ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
| Бесплатное скачивание авторефератов |
| СКИДКА НА ДОСТАВКУ РАБОТ! |
| Авторские отчисления 70% |
| Снижение цен на доставку работ 2002-2008 годов |
| Акция - новый год вместе! |
ПОСЛЕДНИЕ ОТЗЫВЫ
Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
- Название:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
- Кол-во страниц:
- 200
- ВУЗ:
- ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
- Год защиты:
- 2021
- Краткое описание:
- Тхан Пьо Чжо. Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»], 2021
- Список литературы:
- -
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб
