СТРУКТУРНО-СХЕМОТЕХНІЧНЕ МОДИФІКУВАННЯ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ІНТЕГРАЛЬНИХ БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРАХ : СТРУКТУРНО-схемотехническое МОДИФИЦИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ биполярных магнитотранзисторов

Краткое описание

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ім. Ю.ФЕДЬКОВИЧА

На правах рукопису

ГОДИНЮК ІВАН МИХАЙЛОВИЧ

УДК 621.382

СТРУКТУРНО-СХЕМОТЕХНІЧНЕ МОДИФІКУВАННЯ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕНСОРНИХ ПРИСТРОЇВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ІНТЕГРАЛЬНИХ БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРАХ

05.27.01 твердотільна електроніка

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук

Науковий керівник доктор технічних наук професор Готра З.Ю.

Чернівці 2013

ЗМІСТ

ВСТУП. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ... 4
РОЗДІЛ1 ХАРАКТЕРИСТИКА ТА ТЕНДЕНЦІЇ РОЗВИТКУ МАГНІТОТРАНЗИСТОРІВ.. 10
1.1.Використання транзисторних структур в сенсорах магнітного поля. 10
1.2.Біполярні двоколекторні магнітотранзистори. 13
1.3.Конструктивні модифікації магнітотранзисторних структур. 17
1.4.Математичне моделювання магнітотранзисторів. 30
1.5.Схемотехніка сигнальних перетворювачів магнітотранзисторів. 33
1.6.Висновки до розділу 1. 37
РОЗДІЛ2 ДОСЛІДЖЕННЯ БАЗОВИХ СТРУКТУР ЛАТЕРАЛЬНИХ МАГНІТОТРАНЗИСТОРІВ.. 39
2.1.Загальна характеристика об’єктів дослідження та конкретизація задач. 39
2.2.Постановка задачі модельного дослідження магнітотранзисторів. 49
2.3.Синтез SPICE моделі транзистора з розподіленою структурою.. 51
2.4.Розроблення SPICE моделі магнітотранзистора. 60
2.5.Розроблення та дослідження латерального транзистора з високим коефіцієнтом передачі струму. 65
2.6.Висновки до розділу 2. 81
РОЗДІЛ3 РОЗРОБЛЕННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ МАГНІТОТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР З РОЗШИРЕНИМИ ФУНКЦІОНАЛЬНИМИ ВЛАСТИВОСТЯМИ 82
3.1.Дослідження параметрів магнітотранзисторних структур в режимі двокоординатного вимірювання вектора індукції магнітного поля. 82
3.2.Інтегрування функцій вимірювання магнітного поля та температури. 87
3.3.Структурне модифікування сенсорів трикоординатного вимірювання вектора індукції магнітного поля. 93
3.4.Висновки до розділу 3. 109
РОЗДІЛ4 РОЗРОБЛЕННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ СИГНАЛЬНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ МАГНІТОТРАНЗИСТОРІВ З РОЗШИРЕНИМИ ФУНКЦІОНАЛЬНИМИ ВЛАСТИВОСТЯМИ... 111
4.1.Принцип функціонування сигнальних перетворювачів та засоби дослідження їх параметрів. 111
4.2.Сигнальний перетворювач сенсорного пристрою з розширеними функціональними властивостями. 114
4.3.Базовий варіант сигнального перетворювача часового типу. 118
4.4.Модифікування сигнальних перетворювачів часового типу. 126
4.5.Сигнальні перетворювачі з періодичним самокалібруванням.. 128
4.6.Сигнальні перетворювачі з стабілізацією опорною напругою.. 130
4.7.Апаратно-програмна реалізація сигнальних перетворювачів. 135
4.8.Висновки до розділу 4. 138
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ... 140
СП

Список литературы

У дисертаційній роботі вирішено комплекс наукових та практичних задач структурно-схемотехнічного модифікування функціональних властивостей сенсорних пристроїв магнітного поля на інтегральних біполярних магнітотранзисторах. Основні результати роботи полягають у наступному:
1.Запропоновані підходи та послідовність розроблення SPICE математичних моделей магнітотранзисторів. Моделі реалізовуються у виді розподілених схем заміщення з використанням, зокрема, транзисторних, діодних та функціональних елементів, параметри яких є формальними аналогами магнітного поля. Проведено експериментальні та модельні дослідження струмопередачі та діапазону вихідних напруг в розподілених структурах латеральних p-n-p магнітотранзисторів.
2.Вперше модельними та експериментальним дослідженнями показано, що інтегральна тиристорна структура, яка поєднує p-n-p латеральний магнітотранзистор та n-p-n вертикальні транзистори, бази яких поєднані з колекторами латерального магнітотранзистора, а колектори з базою цього магнітотранзистора, на відміну від типових тиристорів, характеризується лінійною функцією перетворення, а на відміну від типових латеральних магнітотранзисторів суттєво вищим (в сотні разів) коефіцієнтом передачі струму.
3.Досліджено механізм перерозподілу струмів в магнітотранзисторних латеральних p-n-p структурах з врахуванням дії паразитної транзисторної структури, колектором якої є напівпровідникова p-типу підкладка інтегральної схеми. Дія цієї структури обумовлює екстракцію носіїв з області бази магнітотранзистора в колектор паразитної транзисторної структури. Показана можливість використання вищезгаданого механізму перерозподілу струмів для двокоординатного вимірювання вектора індукції магнітного поля. Таке вимірювання забезпечується формуванням сигналів, значення яких дозволяє розрахувати дві проекції вектора магнітного поля ,, де a кут нахилу між вектором індукції поля B та нормаллю до поверхні інтегральної структури, BZ ‑ проекція поля, що співпадає з нормаллю N до поверхні структури магнітотранзистора, BY ‑ проекція поля, що паралельна до поверхні структури та перпендикулярна до напрямку руху неосновних носіїв в області бази.
4.Розроблено мультифункціональний сенсор на основі інтегральної структури латерального магнітотранзистора, що забезпечує вимірювання двох чи трьох ортогональних проекцій вектора індукції магнітного поля та температури. Інформативними сигналами параметрів магнітного поля є різницева та сумарна складова колекторних струмів магнітотранзистора, а температури падіння напруги на прямо-зміщеному колекторному p-n переході в інверсному режимі транзистора. Досліджено паразитну магніторезистивну модуляцію падіння напруги між базовим та емітерним електродами. При типовому для магнітотранзистора струмі 110мА паразитну магніторезистивну модуляцію обумовлює значну (до 10°C) похибку вимірювання температури. Показано, що мінімізація магніторезистивної модуляції забезпечується зменшенням струму прямо-зміщених p-n переходів магнітотранзистора до значення порядку 0,1мА, при якому похибка вимірювання температури не перевищує 1°C.
5.Проведено конструктивно-параметричний аналіз магнітотранзисторних структур трикоординатного вимірювання вектора індукції магнітного поля. Запропонована концепція функціонально інтегрованих областей, у відповідності до якої одна і таж область може використовуватися або у функції емітера, або у функції колектора магнітотранзистора. У порівнянні з традиційними рішеннями, зокрема, з конструкцією центральносиметричного перетворювача з компенсацією нееквіпотенціальності вихідного сигналу на основі чотирьох магнітотранзисторів, кількість електродів в структурі з функціонально інтегрованими областями є вдвічі меншою відповідно 17 та 8 електродів. Розроблена конструкція та математична модель центральносиметричного перетворювача з функціонально інтегрованими областями; розглянуті закономірності струморозподілу в центральносиметричній структурі магнітотранзистора, які враховують траєкторію руху носіїв в базовій області з об’єднаними контактами.
6.Для відладки та дослідження параметрів сигнальних перетворювачів створено дослідний стенд на основі апаратно-програмного комплексу HF ADC та джерел магнітного магнітного поля. Апаратною основою комплексу є сучасні інтегральні схеми сигнального перетворення, зокрема, швидкодіючий мікроконвертер MC компанії Analog Devices типу ADuC841 (MicroConverter 12-Bit ADCs with Embedded High Speed 62-kB Flash MCU).
7.Розроблені алгоритмічні та структурно-схемні підходи побудови сигнальних перетворювачів сенсорних пристроїв вимірювання проекцій вектора індукції магнітного поля, що передбачають отримання та подальше перетворення різницевого та сумарного значень колекторних струмів інтегральних латеральних магнітотранзисторів. Для розширення функціональних можливостей ‑ інтегрування функцій вимірювання магнітного поля та температури використовують послідовне вимірювання сигналів в лінійному та інверсному режимах живлення. У відповідності до тенденцій розвитку сучасної твердотільної електроніки проведено розроблення та дослідження ряду мікропроцесорних сигнальних перетворювачів часового типу, що базуються на схемах з комутованими конденсаторами в колах навантаженням колекторів магнітотранзистора. Представлено ряд модифікацій схем, що направлені на розширення функціональних можливостей та підвищення точності сигнальних перетворювачів магнітотранзисторів з ємнісним навантаженням, зокрема сигнальні перетворювачі з періодичним самокалібруванням та з стабілізацією опорною напругою. Нестабільність функції перетворення знаходиться в межах 0,04 % 0,1 %, в залежності від елементної бази та умов вимірювання.

1.J. Fraden. Handbook of modern sensors: Physics, design, and applications. Springer. 2004. 580 p.
2.Jon S. Wilson. Sensor technology handbook. Newnes. 2005. 691 p.
3.Vetelino John, Aravind Reghu. Introduction to Sensors. CRC Press. 2010. 208P.
4.Мікроелектронні сенсори фізичних величин [у 3 т.] Том 1 / Вуйцік В, Готра З.Ю., Григор’єв В.В., Каліта В, Мельник О.М., Потенцкі Є. За ред. З.Ю. Готри. ‑ Львів: Ліга-Прес. 2002. 474 с.
5.Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля: Монографія. За редакцією Готри З.Ю. / Большакова І.А., Гладун М.Р., Голяка Р.Л., Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Потенцкі Є., Сопільник Л.І. Львів: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка". 2001. 412c.
6Pavel Ripka. Magnetic sensors and Magnetometers. Artech House. 2001. 511p.
7.R.S. Popovic. Hall Effect Devices, 2nd ed., IOP Publishing, Bristol and Philadelphia, USA. 2004.
8.Егизарян Г.А., Стафеев В.И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. М.: Радио и связь. 1987. 88с.
9.Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Наука, 1990. 326с.
10.Ch. S. Roumenin. Magnetic sensors continue to advance towards perfection // Sensors and Actuators. A 46-47. 1995. PP.273-279.
11.James Lenz, Alan S. Edelstein. Magnetic Sensors and Their Applications // IEEE Sensors journal. Vol. 6. No. 3. 2006. PP. 631 -649.
12.R.S. Popovic. Integrated Hall-Effect Magnetic Sensors / R.S. Popovic, Z. Randjelovic, D. Manic // Sensors and Actuators, A 91. 2001. PP. 46-50.
13. Multi-axis integrated hall magnetic sensors / R.S. Popoviс, P. Kejik, S. Reymond, D.R. Popoviс, M. Blagojeviс, S. Dimitrijeviс // Nuclear Technology & Radiation Protection. No. 2. 2007. PP.20-28.
14.R.S. Popovic. Not-Plate-Like Hall Magnetic Sensors and Their Applications // Sensors and Actuators. 85. 2000. PP. 9-17.
15.S. Reymond. True 2-D CMOS Integrated Hall Sensor / S. Reymond, P.Kejik, R.S. Popovic. Book of abstracts. IEEE Sensors 2007. Conference, Atlanta, Geo., USA, October 28-31. 2007. PP. 860-863
16. High Accuracy Analog Hall Probe / Ch. Schott, H. Blanchard, R. S. Popovic, R. Racz, J. Hrejsa // Conference on Precision Electromagnetic Measurement, Braunschweig, Germany, June 17-20. 1996.
17. Effective vertical Hall effect device with compensated systemstic offset / M. Stahl-Offergeld, H. P. Hohe, J. Sauerer, and M. Hackner // Proc. XX Eurosensors Conf., Sep. 1720. 2006, Vol. 2, PP. 202203.
18.C. Roumenin. A novel parallel-field Hall microsensor / C. Roumenin, D. Nikolov, A. Ivanov. // Proc. Digest Tech. Papers Eurosensors XVI. Prague. Sep. 1518. 2002. PP. 545548.
19. First vertical Hall device in standard 0.35 mm CMOS technology / J. Pascal, L. Hebrard, J. Kammerer, V. Frick, and J. P. Blonde. // Sensor and Actuators. A: Phys. Vol. 147. 2008. PP. 4146.
20.A vertical Hall device in standard sub-micronic CMOS technology / J. Pascal, L. Hebrard, V. Frick, J. P. Blonde // Proc. XX Eurosensors Conf., Sep. 1720. 2006. Vol. 2. PP. 216217.
21.Нові конструкції напівпровідникових тонкоплівкових 3-D сенсорів магнітного поля /І.А.Большакова, Р.Л. Голяка, О.Ю. Макідо, Т.А. Марусенкова // Электроника и связь. 2009. № 2-3. С. 610.
22.Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою /І.А.Большакова, Р.Л.Голяка, А.П.Мороз, В.Е.Єрашок, Т.А.Марусенкова // Електроніка. Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. 2009. № 646. С. 38-46.
23. Characterization of a Novel Magnetic Tracking System Jason / T. Sherman, Jonathan K. Lubkert, Radivoje S. Popovic, Mark R. DiSilvestro // IEEE Transactions on magnetics, Vol. 43, No. 6, June 2007. PP. 2725-2727.
24.S.Sanfilippo. A Strategy for Series Magnetic Measurements of the LHC Magnets / S.Sanfilippo, L.Bottura, L.Walckiers. // Twelfth international magnet measurement workshop ESRF, Grenoble, FRANCE, October 1-4. 2001.
25.Robust Algorithm for a Noncontact Single Chip Input Device With Four Degrees of Freedom / Hubert Zangl, Thomas Bretterklieber, Gerald Steiner, Kurt Riedmüller. // IEEE Sensors journal. Vol. 8. No. 10, 2008. PP. 1648-1655.
26. Tracking system with five degrees of freedom using a 2D-array of Hall sensors and a permanent magnet / Schlageter V., Besse P.A., Popovic R.S., Kucera P. // Proc. 14th European Conference on Solid-State Transducers (Eurosensors XIV). Copenhagen, Denmark. 2000. P.679-682.
27.Ch. Schott. Microsystem for High Accuracy 3D Magnetic Field Measurement / Ch. Schott, D. Manic, R. S. Popovic.// Eurosensors XI, Warsaw, Poland, September 1997.
28. Three-axis teslameter with integrated hall probe free from the planar Hall effect / D.R. Popovic, S. Dimitrijevic, M. Blagojevic, P. Kejik, E. Schurig, R. S. Popovic. // Instrum. Measurement Technol. Conf. (IMTC), Sorrento, Italy, Apr. 2427. 2006.
29.An optimised bipolar lateral magnetotransistor / Marioara Avram, Otilia Neagoe, Cecilia Codreanu, Corneliu Voitincu, Monica Simion // International Semiconductor Conference. CAS’2002. ‑ 2002. Proceedings. Vol.1. PP. 83 86.
30.Toempong Phetchakul, Panyakorn Sottip. The Deflection Length and Emitter Width on Sensitivity of Magnetotransistor // 6th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems. Kaohsiung, Taiwan. 2011. Proceedings. PP.359-362.
31. Bipolar Magnetotransistor: relative sensitivity revisited / R. Castagnetti, G. Wachutka, C. Riccobene and H. Baltes // 24th European Solid State Device Research Conference. 1994. Proceedings. PP. 71 74.
32.Ristic L. A lateral magnetotransistor structure with a linear response to the magnetic field / Ristic L., Smy T., Baltes H.P. // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.36. Issue 6. PP. 1076 1086.
33.Neagoe O. The efficiency increase for integrated lateral dual collector magnetotransistor / Neagoe O., Avram M., Ravariu C. // International Semiconductor Conference, CAS '98 Proceedings. 1998. PP. 289 292.
34.AvAn optimised bipolar lateral magnetotransistor / Avram M., Neagoe O., Codreanu C., Voitincu C., Simion M. // International Semiconductor Conference, CAS 2002. 2002. Proceedings. Vol.1 PP. 83 86.
35.The PNP lateral magnetotransistor and influence of n+-buried layer on sensitivity / Ristic Ljubisa, Maenaka Kazusuke, Smy Tom, Nakamura Tetsuro, Doan My // Applied Physics Letters Vol.58. Issue 2. 1991. PP. 149 151.
36.Qtilia Neagoe. The efficiency increase for integrated lateral dual collector magnetotransistor / Qtilia Neagoe, Marioara Avram, Cristian Ravariu. // International Semiconductor Conference, CAS '98. ‑ 1998. Proceedings. Vol.1. PP.289 292.
37.Kozlov A.V. Development of planar magnetotransistor / Kozlov A.V., Tikhonov R.D., Polomoshnov S.A. // International Conference and Seminar on design by three-dimensional device-technological modeling Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). 2010. PP. 208 212.
38. Noise correlation in dual-collector magnetotransistors / Nathan A., Baltes H.P., Briglio D.R., Doan, M.T. // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.36. No. 6. 1989. PP. 1073 1075.
39. Offset reduction in multicollector magnetotransistors / Metz M., Schneider M., Haberli A., Baltes H. // International Electron Devices Meeting. 1996. IEDM '96. PP. 537 540.
40.Nathan A., Baltes H.P. How to achieve nanotesla resolution with integrated silicon magnetotransistors // International Electron Devices Meeting, IEDM '89. 1989. Technical Digest. PP. 511 514.
41.Popovic R.S., Baltes H.P. An investigation of the sensitivity of lateral magnetotransistors // IEEE Electron Device Letters. Vol.4. Issue 3. 1983. PP. 51 53.
42. Increase sensitivity of the sensor based on bipolar magnetotransistor by minimization initial output offset / Tikhonov R.D., Kozlov A.V., Chernova Yu.A., Polomoshnov S.A. // International Siberian Conference on Control and Communications. 2009. PP. 216 221.
43. The deflection length and emitter width on sensitivity of magnetotransistor / Phetchakul T., Sottip P., Leepattarapongpan C., Penpondee N., Pengpad P., Srihapat A., Hruanun C., Poyai A. // IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems. 2011. PP. 359 362.
44.Effect of Base Width and Implantation Dose on Performance of 3-Terminal Magnetotransistor / Woradet J., Phetchakul T., Chareankid S., Pengchan W., Klunngien N., Hruanun C., Poyai A. // International Symposium on Integrated Circuits. 2007. PP. 41 44.
45.Guo-Ming Sung. Interaction between magnetoresistor and magnetotransistor in the longitudinal and folded vertical Hall devices // IEEE Sensors Journal. Vol.4. Issue 6. 2004 , PP. 749 - 758
46.Bipolar magnetotransistor sensitivity dependence on temperature / Tikhonov R.D., Kozlov A.V., Krasukov A.Yu., Polomoshnov S.A., Balashov A.G. // International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM 2009. PP. 151 153.
47.Koslov A.V., Tikhonov R.D. Measurement of Electric Characteristics of Lateral Magnetotransistor // 8th Siberian Russian Workshop and Tutorial on Electron Devices and Materials. EDM '07. 2007. PP. 97 99.
48.Caruntu George, Panait Cornel. The Offset of Magnetic Microsensors // XV International Symposium on Theoretical Engineering (ISTET). 2009. PP. 1 4.
49.G. Sung. Interaction between magnetoresistor and magnetotransistor in the longitudinal and folded vertical Hall devices. IEEE Sensors journal., Vol. 4, no. 6. 2004. PP. 749758.
50.Guo-Ming Sung, Chih-Ping Yu. Interaction between Magnetoresistor and Magnetotransistor in the Two-dimensional Folded Vertical Hall Devices. PIERS Proceedings, Hangzhou, China, March 24-28. 2008. PP.116-120.
51.Готра З. Розробка та дослідження латеральних двоколекторних магнетотранзисторів / Готра З., Голяка Р., Гладун М. // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Електроніка. -1998. -№357. С.24-30.
52.Козлов А. В. Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности Твердотельная электроника”. Москва. 2009г. 228 с.
53.Chana Leepattarapongpan, Toempong Phetchakul. Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination-Deflection Effect // IEEE Sensors Journal. 2010. Vol. 10. No. 2. PP. 294 299.
54.Magnetotransistor Based on the Carrier Recombination-Deflection Effect / Leepattarapongpan C., Phetchakul T., Penpondee N., Pengpad P., Chaowicharat E., Hruanun C., Poyai A. // IEEE Sensors Journal. Vol.10. Issue 2. 2010. PP. 294 299.
55.Neagoe O., Avram M. A new bipolar magnetotransistor with combined phenomena of carrier deflection and emitter injection modulation // International Semiconductor Conference. 1996. PP. 97 100.
56. The low power magnetotransistor based on the CMOS technology / Sottip P., Phetchakul T., Leepattarapongpan C., Penpondee N., Pengpad P., Srihapat A., Hruanun C., Poyai A. // International Conference on Electrical Engineering/Electronics Computer Telecommunications and Information Technology (ECTI-CON). 2010. PP. 764 767.
57.Smy T., Ristic L. Optimization of magnetotransistor structure in CMOS technology // IEEE Transactions on Magnetics. Vol.28. Issue 5. Part: 2. 1992. PP. 2024 2030.
58.Panait C., Caruntu G. The noise of MOS magnetic microsensors structures // International Semiconductor Conference, CAS 2008. PP. 209 PP. 212.
59.Metz, M., Balres, H. Offset in CMOS magnetotransistors. I. Analysis of causes // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.48. Issue: 9. 2001. PP. 1945 1953.
60.Metz M., Baltes H. Offset in CMOS magnetotransistors. II. Reduction // Transactions on Electron Devices. Vol.48. Issue 9. 2001. PP. 1954 1960.
61.Lj. Ristic. Multi-Dimensional Sensing of Magnetic Field / Lj. Ristic, M.T. Doanl, M. Paranjape. // 33rd Midwest Symposium on Circuits and Systems. ‑ 1990 , Proceedings. Vol.2. PP. 858 861.
62. Merged three-terminal magnetotransistor based on the carrier recombination - deflection effect / Leepattarapongpan C., Penpondee N., Phetchakul T., Phengan W., Chaowicharat E., Hruanun C., Poyai A. // IEEE Sensors. 2008. PP. 399 402.
63.Misra D., Bingda Wang. Elimination of cross sensitivity in a three-dimensional magnetic sensor // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.41. Issue: 4. 1994 , PP. 622 624.
64.R. C. Luo. Multisensor fusion and integration: Approaches, applications, and future research directions / R. C. Luo, C.-C. Yih, K. L. Su. // IEEE Sensors J. Vol. 2. No. 2, 2002. PP. 107119.
65.Magnetostrictive bilayer sensors: multifunction sensors / L. Mehnen, E. Kaniusas, J. Kosel, H. Pfutzner, T. Meydan, M.Vazquez, M.Rohn, A. Merlo, B. Marquardt. // IEEE Sensors Conference. 2004. Proceedings. PP.326 328.
66.Guiping Wang. Multi-function Intelligent Instrument of Vehicle Detection Based on Embedded System / Guiping Wang, Xu Lei, Minjie Zhu, Xu Lu. // The Sixth World Congress on Intelligent Control and Automation WCICA. 2006. Proceedings. PP. 5149 5152.
67.Z. Xu. Design and simulation of a multi-function MEMS sensor for health and usage monitoring / Z. Xu, D. Koltsov, A. Richardson, L.Le, M. Begbie. // Prognostics and Health Management Conference PHM '10. 2010. Proceedings. PP. 1 7.
68. CMOS reconfigurable readout circuit for a multifunction sensor / Ming Zhang, Wenbin Yang, N. Llaser, H. Mathias // Joint IEEE North-East Circuits and Systems and TAISA Conference. NEWCAS-TAISA '09. 2009. Proceedings. PP. 1 4.
69.Joe S. Hunter. Development of Low-Cost Multifunction Sensors for Lightweight Fire and Forget Antitank Weapon System // IEEE Transactions on Industrial Electronics. 1983. PP.1 6.
70. High-temperature pressure and temperature multi-function sensors / Liu Xiaowei, Wang Wei, Wang Xilian, Liu Yuqiang, Liu Zhenmao, Fan Maojun. // 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. 1998. Proceedings. PP. 947 949.
71. Operating principle of dual collector magnetotransistors studied by two-dimensional simulation / Riccobene C., Wachutka G., Burgler J., Baltes H. // IEEE Transactions on Electron Devices. Vol.41. Issue: 1 1994. PP. 32 43.
72.Riccobene C. Two-dimensional numerical analysis of novel magnetotransistor with partially removed substrate / Riccobene C., Wachutka G., Baltes H. // International Electron Devices Meeting. 1992. IEDM '92. Technical Digest. 1992. PP. 513 516.
73.Kozlov A.V., Parmenov Y.A. The Research of Ways of Increase of Sensitivity of Magnetotransistor by Numerical Methods // 8th Siberian Russian Workshop and Tutorial on Electron Devices and Materials. EDM '07. 2007. PP. 93 96.
74.Kozlov A.V., Tikhonov R.D. Device-technological modeling of bipolar transistor with base in the well // 9th International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials. EDM 2008. PP. 69 73.
75. Model of effect of pn-junction magnetic field modulation / Kozlov A.V., Cheremisinov A.A., Polomoshnov S.A., Tikhonov R.D., Shamanaev S.V. // International Conference and Seminar Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). 2011. PP. 137 139.
76. Modeling of magnetic-field sensitive devices using circuit simulation tools / Salim, T. Manku, A. Nathan, W. Kung. Solid-State Sensor and Actuator Workshop. 2002. PP. 94 - 97
77.Christoph Maier. Equivalent circuit models and interface circuit for CMOS microsensors. Thesis for degree of Doctor of Technical Science. No. 13532. Physical Electronics Laboratory ETH Zurich. 2000. http://home.earthlink.net/~christophmaier /CM/PhD.pdf
78.Karl Riedling. A nonlinear simulation model for integrated Hall devices in CMOS silicon technology. 0-7803-7634-X/02/ ©2002 IEEE.
79.H. H. Pham, A. Nathan. Compact MEMS-SPICE modeling. Sensor and Materials. Vol. 10. No. 2. 1998. PP. 63-75.
80. SPICE model for mechanically stressed devices-circuit simulation / C. Maier, R. Steiner, M. Mayer, R. Vogt, H. Baltes.. IEEE International Symposium on Circuits and System. Proc. 1998. Vol. 6. PP. 405-408.
81. The syntesis of mathematical model for magnetotransistor using PSICE software / Holyaka R., Hladun M., Humenyk I., Sopilnyk L. // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. 2002. №458. С.116-120.
82.Голяка Р. Схеми заміщення магнітодіода для SPICE” / Голяка Р., Готра З.Ю., Гладун М.Р. // Вісник НУ „Львівська Політехніка”.Електроніка. 2002. №455. С.70-74.
83.Calandra E.F. Introduction to PSPICE Using ORCAD for Circuits and Electronics // Circuits and Devices Magazine, IEEE. 2005. Vol. 21. № 5. PP. 26- 27.
84.Micro-Cap 7.0, 8.0, 9.0 Electronic Circuit Analysis Program. Reference Manual. Spectrum Software. 2001, 2005, 2008. [Електронний ресурс]: www.spectrum-soft.com.
85.Методи моделювання та калібрування 3D-зондів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах /І.А. Большакова, Р.Л.Голяка, З.Ю.Готра, Т.А.Марусенкова // Електроніка та зв'язок. Тематичний випуск «Електроніка та нанотехнології». 2011. №2(61). С.34 38.
86.Параметри та моделі двокоординатного сканера магнітного поля на основі розщеплених холлівських структур /І.А. Большакова, Р.Л.Голяка, З.Ю.Готра, Т.А.Марусенкова // Електроніка. Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. 2011. № 708 С.40-49.
87.Алгоритм синтезу SPICE схем заміщення гальваномагнітних перетворювачів Холла / З. Готра, Р. Голяка, І.Юрчак, Т.Марусенкова // Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. 2011. № 711 С.6471.
88.Большакова І.А., Об'ємне моделювання процесів у холлівських пластинах в сильно неоднорідних магнітних полях / Большакова І.А., Бондарєв А.П., Тихонюк Р.Б. // Вісник ДУ "Львівська політехніка". Електроніка. 2000. № 397. С. 101-107.
89.Schmalzel J.L., Rauth D.A. Sensors and signal conditioning // Instrumentation & Measurement Magazine, IEEE. 2005. Vol. 8. № 2. PP. 48- 53.
90.John Brignell, Neil While. Intelligent Sensor System. Institute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia. IOP Publishing. 1996.
91.Аналогова мікросхемотехніка вимірювальних та сенсорних пристроїв / [за ред. З.Готри, Р.Голяки]. — Львів: Вид. Державного університету "Львівська політехніка", 1999. 364 с.
92.Ayazifar B. Can we make signals and systems intelligible, interesting, and relevant? // Circuits and Systems Magazine, IEEE. 2009. Vol. 9, № 1. PP. 16- 18.
93.Dvorkind T. G.; Eldar Y. C. Robust and Consistent Sampling // Signal Processing Letters, IEEE. 2009. Vol. 16. № 9. PP. 739-742.
94.Treichler J. Signal processing: A view of the future, part 1 // Signal Processing Magazine, IEEE. 2009. Vol. 26. № 2. PP. 116-120.
95.Батраков А.М. Прототип быстродействующей системы с датчиками холла для измерения многополюсных магнитных элементов / Батраков А.М., Воблый П.Д., Фатькин Г.А. Препринт. Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН. 2009. 36 с.
96.Marc Pastre. A Hall Sensor Analog Front End for Current Measurement With Continuous Gain Calibration / Marc Pastre, Maher Kayal, Hubert Blanchard. IEEE Sensors journal, Vol. 7. No. 5. 2007. PP. 860-867. http://ieeexplore.ieee.org.
97.P. J. Quinn, A. Van Roermund. Switched-Capacitor Techniques for High-Accuracy Filter and ADC Design. 2007. Springer. ‑ 244 P.
98.P.Malcovati. Switched Capacitor Dual-Collector Magnetotransistors / Malcovati, R. Castagnetti, H. Baltes, C. Azeredo Leme, E Maloberti // IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS '94. Proceedings. 1994Vol.5. PP.595 598.
99.ADuC812 MicroConverterÒ, Multichannel 12-Bit ADC with Embedded Flash MCU. Analog Devices, Inc. 2001. Режим доступу http://www.analog.com.
100.Zero-Drift Single-Supply Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifier AD8551/52/54. Data sheet. [Електронний ресурс]: Режим доступу http://www.analog.com.
101.CMOS 3V/5V Wide Bandwidth Quad 2:1 Mux ADG774. [Електронний ресурс]: Режим доступу http://www.analog.com.
102.General-Purpose CMOS Rail-to-Rail Amplifiers AD8541/42/44. Data sheet. [Електронний ресурс]: Режим доступу http://www.analog.com.
103.FT232R USB UART I.C. Datasheet. Future Technology Devices International Ltd. 2005. [Електронний ресурс] Режим доступу www.ftdichip.com/ Products/.
104.Robert Ashby. Designer’s Guide to the Cypress PSoC™. Elsevier Inc. 2005. 273 p.
105.Cypress PSoC™. Datasheet. [Електронний ресурс] Режим доступу http://www.cypress.com/?id=1353&source=header.
106.Сенсорні пристрої магнітного поля на структурах інтегральних магнітотранзисторів / З.Ю. Готра., Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич // Науковий вісник Чернівецького університету. ‑ 2011. ‑ Том 1. Вип. 2. Фізика. Електроніка. C.19-26.
107. Високостабільний гальваномагнітний сенсор з часовим перетворенням на комутованих конденсаторах / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич, І.М. Годинюк, О.В.Бойко, В.В. Лесінський // Восточно-европейский журнал передовых технологий. ‑ 2012. ‑ №6/12 (60). ‑ C.7-11.
108.Сигнальні перетворювачі сенсорних пристроїв на інтегральних структурах магнітотранзисторів з ємнісним навантаженням / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк // Складні системи та процеси ‑ 2012. ‑ №1. ‑ С.14-24.
109.Мультифункціональний сенсор на інтегральній магнітотранзисторній структурі / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. 2012. ‑ №1 (23). ‑ С. 110-120.
110.Дослідження енергоефективності імпульсних режимів функціонування гальваномагнітних сенсорних пристроїв / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич // Електроніка. Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. 2012. № 734. С. 48-58.
111.Енергоефективний гальваномагнітний сенсорний пристрій з високою електромагнітною завадостійкістю / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич // Вимірювальна техніка та метрологія. Міжвідомчий науково-технічний збірник. Львів. 2012. ‑ Вип. 73. ‑ С.87-95.
112.Універсальний сигнальний перетворювач холлівських сенсорних пристроїв / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич // Автоматика, вимірювання та керування. Вісник Національного університету „Львівська політехніка”. 2012. № 741. С. 3-11.
113.Патент № 75778 України на корисну модель. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Готра З.Ю., Годинюк І.М., Голяка Р.Л., Марусенкова Т.А., Ільканич В.Ю. № u201207196; заявл. 13.06.2012, опубл. 10.12.2012, Бюл. № 23.
114.Висновок про видачу деклараційного патенту на корисну модель. Заявка № u 2012 08869. Вимірювальний перетворювач магнітного поля / Готра З.Ю., Годинюк І.М., Голяка Р.Л., Марусенкова Т.А., Ільканич В.Ю. № 1402/ЗУ/13 від 22.01.2013.
115.Дослідження імпульсних режимів роботи гальваномагнітних сенсорних пристроїв [Тези доповідей 15-ої відкритої науково-технічної конференції Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка»], (Львів, 3 5 квітня 2012р.) / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, І. М. Годинюк, Т. А. Марусенкова, В. Ю.Ільканич. 2012. ‑ C.50.
116.Noise immunity investigation of Galvanomagnetic Field Sensors (Дослідження завадостійкості гальваномагнітних сенсорів”) [Матеріали восьмої Міжнародної конференції MEMSTECH 2012 Перспективні технології і методи проектування МЕМС”], (Поляна, 18 21 квітня 2012 р.) / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.Ю. Юрчак, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич, І.М. Годинюк. 2012. ‑ C.109110.
117.Інтегрований підхід до синтезу математичних моделей гальваномагнітних сенсорних пристроїв [Тези доповідей ХХ Міжнародної науково-практичної конференції «Інформаційні технології: наука, техніка, технологія, освіта, здоров’я»], (Харків, НТУ «ХПІ», 15 17 травня 2012 р.) / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, І.М. Годинюк, Т.А. Марусенкова, В.Ю. Ільканич. 2012. ‑ Ч. ІІІ. ‑ C. 83.

118.Стабілізація режимів роботи гальваномагнітних перетворювачів магнітного поля [Матеріали II-ої Міжнародної науково-практичної конференції Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки”], (Чернівці, 2527 жовтня 2012 р.) / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, В.Ю. Ільканич, І.М. Годинюк, О.В. Бойко. 2012. ‑ С.197.