Байдакова Наталия Алексеевна Процессы поглощения и излучения света в структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на различных подложках : Байдакова Наталія Олексіївна Процеси поглинання і випромінювання світла в структурах з Ge(Si) наноострівками, що самоформуються, вирощеними на різних підкладках

Краткое описание

Байдакова Наталия Алексеевна Процессы поглощения и излучения света в структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, выращенными на различных подложках
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Байдакова Наталия Алексеевна
СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Рост и излучательные свойства структур с Ge(Si) самоформирующимися островками (Обзор литературы)

1.1 Рост структур с Ge(Si) самоформирующимися островками

1.2 Оптические свойства структур с Ge(Si)/Si(001) островками

1.2.1 Фотолюминесценция структур с Ge(Si)/Si(001) островками

1.2.2. Влияние мощности оптического возбуждения на положение и ширину линии ФЛ Ge(Si) островков

1.2.3. Наблюдение пространственно прямых излучательных переходов в Ge(Si) островках

1.2.4. Кинетические зависимости ФЛ Ge(Si) островков

1.2.5. Спектроскопия возбуждения ФЛ структур с Ge(Si) островками

1.2.6. Оптические свойства структур с Ge(Si)/sSi островками

Глава 2 Формирование структур с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и методы их характеризации

2.1 Формирование SiGe структур с самоформирующимися Ge(Si) островками

2.1.1. Описание высоковакуумных установок молекулярно-пучковой эпитаксии Ge/Si гетероструктур "BALZERS" UMS 500P и "Riber Siva-21"

2.1.2. Методы предростовой подготовки подложек Si(001) и «кремний на изоляторе» (SOI)

2.1.3. Рост структуру с Ge(Si) островками на подложках Si(001) и SOI

2.1.4. Рост структур с Ge(Si) островками на релаксированных SiGe слоях

2.2 Характеризация исследованных SiGe структур

2.2.1. Атомно-силовая микроскопия

2.2.2. Рентгенодифракционный анализ

2.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия

2.3 Аппаратура и методика исследования излучательных свойств SiGe структур

2.3.1. Спектроскопия фотолюминесценции структур с Ge(Si) самоформирующимися островками при непрерывном оптическом

возбуждении.

2.3.2. Особенности спектроскопии ФЛ структур с Ое(81) островками, сформированными на 8Юе буфере

2.3.3. Методика ФЛ структур с Ое(81) островками в условиях импульсного оптического возбуждения

2.3.4. Методика спектроскопии возбуждения фотолюминесценции

2.3.5. Паразитные сигналы в спектрах ФЛ структур с Ое(81) островками

2.4 Расчет зонных диаграмм 8Юе гетероструктур с Ое(81) островками

2.5 Выводы к Главе

Глава 3 Излучательные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ое(8Г) островками, выращенными на подложках 81(001) и «кремний-на-изоляторе»

3.1 Спектро-кинетические зависимости ФЛ структур с Ое(81) островками

3.2 Пространственно прямая излучательная рекомбинация носителей заряда в Ое(81) островках

3.3 Вклад процессов диффузии носителей заряда из кремниевой подложки в возбуждение ФЛ Ое(81) островков

3.4 Спектроскопия возбуждения ФЛ структур с 0е(81)/81(001) островками

3.4.1. Спектры возбуждения ФЛ Ое(81) островков

3.4.2. Спектры возбуждения ФЛ, соответствующей различным временным компонентам в кинетике релаксации ФЛ Ое(81) островков

3.4.3. Поглощение в Ое(81) островках

3.5 Выводы к Главе

Глава 4 Излучательные свойства структур с самоформирующимися Ое(8Г) островками, заключенными между напряженными слоями

4.1 Введение

4.2 Фотолюминесценция Ое(81)/в81 островков, сформированных на релаксированном 8Юе/81(001) буфере

4.2.1. Влияние соотношения толщин слоев б81 на ширину линии ФЛ Ое(81)/в81 островков

4.2.2. Температурная зависимость ФЛ Ое(81)/в81 островков, сформированных на релаксированных 8Юе буферах

4.3 Структуры с Ое(81)/в81 островками, выращенные на подложках в801

4.3.1 Особенности химической подготовки UTBB sSOI подложек и роста на них эпитаксиальных SiGe структур

4.3.2. Фотолюминесценция структур с Ge(Si)/sSi островками, выращенными на UTBB sSOI подложках

4.4 Электролюминесценция структур с Ge(Si)/sSi островками

4.4.1 Исследованные структуры и методика эксперимента

4.4.2 Электролюминесценция структур с Ge(Si)/sSi островками

4.5 Выводы к Главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список публикаций автора по теме диссертации

Список цитируемой литературы

Введение