Разработка технологии выращивания ГРАДИЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Sb1-xBix : Розробка технології вирощування градієнтних КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Sb1-xBix

Краткое описание

имени Владимира ДАЛЯ

УДК 546.86/.87:548.55 На правах рукописи

Луцкий
денис валерьевич

разработка технологии выращивания
ГРАДИЕНТНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Sb1-xBix

Специальность 05.27.06 технология, оборудование и производство электронной техники

Диссертация
на соискание учёной степени
кандидата технических наук

Научный руководитель
профессор, доктор технических наук
Г.Н. КОЖЕМЯКИН

Луганск 2013 г.
ВВЕДЕНИЕ 6
РаЗДЕЛ 1 16
методы выращивания кристаллов и гетерогенное равновесие твердых растворов висмут сурьма 16
1.1. Кристаллическая структура твердых растворов Bi-Sb 16
1.2. Практическое применение градиентных кристаллов твердых растворов Sb-Bi для фокусировки рентгеновского и гамма излучений 19
1.3. Методы выращивания монокристаллов сплавов сурьма-висмут 23
1.3.1. Метод Бриджмена 23
1.3.2. Метод зонной перекристаллизации 24
1.3.3. Методы выращивания монокристаллов сплавов сурьма-висмут с заданным распределением компонентов 25
1.3.4. Метод вытягивания из расплава по Чохральскому 27
1.3.5. Метод Чохральского с подпиткой жидкой фазой 28
1.3.6. Метод вытягивания из расплава по Чохральскому с подпиткой твердой фазой 30
1.4. Гетерогенное равновесие в системе сурьма-висмут 31
1.4.1. Диаграмма состояния сплавов Sb-Bi 31
1.4.2. Термодинамические параметры системы Sb-Bi. Равновесный коэффициент распределения 33
1.4.3. Методы расчета гетерогенного равновесия 34
1.4.4. Распределение компонентов между жидкой и твердой фазами 35
1.5. Цели и задачи исследования 37
Выводы по разделу 1 39
Раздел 2 40
методика ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ сплавов Sb-Bi, изучения совершенства структуры и измерения Электрофизических свойств 40
2.1. Установка выращивания монокристаллов сплавов Sb-Bi 40
2.2. Условия роста кристаллов твердых растворов сурьма висмут 44
2.2.1. Подготовка шихты и затравочных монокристаллов сплавов Sb-Bi 44
2.2.2. Условия выращивания монокристаллов сплавов Sb-Bi 46
2.2.3 Исходные материалы 50
2.3. Моделирование методов выращивания градиентных кристаллов твердых растворов сурьмависмут 50
2.3.1. Метод Чохральского с подпиткой жидкой фазой 51
2.3.2. Метод Чохральского с подпиткой твердой фазой 54
2.3.3. Модернизация метода Чохральского с подпиткой твердой фазой для выращивания градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi 56
2.4. Расчет подпитки висмутом расплава при выращивании градиентных монокристаллов Sb-Bi 58
2.5. Моделирование течений в расплаве при выращивании градиентных монокристаллов сплавов Sb-Bi 63
2.6. Совершенство структуры монокристаллов твердых растворов сурьма висмут 65
2.6.1. Методика измерения плотности дислокаций

Список литературы

1. Рассчитаны и экспериментально подтверждены эффективные коэффициенты распределения висмута в сплавах сурьма-висмут, обогащенных сурьмой. Установлено, что значения эффективных коэффициентов распределения висмута возрастают от 0,154 до 0,286 с повышением содержания Bi от 1 до 20 ат. % в твердой фазе, что обусловлено увеличением химического взаимодействия между компонентами. Полученные значения коэффициентов распределения висмута обеспечили создание метода выращивания монокристаллов твердых растворов сурьма-висмут контролируемого состава.
2. Предложена модель расчета коэффициента теплопроводности в монокристаллах твердых растворов Sb-Bi. Показано, что с увеличением содержания Bi до 20 ат. % коэффициент теплопроводности в сплавах снижается более чем в 2 раза с 43 до 26 Вт/(м·K).
3. Выполнен расчет технологических параметров и моделирование процесса вытягивания градиентных кристаллов.
4. Установлено, что градиент температуры в процессе роста необходимо уменьшать от 5 до 1 К/см в жидкой фазе и от 90 до 54 К/см в твердой при увеличении содержания висмута до 20 ат.%. С помощью метода светового ножа” показано поведение течений в расплаве при введении подпитки, влияющих на распределение компонентов в вытягиваемом кристалле.
5. Разработана технология выращивания градиентных кристаллов сплавов Sb-Bi методом Чохральского с подпиткой твердым висмутом и поддержанием постоянного уровня расплава за счет перелива избыточного расплава во внешний тигель. Выращен монокристалл сплава сурьмависмут с изменением концентрации висмута от 2,5 до 17 ат. % и градиентом параметров кристаллической решетки до 0,8518 %/см.
6. В монокристаллах твердых растворов Sb-Bi выращенных без подпитки с содержанием висмута до 18 ат.% исследовано совершенство структуры, концентрация висмута, концентрация и подвижность носителей заряда, удельное электросопротивление, термо-э.д.с. и коэффициенты теплопроводности.
7. В градиентных кристаллах сплавов Sb-Bi измерены параметры кристаллической решетки, удельное электросопротивление и термо-э.д.с.

1. Schuster M. Parallel-beam coupling into channel-cut monochromators using curved graded multilayers / M. Schuster, H. Göbel // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. V.28. P. 270 275.
2. Moshkin S.V. Growing delta-crystals of potassium-rubidium biphtalate from aqueous sоlution / S.V. Moshkin, O.M. Boldyreva, T.I. Ivanova, M.A. Kuz'mina, I.P. Shakhverdova, P.V. Petrashen, R.N. Kyutt, H. Bradaczek // J. Crystal Growth. 1997. V.172. P. 226 230.
3. Smither R.K. Variable-metric diffraction crystals for x-ray optics / R.K. Smither, P.B. Fernandez // Rev. Sci. Instrum. 1992. V. 63, № 2. P. 1755 1762.
4. Smither R.K. New method for focusing x rays and gamma rays / R.K. Smither // Rev. Sci. Instrum. 1982. V.53, №.2, P. 131-142.
5. Мартяхин В.А. Спектральные характеристики приемников дальнего ИК диапазона на основе узкозонного полупроводника n-Bi1-xSbx / В.А. Мартяхин, А. Я. Олейников, А. Я. Смирнов, В. А. Стукан, В.И. Трифонов // физика и техника полупроводников. 1980. Т. 14, № 9. C. 1716-1719.
6. Абдуллаев А. А. Оптические свойства сплавов висмут сурьма / А. А. Абдуллаев, В. Г. Алексеева, Н. Ф. Заец, Т.М. Ормонт, Е. Г. Чиркова // Письма в ЖЭТФ. 1973 г. Вып. 6,№ 17. С. 292 295.
7. Hsieh D. А topological dirac insulator in a quantum spin hall phase / D. Hsieh, D. Qian, L. Wray, Y. Xia, Y.S. Hor, R.J. Cava, M.Z. Hasan // Nature. 2008. V. 452. P. 970 975.
8. Марков О.И. Термоэлектрические свойства твердых растворов (Bi0.88Sb0.12)1-xTex / О.И. Марков. // Известия ТулГУ. Серия физика. 2004 № 7 C 51-55.
9. Бондарев Ю. М. Процессы дефектообразования в твердых растворах Bi-Sb / Ю. М. Бондарев, Е.В. Бирючинский, Е. Г. Гончаров // Вестник ВГУ. Серия химия, биология, фармация 2003. №1. С. 5 8.
10. Иванова Л.Д. Выращивание монокристаллов сурьмы методом Чохральского / Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина // 11 Национальна конференция по росту кристаллов, Москва, Россия, 14-17 ноября 2004 г.
11. Наливкин М.А. Получение и исследование условий выращивания градиентных кристаллов твердых растворов висмут-сурьма: Дис. канд. тех. наук / Наливкин Михаил Алексеевич. Луганск, 2003. 153 с.
12. Кожемякин Г.Н. Получение и исследование легированных монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма: Дис. канд. тех. наук / Кожемякин Геннадий Николаевич. М., 1981. 206 с.
13. Penzel St. Growth of Bi-Sb gradient crystals for X-ray monochromators by means of the gradient projection method / St. Penzel, H. Klessen, W. Newmann // Cryst.Res. Technol. 1997. v.38, №8. P. 1137 1143.
14. Gille P. Axially linear slopes of composition for "delta" crystals / P. Gille, M. Hollantz, H. Klessen, M. Schenk // J. Crystal Growth. 1994. V.139. P. 165 171.
15. Mashimo T. Atomic-scale graded structure formed by sedimentation of substitutional atoms in a Bi-Sb alloy / T. Mashimo, T. Ikeda, I. Minato // J. Applied Phisics. 2001. V.90, № 2, P. 741-744.
16. Гицу Д.В. Кристаллическая и зонная структура висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма / Д.В. Гицу // Полуметаллы и узкозонные полупроводники. Кишенёв: Штиинца, 1979. с. 3 58.
17. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография Т 2. Структура кристаллов / Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом М.: Наука, 1979. 360 с.
18. Бабичев А.П., Физические величины: справ. / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др.; под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
19. Вигдорович В.Н. Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники / В.Н. Вигдорович, Г.А. Ухлинов, В.В. Марычев // 1972. вып. 8. 24-38 c.
20. Berger H. Lattice parameter study in the Bi1-xSbx solid-solution system / H. Berger, B. Christ, J. Troschke // Crystal Res. & Technol. 1982 V. 17, №10. P. 1233 1239.
21. Cucka P. The crystal structure of Bi and solid solutions of Pb, Sn, Sb and Te in Bi / P. Cucka, C.S. Barrett // Acta Cryst. 1962. v. 15, Pt. 9, p. 865 872.
22. Регель А.Р. Физические свойства электронных расплавов / А.Р. Регель, В.М. Глазов. М.: Наука, 1980. 296 с.
23. Никитина Г.В. О скорости выращивания кристаллов системы Bi-Sb / Г.В. Никитина, В.Н. Романенко // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1972. т.8, № 5. с. 813.
24. Koh H.J. Growth of Bi1-хSbх mixed crystals by new melt injection technique / H.J. Koh, P. Rudolph, T. Fukuda // J. Crystal Growth 1995. v.154. P. 151 155.
25. Penzel St. Growth of Bi-Sb gradient crystals for X-ray monochromators / St. Penzel, W. Neumann // J. Crystal Growth. 1999. V.198. P. 811 814.
26. Schubnikow L. Цит по: Кузнецов В.Д. 1954 [27] / L. Schubnikow // Leiden Comm. 1929. P. 207.
27. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация / В.Д. Кузнецов // М. Гостехтеоретиздат, 1954. с. 411.
28. Jain A.L. Temperature dependence of the electrical properties of bismuth-antimony alloys / A.L. Jain // Phys. Rev. 1959. v. 114, № 6. p. 1518-1528.
29. Smith G.R. Thermoelectric properties of bismuth-antimony alloys / G.R. Smith, R. Wolfe // J. Appl. Phys. 1962. v. 33, № 3. p. 841 846.
30. Brown D.M. Growth of bismuth-antimony single-crystal alloys / D.M. Brown, F.K. Heumann // J. Appl. Phys. 1964. V.35, № 6, P. 1947 1951.
31. Глазов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, В.С. Земсков // М.: Наука, 1967. 278 с.
32. Zemskov V.S. Growth and investigation of thermoelectric properties of Bi-Sb alloy single crystals / V.S. Zemskov, A.D. Belaya,. U.S. Beluy, G.N. Kozhemyakin // J. Crystal Growth 2000. v.212. P. 161-166.
33. Вигдорович В.Н. Выращивание монокристаллов висмута / В.Н. Вигдорович, Г.А. Ухлинов, В.В. Марычев, В.П. Шумилов // В кн.: Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Химико-технол. серия. М.: МИЭТ, 1972. вып. 8. с. 38 43.
34. He J. Double crucible LEC growth of In-doped GaAs using inner crucibles with a bottom tube / J. He, S. Kou // J. Crystal Growth. 2000, V. 211, P. 163 168.
35. Leverton W.F. Floating crucible technique for growing uniformly doped crystals / W.F. Leverton // U J. Appl. Phys. 1958. V. 29, № 8. C.1241-1243.
36. Kozhemyakin G.N. Indium inhomogeneity in InxGa1-xSb ternary crystals grown by floating crucible Czochralski method / G.N. Kozhemyakin // J. Crystal Growth 2000. v.220. P. 39 45.
37. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. М.:Металлургия, 1988. 574 с.
38. Глазов В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В.М. Глазов, В.С. Земсков М.:Наука, 1967. 352 с.
39. Matsumura A. On the equilibrium phase diagram of Bi-Sb-Te system / A. Matsumura, A. Hayashi // Sumitomo Electric Techn. Rev., 1968. V.11. P.103-111.
40. Петров Д.А. Нарушение равновесия при кристаллизации твердых растворов / Д.А. Петров // Журнал физической химии, 1947. т. XXI. вып. 12. с. 1449 1460.
41. Гегузин Я.Е. Энергия смешения двойных металлических сплавов. Система висмут-сурьма / Я.Е. Гегузин, Б.Я. Пинес. // Журнал физической химии. 1952. т. XXVI. вып. 1. с. 27 30.
42. Андерко К. Структуры бинарных сплавов / К. Андерко, М. Хансен М.: Металлургиздат, 1941. т. 1. 320 с.
43. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем / А.Е. Вол М.: Физматгиз, 1962. Т. 2. 229 c.
44. Михайличенко Т.В. Исследование диаграммы состояний сплавов висмут-сурьма, богатых висмутом / Т.В. Михайличенко, В.Л. Налетов, В.В. Рощин // В кн.: Полуметаллы. Л., 1968. с. 12 16. (Ученые записки ЛГПИ им. А.И. Герцена, т.384, вып.4).
45. Александров В.Д. Влияние термовременной обработки расплавов на предкристаллизационные переохлаждения в металлических сплавах Bi-Sb, Sn-Bi / В.Д. Александров, В.Н. Александрова, А.А. Баранников, С.А. Фролова // Оборудование и технологии термической обработки металлов и сплавов машиностроении Харьковский физико-технический институт, Харьков. 2001. Часть II. с. 157 163.
46. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. / Под ред. Земскова В.С. М.: Наука, 1978. 197 с.
47. Dismukes J.P. A survey of interface stability criteria in the elemental alloy system: Ge-Si, Bi-Sb, Se-Te / J.P. Dismukes, W.M. Yim. // J. Crystal Growth 1974. v.22. P. 287 294.
48. Лодиз Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер. Пер. с англ. М.: Мир, 1974. 540 с.
49. Шахпаронов М.И. Введение в молекулярную теорию растворов. М.И. Шахпаронов. М.: Гостехтеориздат, 1956. 507 с.
50. Андреев В.М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В.М. Андреев, Л.М. Долгиков, Д.Н. Третьяков. М.: Сов. Радио, 1975. 328 с.
51. Хубер Д. Теория n компонентных смесей с участием вещества АIIIВV. Расчет тройных фазовых диаграмм Al-Ga-As, Al-Ga-P, Si-Ge-Au и Si-Ge-Al / Д. Хубер // В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1974. т.2 с. 212 218.
52. Мильвидский М.Т. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М.Т. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. М.: Металлургия, 1974. 391 с.
53. Кажлаева Р.И. Исследование термодинамических свойств растворов системы висмут-сурьма / Р.И. Кажлаева, М.Г. Шахтахтинский, А.А. Кулиев, В.Н. Вигдорович // Журн. физ. химии. 1970. т.44, №10. с. 2461 2464.
54. Сейдж Б.Х. Термодинамика многокомпонентных систем: пер. с англ. / Б.Х. Сейдж. М: Недра, 1969 303 с.
55. Савицкий А.А. Энтальпия образования расплавов Bi-Sb-Te из компонентов / А.А. Савицкий, Л.А. Мечковский, А.А. Вечер // Журнал физической химии. 1975. т. XLIX. вып. 11. С. 2921 2923.
56. Хенней Н.Б. Полупроводники: пер. с англ. / Н.Б. Хенней. М.: ИЛ., 1962. 667 с.
57. Burton J.A. The distribution of solute in crystals growth from the melt / J.A. Burton, R.C. Prim and W.P. Slichter // J. Chem. Phys. 1953. v.21, №11. P. 1987 1996.
58. Wilson L.O. A new look at the Burton, Prim, and Slichter model of segregation during crystal growth from the melt / L.O. Wilson // J. Crystal Growth 1978. v.44. P. 371 376.
59. Ostrogorsky A.G. A model of effective segregation coefficient, accounting convection in the solute layer at the growth interface / A.G. Ostrogorsky, G.A. Muller // J. Crystal Growth. 1992. v.121. P. 587 598.
60. Ostrogorsky A.G. Model of the effective segregation coefficient applied to low convection solidification in microgravity / A.G. Ostrogorsky, G.A. Muller // J. Crystal Growth. 1993. V.128. P. 207 212.
61. Комаров Н.В. Выращивание легированных монокристаллов InSb и моделирование конвекции в расплаве при воздействии ультразвука: Дис. канд. тех. наук / Комаров Николай Викторович. Луганск., 2002. 147 с.
62. Колодяжная Л.Г. Получение монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма в ультразвуковом поле: Дис. канд. тех. наук / Колодяжная Людмила Григорьевна. Луганск., 1997. 147 с.
63. Земсков В.С. Влияние скорости роста на структуру монокристаллов твердых растворов висмута с сурьмой / В.С. Земсков, В.В. Рождественская, Н.Н. Лукаш // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1976. т. 12, № 7, с. 1160 1162.
64. Чеглоков Е.И. Структура валентной зоны кристаллов типа висмута / Е.И. Чеглоков // Изв. высш. учеб. заведений. Физика. 1960. № 4. с. 13 21.
65. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией / В.Н. Вигдорович. М.: Металлургия, 1969. 296 с.
66. Девятых Г.Г. Глубокая очистка веществ / Г.Г. Девятых, Ю.Е. Еллиев. М.: В.Ш., 1990. 192 с.
67. Наливкин М.А. Выращивание градиентных кристаллов Bi-Sb методом Чохральского / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Вісник СНУ ім. В. Даля Луганськ: Вид-цтво СНУ ім. В. Даля. 2002. №3 (49). с. 164 166.
68. Tanaka A. Multi-step pulling of GaInSb bulk crystal from ternary solution / A. Tanaka, J. Shintani, M. Kimura, T. Sukegawa // J. Crystal Growth. 2000. V.209. P. 625 629.
69. Blackwell G. R. Back diffusion through the floating crucible technique of crystal growth / G. R. Blackwell //J. Solid-State Electronics. 1964. v.7. P. 105 110.
70. Патент України, МПК 7 C30B15/00. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала / Кожемякін Г.М., Луцький Д.В. № 20041008431, Опубл. 16.05.2005. Бюл.№5.
71. Шашков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания / Ю.М. Шашков. М.:Металлургия, 1982, 311 с.
72. Кох А.Е. Устройство для подпитки растущего кристалла / А.Е. Кох, В.Е. Кох, Н.Г. Кононова // Приборы и техника эксперимента. 1999. №2. С. 145-147.
73. Луцкий Д.В. Гетерогенное равновесие в системе Sb-Bi / Д.В. Луцкий, Г.Н. Кожемякин // Ресурсозберігаючі технології виробництва та обробки тиском матеріалів у машинобудуванні: Зб. наук. пр. Луганськ: вид-во СНУ, 2001. С. 249 255.
74. Ландау Л.Д. Теоретическая физика / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. М.:Наука. 1986. Т VI. Гидродинамика. 736 с.
75. Лившиц Б.Г. Физические свойства металлов и сплавов. / Б.Г.Лившиц, В.С. Крапошин, Я.Л. Липецкий. М.: Металлургия, 1980. 320 с.
76. Кожемякин Г.Н. Исследование плотности дислокаций монокристаллов твердых растворов Bi-Sb-Te / Г.Н. Кожемякин, Ю.А. Негода, А.Б. Окунев, Д.Л. Тихонов // Изв. АН СССР. Металлы. 1985, №2, c. 213 - 214.
77. Сангвал К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение: пер. с англ. / К. Сангвал. М.: Мир, 1990. 492 с.
78. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справ. / Ю.П Пшеничнов. М.: Металлургия, 1974. 528 с.
79. Наливкин М.А. Исследование плотности дислокаций в монокристаллах твердых растворов Bi-Sb / М.А. Наливкин, К.Г. Чипига, Г.Н. Кожемякин // Ресурсозберігаючі технології виробництва та обробки тиском матеріалів у машинобудуванні: Зб. наук. пр. Луганськ: Вид-цтво СНУ ім. В. Даля. 2002. с. 269 272.
80. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С.А. Медведев. М.: Высш.шк., 1970. 504 с.
81. Наливкин М.А. Выращивание градиентных монокристаллов сплавов Bi-Sb / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Тезисы докл. на Х национальной Конференции по росту кристаллов, Москва, Институт кристаллографии РАН, 24 29 ноября 2002 г.
82. Мильвидский М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
83. Морис Ф. Микроанализ и растровая электронная микроскопия. Пер. с франц. / Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье. Франция, 1978: М.: Металлургия, 1985. 392 с.
84. Земсков В.С. Исследование слоистой неоднородности распределения компонентов в монокристаллах сплавов Bi-Sb и Bi-Sb-Те / В.С. Земсков, А.Д. Белая, Г.Н. Кожемякин, Л.Г. Ковшова // Металлы. 1985. №6. С. 218 219.
85. Rom M.A. X-rays analisis of crystals of variable chemical composition / M.A. Rom // Functional Materials. 2001. V.8, №4, P. 750 754.
86. Русаков А.А. Рентгенография металлов / А.А. Русаков. М.: Атомиздат, 1977. 480 с.
87. Боуэн Д.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография перевод с англ. / Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. СПб.: Наука, 2002. 274 с.
88. Степанов Н.П. Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма / Н.П. Степанов // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. вып. 5. С. 552 555.
89. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1984. 352 с.
90. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. М.: Высш. шк., 1975. 206 с.
91. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела / В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1995. Т1. 480 с.
92. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высш.шк., 1986. 368 с.
93. Зайдель А.Н. Элементарные оценки ошибок измерений. / А.Н Зайдель. Л.: Наука, 1967. 88 с.
94. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках / Я. Тауц. М.: И. Л., 1962. 253 с.
95. Аптекарь И.Л. Расчет диаграмм состояния / И.Л. Аптекарь, Д.С. Каменецкая // В кн.: Теоретические и экспериментальные методы исследования диаграмм состояния металлических систем. М.: Наука, 1969, с 58 68.
96. Удовский А.Д. Развитие методов теоретического построения диаграмм состояния: Дисс. канд. физ.-мат. Наук / Удовский А.Д. М., 1973 189с.
97. Регель А.Р. Закономерности формирования структуры электронных расплавов / А.Р. Регель, В.М. Глазов М.: Наука, 1982. 283 c.
98. Vieland L.V. Phase equilibria of III-V compounds / L.V. Vieland // Acta Metal. 1962. V. 11, №2, P. 2165 2171.
99. Antipas G.A. Liquid epitaxial growth of GaAsSb annd its use as a high efficiency, long-wavelength, threshold photometer. / G.A. Antipas, L.W. James // J. Appl. Phys. 1970. V.41, №5, P. 2165 2171.
100. Sringfellow G.H. Calculation of III-V thernary phase diagrams: In-Ga-As and In-As-Sb / G.H. Sringfellow, P.E. Greene // J. Phys. Chem. Solids. 1969. v.30. p.1779 1791.
101. Герасимов Я.И., Термодинамика растворов / Я.И. Герасимов, В.А. Гейдерих. М.: Изд.-во МГУ, 1980. 180 с.
102. Мелвин-Хьюз. Физическая химия: пер. с англ. / Мелвин-Хьюз M.: ИЛ, 1962. 1949 с.
103. Вагнер К. Термодинамика сплавов: пер. с нем. / К. Вагнер. М.: Цветметиздат, 1957. 179 с.
104. Могилевский Б.М. Теплопроводность полупроводников / Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. М.: Наука, 1972. 536 с.
105. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. М.: Наука, 1977. 672 с.
106. Смирнов И.А. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках / И.А.Смирнов, В.И. Тамарченко. Л. Наука, 1977. 151 с.
107. Мильвидский М.Г. К анализу тепловых условий выращивания монокристаллов методом Чохральского / М.Г. Мильвидский, В.А. Смирнов, И.В. Старшинова, Ю.Ф. Щелкин // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т.40, №7. C. 1444 1451.
108. Louchev O.A. Thermally induced effect during initial stage of crystal growth from melts / O.A. Louchev, S. Kumaragurubaran, S. Takekawa, K. Kitamura // J. Crystal Growth. 2004. v. 273. P. 320 328.
109. Ермаков С.С. Физика металлов / С.С. Ермаков. ч. 1. Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1975. 176 с.
110. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Э.М. Карташов. М.: Высш. шк., 2001. 550 с.
111. Драбл Дж. Теплопроводность полупроводников: пер. с англ. / Дж. Драбл, Г. Голдсмид. М.: И.Л., 1963. 266 с.
112. Цивинский С.В. Разориентация и размер блоков в кристаллах с высокой плотностью дислокаций / С.В. Цивинский, Л.А. Маслова, Н.Н. Антонова // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1971. Т.25, №3. С. 519 524.
113. Цивинский С.В. Об условиях образования макроблоков в кристаллах, выращиваемых из расплава / С.В. Цивинский, Л.А. Маслова // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1972. Т.26, №3, C.575 579.
114. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава / Г. Мюллер Конвекция и неоднородности: М.: Мир, 1991. 143 с.
115. Золкина Л.В. Влияние ультразвука на процессы роста монокристаллов твердого раствора Ga0.03In0.97Sb из расплава и слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксией: Дис. канд. тех. наук / Золкина Людмила Викторовна. Луганск, 2007. 171 с.
116. Brown D.M. Growth and transport properties of Bi-Sb single-crystal alloys / D.M. Brown, S.J. Silverman // Bull. Amer. Phys. Soc. 1964. V.9, № 5. P. 598.
117. Наливкин М.А. Расчет коэффициентов распределения в системе Bi-Sb / М.А. Наливкин, Г.Н. Кожемякин // Изв. АН РАН. Металлы. 2001. №6, с. 115 116.

118. Аджаров Г.Х. Управление составом однородных монокристаллов бинарных твердых растворов в процессе выращивания из расплава / Аджаров Г.Х., Мусаев А.А., Ганиев А.С., Шахтахтинский М.Г. // Изв. АН СССР, Неорган. материалы. 1980, т.16, №7, C. 1155 1158.