Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
- Название:
- Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- ВУЗ:
- ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»
- Краткое описание:
- Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Тарасова Елена Александровна;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2017
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб