Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP :



  • Название:
  • Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • Моск. гос. техн. ун-т радиотехники, электроники и автоматики
  • Год защиты:
  • 2013
  • Краткое описание:
  • Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Юзеева Наталия Александровна; [Место защиты: Моск. гос. техн. ун-т радиотехники, электроники и автоматики].- Москва, 2013.- 120 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/565
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины