Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
- Название:
- Баранов Глеб Владимирович. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации
- ВУЗ:
- ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук
- Краткое описание:
- Баранов Глеб Владимирович. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации: автореферат дис. ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Баранов Глеб Владимирович;[Место защиты: ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук], 2018
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб