Евсеенков Антон Сергеевич Процессы фотостимуляции и электротермотренировки при обеспечении мощностных параметров светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (Al, Ga, In) N

Краткое описание

Евсеенков Антон Сергеевич Процессы фотостимуляции и электротермотренировки при обеспечении мощностных параметров светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (Al, Ga, In) N
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Евсеенков Антон Сергеевич
Оглавление

Список сокращений и условных обозначений

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1 Светоизлучающие гетероструктуры на основе твердых растворов (ЛЮа1п№

1.2 Транзисторные гетероструктуры на основе твердых растворов полупроводниковых нитридов

1.3 Деградация светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N

1.4 Выводы по главе 1 30 Глава 2. Электротренировка светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N

2.1 Описание измерительных стендов и исследуемых образцов

2.2 Деградация светоизлучающих и транзисторных гетероструктур под действием повышенной электрической нагрузки

2.3 Ускоренные испытания светоизлучающих транзисторных гетероструктур

2.4 Выводы по главе 2 56 Глава 3. Термотренировка светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (AlGaIn)N

3.1 Описание исследуемых образцов

3.2 Методика измерений температурных параметров структур

3.3 Исследование влияния термотренировки на деградационную устойчивость светоизлучающих и транзисторных гетероструктур

3.4 Влияние термотренировки на параметры диэлектрика используемого в транзисторных гетероструктурах

3.5 Выводы по главе

Глава 4. Фотостимуляция транзисторных гетероструктур на основе

твердых растворов AlGaN

4.1 Описание установки и исследуемых образцов

4.2 Прогнозирование результативности применения термотренировки транзисторных гетероструктур на основе (AlGaIn)N 98 4.3. Выводы по главе 4 104 Заключение 107 Список литературы 112 Приложения 122 Приложение 1. Акт использования результатов диссертационных исследований в АО «Светлана-Электронприбор» 122 Приложение 2. Характеристики полученных гетероструктур

Список сокращений и условных обозначений

СД - светодиод;

ТВПЭ (HEMT) - транзистор с высокой подвижностью электронов;

СВЧ - сверхвысокие частоты;

УФ - ультрафиолетовая (область спектра);

КПД - коэффициент полезного действия;

АО - активная область;

nint - внутренний квантовый выход излучения;

Pint - мощность излучения из активной зоны светоизлучающей гетероструктуры; h - постоянная Планка;

v - частота;

e - заряд электронов;

^extract - коэффициент оптического вывода излучения; ne - внешний квантовый выход излучения; npower - коэффициент полезного действия;

AIIIBV - твердый раствор элементов третьей и пятой группы в периодической системе Менделеева;

AIVBIV - твердый раствор двух элементов четвертой группы в периодической системе Менделеева;

ХГГФЭ - хлоридно-гидридная газофазная эпитаксия (метод выращивания полупроводниковых структур);

МОГФЭ - газофазная эпитаксия из металлорганических соединений

ПО - программное обеспечение;

СР - сверхрешетка;

БС - блокирующий слой;

ВАХ - вольтамперная характеристика