Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия :



  • Название:
  • Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»
  • Год защиты:
  • 2017
  • Краткое описание:
  • Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Тарасова Елена Александровна;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2017
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины