Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
- Название:
- Мьо Мин Тхант. Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов
- ВУЗ:
- ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
- Краткое описание:
- Мьо Мин Тхант. Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»], 2021
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб