытаний

1.6 Типы корпусов электронных компонентов и применяемые для их изготовления материалы

1.7 Методы борьбы с поражающими факторами внешней электризации

1.8 Выводы по главе. Результаты применения методов борьбы с поражающими факторами электризации

1.9 Постановка задачи диссертационного исследования

Глава 2 Физическая модель накопления объемных зарядов в пластиковых корпусах электронных компонентов

2.1 Введение

2.2 Сферически симметричная модель накопления объемных зарядов в шаровом диэлектрическом слое, имитирующем полимерный корпус чипа

2.3 Разработка программы расчета величины максимального

электрического поля в диэлектрике от толщины шарового диэлектрического слоя

2.4 Проведение тестовых расчетов величины максимального электрического поля в диэлектрическом шаровом слое при инжекции в него электронов

2.5 Выводы по главе

Глава 3 Экспериментальное определение коэффициента усиления электрического поля электродами с различным радиусом кривизны

3.1 Введение

3.2 Экспериментальное определение зависимости пробивной прочности воздушного промежутка от радиуса кривизны верхнего электрода

3.3 Выводы по главе

Глава 4 Инженерная методика выбора объемной проводимости диэлектрика полимерного корпуса полупроводниковых приборов и интегральных микросхем космического применения

4.1 Разработка нового критерия пригодности полимерного материала, предназначенного для изготовления пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем космического применения

4.2 Инженерная методика выбора объемной проводимости диэлектрика для исключения физической возможности возникновения электростатического разряда типа «объем полимерного корпуса - кристалл чипа» в полупроводниковых

приборах и интегральных микросхем космического применения

4.3 Выводы по главе

Заключение

Список сокращений

Литература

Введение