Ванюхин Кирилл Дмитриевич. Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN :



  • Название:
  • Ванюхин Кирилл Дмитриевич. Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный универ
  • Год защиты:
  • 2015
  • Краткое описание:
  • Ванюхин Кирилл Дмитриевич. Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN: автореферат дис. ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Ванюхин Кирилл Дмитриевич;[Место защиты: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", ods.mephi.ru].- Москва, 2015
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины