ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОЩУВАННЯ МІКРОВІСКЕРІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ InAs1-ХSbХ ДЛЯ ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ СЕНСОРІВ : Технология выращивания МИКРОВИСКЕРИВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА InAs1-ХSbХ ДЛЯ гальваномагнитных СЕНСОРОВ

Краткое описание

електронної техніки
Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Науковий керівник
Большакова Інесса Антонівна
доктор технічних наук
Львів-2013

ЗМІСТ
ЗМІСТ ......................................................................................................................... 2
ВСТУП ....................................................................................................................... 4
РОЗДІЛ 1. Аналіз методів отримання та властивостей твердого розчину
InAs1-xSbx ................................................................................................ 11
1.1. Загальна характеристика твердих розчинів напівпровідникових
матеріалів ....................................................................................................... 11
1.2. Властивості твердого розчину InAs1-xSbx та перспективи його
застосування .................................................................................................. 13
1.3. Методи одержання твердого розчину InAs1-xSbx ....................................... 20
1.4. Особливості отримання віскерів з газової фази ......................................... 27
1.5. Висновки до розділу 1 .................................................................................. 33
РОЗДІЛ 2. Моделювання фізико-хімічних процесів вирощування віскерів
InAs1-xSbx з паро-газової фази .............................................................. 35
2.1. Розрахунок залежності ізобарно-ізотермічного потенціалу
утворення твердого розчину InAs1-хSbx ...................................................... 36
2.2. Термодинамічний аналіз газової фази системи InAs-Sb-HCl ................... 44
2.3. Дослідження процесів масоперенесення компонентів через парову
фазу в системі InAs-Sb-HCl.......................................................................... 53
2.4. Висновки до розділу 2 .................................................................................. 59
РОЗДІЛ 3. Кінетика росту віскерів InAs1-xSbx ...................................................... 60
3.1. Загальні підходи до розрахунку кінетики росту віскерів з парової
фази ................................................................................................................. 60
3.2. Кінетика стадії формування нановіскерів .................................................. 67
3.3. Кінетика стадії вирощування мікровіскерів InAs1-xSbx ............................. 68
3.4. Висновки до розділу 3 .................................................................................. 71
РОЗДІЛ 4. Технологічні аспекти вирощування нано- та мікровіскерів
твердого розчину InAs1-xSbx з парової фази в хлоридній системі .... 72
4.1. Комплекс технологічного обладнання для отримання віскерів ............... 72
4.1.1. Установки та методи отримання хлористого водню (HCl) ...................... 73
3
4.1.2. Установка для отримання водню (H2) з точкою роси 70ºС .................... 76
4.1.3. Пост для завантаження ампул технологічними газами ............................ 78
4.2. Вирощування віскерів твердого розчину InAs1-xSbx .................................. 80
4.2.1. Технологія вирощування віскерів InAs1-xSbx в закритій системі ............. 84
4.2.2. Технологія вирощування віскерів InAs1-xSbx у відкритій системі ........... 88
4.3. Дослідження морфології та складу віскерів твердого розчину
InAs1-xSbx ........................................................................................................ 92
4.3.1. Морфологічні особливості мікровіскерів твердого розчину
InAs1-хSbх ........................................................................................................ 92
4.3.2. Визначення параметрів кристалічної гратки та складу твердого
розчину InAs1-xSbx на дифрактометрі HZG-4A .......................................... 95
4.3.3. Визначення складу віскерів твердого розчину InAs1-xSbx за
допомогою скануючого електронного мікроскопа РЕММА-102 ............ 99
РОЗДІЛ 5. Електрофізичні характеристики мікровіскерів твердого розчину
InAs0,84Sb0,16 .......................................................................................... 103
5.1. Електрофізичні характеристики мікровіскерів твердого розчину
складу InAs0,84Sb0,16 ..................................................................................... 104
5.2. Ширина забороненої зони мікровіскерів InAs0,84Sb0,16 ............................ 106
5.3. Придатність віскерів твердого розчину InAs0,84Sb0,16 для сенсорів
магнітного поля ........................................................................................... 116
5.4. Вплив нейтронного опромінення на параметри мікровіскерів
InAs0,84Sb0,16 .................................................................................................. 119
5.5. Висновки до розділу 5 ................................................................................ 121
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ ....................................................... 122
Список використаних джерел .............................................................................. 124

ВСТУП
Актуальність теми. Однією з прикмет нашого часу є бурхливий роз-
виток електроніки, основою елементної бази якої є напівпровідникові матері-
али. З розвитком електронної техніки номенклатура напівпровідникових ма-
теріалів розширюється. Крім широко розповсюджених кремнію, германію,
бінарних сполук AIIIBV та AIIBVI інтерес викликають тверді розчини цих спо-
лук завдяки можливості отримати матеріали з новими властивостями.
Одним з перспективних матеріалів твердотільної електроніки є твердий
розчин InAs1-xSbx, який широко використовується в високочутливих фотодіо-
дах, лазерах та світлодіодах, що працюють в спектральній області (3÷4) мкм,
що є близькою до лінії поглинання вуглекислого газу. Джерела випроміню-
вання для даної спектральної області використовуються в багатьох практич-
них і наукових задачах в області розробки систем оптичного зв’язку, газових
аналізаторах з високою чутливістю та швидкодією, для хімічного аналізу,
контролю забруднення зовнішнього середовища. Гетероструктури з чутли-
вим шаром InAs1-xSbx є також перспективними для гальваномагнітних сенсо-
рів [1].
При цьому, в твердому розчині InAs1-xSbx можливе поєднання позитив-
них параметрів обох бінарних компонентів InAs та InSb, що дозволить отри-
мати матеріал з новими властивостями. Поєднання високої рухливості носіїв
заряду InSb та малих значень температурних коефіцієнтів InAs дозволяє
створити прилади з високою точністю вимірювання.
Таким чином, вибір твердого розчину InAs1-xSbx для дослідження є ак-
туальним, оскільки забезпечує отримання матеріалів з новими властивостя-
ми.
В даний час відомо декілька методів отримання твердого розчину
InAs1-xSbx: вирощування монокристалів з розплаву (методи Бріджмена, Чох-
ральського) та вирощування епітаксійних плівок (методи МОС-гідридної,
молекулярно-променевої та рідинно-фазової епітаксії). Однак обидві групи
методів мають певні обмеження: монокристали з розплавів мають нерівномі-
5
рний розподіл домішок по об’єму, до того ж при виготовленні мініатюрних
чипів більшість коштовного матеріалу втрачається через порізку та шліфу-
вання; епітаксійні плівки характеризуються значною кількістю структурних
дефектів через неузгодженість параметрів гратки підкладки та епітаксійного
шару.
Тому в останні роки інтенсивно розвиваються методи вирощування
дискретних нано- та мікрокристалів з парової фази, які забезпечують вільну
кристалізацію зразків без участі підкладки та затравки. Нано- та мікророзмі-
рні кристали, отримані методом осадження з парової фази, в науковій літера-
турі прийнято називати ниткоподібними кристалами, нанодротинами або,
останнім часом, нано- та мікровіскерами.
Метод отримання віскерів з парової фази має ряд переваг. Він дозволяє
вирощувати кристали визначених розмірів з правильною огранкою та дзерка-
льно гладкими поверхнями граней. Таким чином, вони без додаткової оброб-
ки можуть використовуватись в якості чутливих елементів сенсорів. Завдяки
росту віскерів при температурах, значно нижчих за температуру плавлення,
можливий процес самоочищення під час їх росту, а структура таких віскерів
характеризується високою досконалістю і таким низьким рівнем дефектності,
що їх механічна міцність наближається до теоретично розрахованої для ідеа-
льного кристалу. Крім того, для вирощування віскерів даним методом вима-
гається досить проста апаратура, і він є низькозатратним.
Однак в науково-технічній літературі відсутня інформація про вирощу-
вання віскерів твердого розчину InAs1-xSbx. Тому тема дисертаційної роботи,
спрямована на розроблення технології вирощування нано- та мікровіскерів
твердого розчину InAs1-xSbx методом осадження з парової фази, є актуаль-
ною. Вирішення поставлених в дисертаційній роботі задач теоретичного та
експериментального визначення технологічних режимів вирощування віске-
рів InAs1-xSbx та дослідження їх параметрів дасть можливість отримувати до-
сконалі монокристалічні віскери з новими властивостями, та в подальшому
6
створити на їх основі чутливі елементи для приладів сенсорної електроніки
та оптики.
Зв’язок теми дисертації з державними програмами, науковими на-
прямами університету та кафедри. Тема дисертації відповідає науковому
напряму кафедри напівпровідникової електроніки та виконана в межах нау-
ково-дослідних робіт: „Дослідження впливу опромінення електронами на
властивості мікрокристалів антимоніду індію, легованних елементами ланта-
ноїдного ряду”, № держреєстр. 0102U001191 (2004-2006 рр.); „Дослідження
впливу реакторних нейтронів та високоенергетичних електронів на властиво-
сті мікрокристалів твердого розчину InAs1-xSbx”, № держреєстр. 0107U001105
(2007-2009 рр.); Сенсорні пристрої на основі радіаційностійких напівпрові-
дникових матеріалів для картографування магнітних полів медичних циклот-
ронів”, № держреєстр. 0110U001120 (2010-2011 рр.); "Технологія радіаційної
модифікації напівпровідникових матеріалів AIIIBV для сенсорної електроні-
ки", № держреєстр. 0112U001212 (2012-2013 рр.), госпдоговору № 1333 „Ви-
готовлення та поставка магнітометричних модулів (ММ) для магнітних ви-
конавчих органів (МВО) кількістю 27 шт.” (Державне підприємство «Вироб-
ниче Об’єднання Південний машинобудівний завод ім. О.М. Макарова»,
м. Дніпропетровськ, 2003 2004 рр.); „Дослідження впливу зовнішніх та
внутрішніх факторів на характеристики мікросенсорів магнітного поля”
ДК № М 235-2006, № держреєстр. 0106U009580 (2006 2007 рр.)
Мета і задачі дослідження. Метою роботи є розроблення технології
одержання з газової фази віскерів твердого розчину InAs1-xSbx, які є придат-
ними для виготовлення гальваномагнітних сенсорів.
Для досягнення поставленої мети вирішувались такі задачі:
 Термодинамічний аналіз складу парогазової суміші в хлоридній системі
InAs InSb HCl та моделювання фізико-хімічних процесів вирощування
віскерів InAs1-xSbx.
7
 Проектування та виготовлення комплекту технологічного обладнання для
вирощування нано- і мікровіскерів твердого розчину InAs1-xSbx осаджен-
ням з парової фази за методом хімічних транспортних реакцій.
 Експериментальне визначення технологічних етапів та режимів вирощу-
вання віскерів InAs1-xSbx з різним складом компонентів.
 Дослідження складу та морфологічних особливостей віскерів InAs1-xSbx.
 Дослідження електрофізичних параметрів та впливу іонізуючого опромі-
нення на властивості твердого розчину InAs1-xSbx.
Об’єктом дослідження є фізико-хімічні процеси, що забезпечують умо-
ви вирощування нано- та мікровіскерів InAs1-xSbx.
Предметом дослідження є технологія вирощування нано- та мікровіске-
рів твердого розчину InAs1-xSbx за механізмом пара-рідина-кристал в хлорид-
ній системі.
Методи дослідження: термодинамічний аналіз, кінетичний аналіз, мо-
делювання фізико-хімічних процесів, електрофізичні дослідження. Склад і
структура твердого розчину контролювалися методом рентгеноструктурного
аналізу та електронної мікроскопії.
Наукова новизна одержаних результатів.
1. Вперше розроблений спосіб отримання мікровіскерів твердого розчину
InAs1-xSbx, який дозволив виростити мікровіскери даного матеріалу з га-
зової фази. Новизна технологічного методу підтверджена патентом Укра-
їни №48820 від 12.04.2010 року.
2. Вперше створена модель фізико-хімічних процесів у хлоридній системі
InAs-Sb-HCl, в результаті якої визначені основні реакції між компонента-
ми цієї системи, які відповідають за транспорт матеріалу в зону росту.
Показано, що реакціями, які відповідають за формування мікровіскерів, є
реакції диспропорціонування хлоридів індію та алотропного перетворен-
ня елементів п’ятої групи.
3. Виявлено, що відтворювана технологія отримання віскерів твердих роз-
чинів InAs1-xSbx з парової фази можлива тільки при поєднанні в єдиному
8
технологічному процесі двох різних режимів росту віскерів кінетичного
та дифузійного, що створює умови двостадійного вирощування віскерів:
нановіскерів на першій стадії, мікровіскерів на другій.
4. Показано, що утворення нановіскерів на початковій стадії технологічного
процесу в кінетичному режимі відбувається за механізмом «пара-рідина-
кристал». Вперше практично реалізований ефект дозрівання Оствальда
для нановіскерів цього матеріалу, який є передумовою подальшого наро-
щування нановіскерів до розмірів мікровіскерів, що відбувається на заве-
ршальному етапі їх формування у дифузійному режимі росту.
5. Виявлено, що для відтворюваного формування масиву нановіскерів у кі-
нетичному режимі їх росту необхідною є присутність невеликої кількості
кисню у паровій фазі. Визначено, що оптимальна концентрація кисню для
ефективного процесу формування нановіскерів становить 1÷5 ppm.
Практичне значення одержаних результатів. В ході виконання дисе-
ртаційної роботи отримано результати, практична цінність яких полягає в на-
ступному:
1. Запропонована та реалізована на прикладі віскерів твердого розчину
InAs1-xSbx модель двостадійного вирощування віскерів з поєднанням в
єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів ро-
сту має універсальний характер і може бути узагальнена для отримання ві-
скерів інших напівпровідникових матеріалів.
2. Виготовлений комплект технологічного обладнання, який дозволяє прак-
тично реалізувати двостадійну технологію вирощування віскерів твердого
розчину InAs1-xSbx як в закритій, так і у відкритій системах, має практичне
значення для вирощування віскерів різних матеріалів металів, діелектри-
ків, напівпровідників.
3. Вирощені віскери твердого розчину InAs1-xSbx з різним складом компонен-
тів мають широкий діапазон параметрів, що має практичне значення для
використання їх в якості чутливих елементів гальваномагнітних сенсорів.
9
Особистий внесок здобувача. Основні результати дисертаційної роботи
отримані автором особисто. Всі основні наукові положення, що виносяться
на захист, та висновки дисертації сформульовані автором особисто. В працях
[66,72,108] автор шляхом термодинамічного аналізу та математичного моде-
лювання визначив основні параметри складу парогазової суміші, необхідні
для забезпечення ефективного масоперенесення In, As і Sb в зону росту мік-
ровіскерів InAs1-xSbx. В працях [77,83,84,95,97,106,107] сформовані основні
концепції технології отримання мікровіскерів InAs1-xSbx, вперше запропоно-
вана схема практичної реалізації ефекту дозрівання Оствальда для вирощу-
вання мікровіскерів цього твердого розчину. В роботах [49,75,78,85-
88,93,94,96,98,122,125] автором на конкретних технологічних режимах уза-
гальнено цей механізм для технологій вирощування мікровіскерів інших на-
півпровідників. Автором практично реалізовані вказані технологічні ідеї в
конкретному технологічному обладнанні, а саме: автором особисто виготов-
лена вся технологічна лінія для отримання мікровіскерів в закритій і відкри-
тій системах, розроблене обладнання є основою технологічної бази Лабора-
торії Магнітних Сенсорів. Автор проводив вимірювання електрофізичних па-
раметрів мікрокристалів та обробку результатів вимірювань, приймав участь
в аналізі одержаних результатів. В роботах [14,17,19,97,120,123] автор займа-
вся підготовкою експериментів по опроміненню мікрокристалів. В роботах
[19,97,107,120] автор брав участь в аналізі результатів експериментів,
пов’язаних із дослідженням опромінення мікровіскерів InAs1-xSbx реакторни-
ми нейтронами.
Апробація результатів дисертації. Результати досліджень, представле-
ні в дисертації, були представлені на таких конференціях: 8-а Російська кон-
ференція "GaAs та сполуки груп III-V" (Томськ, Росія, 2002); 8-ий Міжнаро-
дний симпозіум з мікроелектронних технологій та мікросистем (Львів, Укра-
їна, жовтень 2004); 15-та Міжнародна конференція з вирощування кристалів
(ICCG 15), яка проводилась спільно з 13-ю Конференцією з осадження з па-
рової фази та епітаксії (м. Солт-Лейк-Сіті, США, 12-17 серпня 2007); ХІІ Мі-
10
жнародна конференція з фізики і технології тонких плівок та наносистем
(Івано-Франківськ, Україна, травень 2009); IV Українська наукова конферен-
ція з фізики напівпровідників (Запоріжжя, Україна, 15-19 вересня 2009); Все-
українська наукова конференція Актуальні проблеми теоретичної, експери-
ментальної та прикладної фізики” (Тернопіль, Україна, 20-22 вересня 2012);
VIII Російська конференція «Сучасні засоби діагностики плазми та їх засто-
сування» (Москва, Росія, 23-25 жовтня 2012); а також на щорічних відкритих
Науково-технічних конференціях професорсько-викладацького складу Інсти-
туту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки НУ „Львівсь-
ка політехніка” з 2000р. по 2012р. включно.
Публікації. Основні результати дисертації опубліковано в 20 наукових
працях: з них 14 статей у фахових виданнях, в тому числі 3 у журналах, що
входять до наукометричних баз даних, 6 матеріалів та тез доповідей на украї-
нських та міжнародних конференціях та 9 патентів України.
Структура і обсяг дисертації. Дисертація складається зі вступу, п’яти
розділів основного тексту, висновків та списку використаних джерел. Дисер-
тація викладена на 132 сторінках і містить 53 рисунки та 11 таблиць, а також
список цитованої літератури із 125 найменувань.

Список литературы

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ
1. Шляхом математичного моделювання фізико-хімічних процесів у хлори-
дній системі InAs-Sb-HCl показана можливість вирощування віскерів тве-
рдого розчину InAs1-xSbx з парової фази за методом хімічних транспорт-
них реакцій. Встановлено, що основними компонентами парової фази, що
забезпечують транспорт матеріалу в зону росту віскерів, є хлориди індію
InCl і InCl3 та молекули As4 і Sb4. У результаті проведених розрахунків
рекомендовано температурний режим вирощування віскерів твердого ро-
зчину, який становить (900±25)К для зони джерела та (850±25)К для зони
кристалізації.
2. Запропонована модель технологічного процесу, який дозволяє забезпечу-
вати відтворювані результати вирощування віскерів твердого розчину
InAs1-xSbx, основними елементами якого є: (і) формування масивів нанові-
скерів у кінетичному режимі за механізмом пара-рідина-кристал” (ПРК),
(іі) створення технологічних умов для конкуруючого росту нановіскерів
шляхом оствальдового дозрівання, (ііі) епітаксійне нарощування нановіс-
керів до розмірів мікровіскерів у дифузійному режимі. Обґрунтовано не-
обхідність неперервності та поетапності технологічного процесу отри-
мання віскерів.
3. Виявлено, що відтворюваному формуванню масиву нановіскерів у кіне-
тичному режимі їх росту сприяє присутність у паровій фазі кисню, та ви-
значено його оптимальний вміст, який становить декілька ppm.
4. Спроектовано та виготовлено комплект технологічного обладнання, який
дозволяє практично реалізувати двостадійну технологію вирощування ві-
скерів твердого розчину InAs1-xSbx в закритій та відкритій системах.
5. Рентгеноструктурним аналізом віскерів твердого розчину InAs1-xSbx вста-
новлено залежність параметру гратки від складу його компонент та пока-
зано, що в діапазоні вирощених складів 0 ≤ х ≤ 0,16 вона добре описуєть-
ся правилом Вегарда, тобто є лінійною.
123
6. Показано, що розроблена технологія дозволяє отримувати нано- і мікро-
віскери твердого розчину InAs1-xSbx широкого діапазону складів
(0 ≤ х ≤ 0,16), концентрацій вільних носіїв заряду (від 3·1016 см-3 до
1·1019 см-3) та їх рухливостей (від 4200 см2·В-1·с-1 до 30000 см2·В-1·с-1 при
температурі 300 К). Продемонстровано, що отримані нановіскери придат-
ні для виготовлення сенсорів магнітного поля, зокрема працездатних в
умовах опромінення повним спектром реакторних нейтронів.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1. Shibasaki I. Transport Properties of InAs0.1Sb0.9 Thin Films Sandwiched by
Al0.1In0.9Sb Layers Grown on GaAs(100) Substrates by Molecular Beam
Epitaxy / I. Shibasaki, H. Geka, A. Okamoto // Narrow Gap Semiconductors.
2007. Vol.89. P.92-96.
2. Физика твердого тела. Энциклопедичиский словарь / [главний редактор
В.Г. Барьяктар]. К.: Наукова думка, 1998. 454с.
3. Ипатова И.П. Распад полупроводниковых твердых растворов / И.П. Ипа-
това, В.Н. Малышкин, В.А. Щукин // Материалы Международного сове-
щания 'Нанофотоника'. 2004. T.68, № 1. С.8-10.
4. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников / Я.А. Угай. М.: Высш.
школа, 1965. 332 с.
5. Electronic archive „New Semiconductor Materials. Characteristics and
Properties” [Електронний ресурс]. Режим доступу:
http://www.ioffe.rssi.ru/?row=12&subrow=0#
6. Вигдорович В.Н. Твердые растворы InAs1-xSbx, их свойства, технология
получения и применение в електронной технике / В.Н. Вигдорович,
В.Н. Пинчук, Г.П. Фурманов // Обз. по електр. техн. Сер. Материалы.
1981. Вып. 4, № 809. C.1-52.
7. Product catalogue of Bell Technologies Inc., a SYPRIS company [Електрон-
ний ресурс]. Режим доступу: www.fwbell.com
8. Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs (111)A substrate plane by
organometallic vapor phase epitaxy / M. Umemura, K. Kuwahara, S. Fuke [et
al.] // Journal of Applied Physics. Vol. 72, No.1 1992. P.313-315.
9. Sherstnev V. Tuning characteristics of InAsSb continuous-wave lasers /
V. Sherstnev, A. Krier, A. Popov, P. Werle // Applied Physics Letters 2002.
Vol.80, № 20. Р.3676-3678.
10. Твердые растворы в полупроводниковых системах: справочник АН
СССР. Институт металлургии им.А.А.Байкова. М.: «Наука», 1978. 454с.
11. Зотова Н.В. Люминесценция λ=6-9мкм монослойных структур на основе
InAsSb / Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев [и др.] // Физика и
техника полупроводников. 2005. Т.39, №2. С.230-233.
12. The effect of neutron irradiation on the properties of n-InSb whiskers /
I.A. Bolshakova, V.M. Boiko, V.N. Brudnyi [et al.] // Semiconductors (Fizika i
tekhnika poluprovodnikov). 2005. Vol.39, №7. P.780-785.
13. Брудный В.Н. Модель самокомпенсации и стабилизации уровня Ферми в
облученных полупроводниках / В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов //
Физика и техника полупроводников. 2007. Т.41, №9. С.1031-1040.
14. Prospects of using In-containing semiconductor materials in magnetic field
sensors for thermonuclear reactor magnetic diagnostics / Inessa Bolshakova,
Ivan Vasilevskii, Yaroslav Kost [et al.] // IEEE Transactions on Magnetics.
Vol. 49, Issue 1. 2013. P.50-53.
125
15. Сирота Н.Н. Температурные зависимости электропроводности и постоян-
ной Холла твердых растворов InAs-InSb / Н.Н. Сирота, Е.И. Болванович //
Доклады Академии Наук БССР. 1967. Т.11, №6 С.503-505.
16. Generation-recombination reduction in InAsSb photodiodes / M. Carras,
C. Renard, X. Marcadet [et al.] // Semicond.Sci.Technol. 2006. Vol.21.
P.1720-1723.
17. Effect of neutron irradiation on indium-containing III-V semiconductor
micromonocrystals / Inessa Bolshakova, Ivan Ďuran, Yaroslav Kost [et al.] //
Key Engineering Materials. Vol. 543. 2013. P. 273-276.
18. Sensors and instrumentation for the magnetic field measurement under high
neutron fluences / E. Hristoforou, I. Bolshakova, R. Holyaka [et al.] // Proc. of
IEEE Sensors 2004 Conf. (Vienna, Austria). 2004. Vol.3. P. 1075-1077.
19. Исследования полупроводниковых сенсоров в ITER-подобных радиацион-
ных условиях / И. Большакова, И. Васильевский, Я. Кость [и др.] // Мате-
риалы VIII Российской конференции «Современные средства диагностики
плазмы и их применение». М.: НИЯУ МИФИ. 2012. С.52-55.
20. Gao Y. The Improvement of Low Temperature Mobility of InAs0.04Sb0.96
Epilayers with Cut Off Wavelength of 12.5 m by Annealing / Y. Gao, H. Kan,
T. Yamaguchi // Cryst. Res. Technol. 2000. Vol.35, №8. Р.54-65.
21. Shamba P. MOCVD growth and electrical characterisation of InAs thin films:
Magister Scientiae / Shamba P. 2007. 94 p.
22. Беляев А. И. Физико-химические основы очистки металлов и полупрово-
дникових материалов / А. И. Беляев. М.: «Металлургия», 1973. 545с.
23. Громова Т.И. Фазовие равновесия в системе In- Sb-As / Т.И. Громова,
С.Б. Евгеньев, С.Р. Борисов // Неорганические материалы. 1983. Т.19,
№3. C.341-343.
24. Sorab K.Ghandhi. VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide /
Sorab K.Ghandhi. New York: Wiley-Interscience, 1994. 864 p.
25. Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials /
[edited by Peter Capper and Michael Mauk]. John Wiley & Sons, 2007. 464 p.
26. Попов А.А. Светодиоды на основе InAsSb для детектирования СO2 /
А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Письма в
ЖТФ. 1998. Том 24, №15. C.34-41.
27. Зотова Н.В. Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев
InAs1-хSbx / Н.В. Зотова, А.В. Лосев, Б.А. Матвеев // Письма в ЖТФ.
1989. Том 16, Вып. 4. C.45-51.
28. Остаточная деформация в эпитаксиальных слоях InGaAsSb, InAsSbP и
InAsSb на подложке InAs / Б.Ж. Кушкимбаева, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь
[и др.] // Кристаллография. 1990. Том 35, Вып. 5. С.1307-1308.
29. Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные
свойства квантовых ям InAsSb/InSbAs / В.А. Соловьев, Я.В. Тереньтьев,
А.А. Топоров [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2002. Т.36,
№12. C.1470-1474.
126
30. Gaskill D.K. High-mobility InSb grown by organometallic vapor phase
epitaxy / D.K. Gaskill, G.T. Stauf, N. Bottka // Applied Physics Letters 1991.
Vol.58, № 17 P.1905-1907.
31. Stauf G.T. Low-temperature organometallic vapor phase epitaxy of InSb using
the novel Sb precursor triisopropylantimony / G.T. Stauf, D.K. Gaskill,
N. Bottka // Applied Physics Letters 1991. Vol.58, № 12. P.1311-1315.
32. Fabrication of High-Quality InSb Nanowire Arrays by Chemical Beam
Epitaxy / A.T. Vogel, J. de Boor, J.V. Wittemann [et al.] // Crystal Growth &
Design. Vol.11, № 5. 2011. P. 1896-1900.
33. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей / М.А. Блохин. М.: ГИТТЛ,
1957 518 с.
34. Блохин М.А. Методы рентгеноспектральных исследований / М.А. Бло-
хин. М.: Физматгиз, 1959. 366 с.
35. Photoluminescence of InSb, InAs and InAsSb grown by organometallic vapor
phase epitaxy / Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw [et al.] // Journal of Applied
Physics. 1990. Vol.67, № 11. P.7034-7039.
36. Шеффер Г. Химические транспортные реакции / Г. Шеффер. М.:
«Мир», 1964. 189 с.
37. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов / О.Г. Козлова. М.: Изд-во
Моск. Ун-та, 1980. 368 с.
38. Методы получения особо чистых неорганических веществ / Б.Д.Степин,
Ч.Г.Горишейн, Г.З.Блюм [и др.] Л.: Химия, 1969. 480 с.
39. Bandaru P.R. An outline of the synthesis and properties of silicon nanowires /
P.R. Bandaru, P. Pichanusakorn // Semicond. Sci. Technol. Vol.25. 2010.
P.1-16.
40. Вирощування віскерів кремнію по механізму пар-рідина-кристал /
П.П. Горбик, І.В. Дубровін, Ю.О. Демченко [та ін.] // Фізика і хімія твер-
дого тіла. Т.10, № 4. 2009. С.877-881
41. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара /
Е.И. Гиваргизов. М.: Наука, 1977. 304 с.
42. Дубровский В.Г. Нелинейные эффекты при росте полупроводниковых
нитевидных нанокристаллов / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, М.А. Ти-
мофеева // Физика и техника полупроводников. 2009. Том 43, Вып.9.
С.1267-1274.
43. Дубровский В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: син-
тез, свойства, применения / В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Усти-
нов // Физика и техника полупроводников. 2009. Том 43, Вып.12.
С.1585-1628.
44. Hannon J.B. The influence of the surface migration of gold on the growth of
silicon nanowires / J.B. Hannon, S. Kodambaka, F.M. Ross, R.M. Tromp //
Nature. 2006. Vol.440. P.69-71.
45. Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices / [edited by
Jianye Li, Deli Wang, Ray R. LaPierre]. Bentham Science Publishers,
2011. 186 p.
127
46. Mandl B. Self-seeded, position-controlled InAs nanowire growth on Si: A
growth parameter study / Bernhard Mandl, Anil W. Dey, Julian Stangl [et al.] //
Journal of Crystal Growth. Vol.334, № 1. 2011. P.51-56.
47. Fortuna S. Metal-catalyzed semiconductor nanowires: a review on the control
of growth directions / Seth A Fortuna, Xiuling Li // Semicond. Sci. Technol.
2010. Vol.25. 024005-16p.
48. Дубровский В.Г. Теоретические основы технологии полупроводниковых
наноструктур: учебное пособие / В.Г. Дубровский. СПб.: СПбГПУ,
2006. 347 с.
49. Большакова І.А. Технологія вирощування віскерів напівпровідників на
основі нанорозмірних структур / І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Ма-
кідо, Ф.М. Шуригін // Матеріали ХІІ Міжнародної конференції з фізики і
технології тонких плівок та наносистем. 2009. Т.1. С.30-31.
50. Strain mapping in free-standing heterostructured wurtzite InAs/InP nanowires /
M.W. Larsson, J.B. Wagner, M. Wallin [et al.] // Nanotechnology. 2007.
Vol.18., №1 015504-8pp.
51. Control of ІІІ-V nanowire crystal structure by growth parameter tuning /
Kimberly A. Dick, Philippe Caroff, Jessica Bolinsson [et al.] // Semicond. Sci.
Technol. 2010. Vol.25. P.1-11.
52. Akiyama T. An Empirical Potential Approach to WurtziteZinc-Blende
Polytypism in Group IIIV Semiconductor Nanowires / T. Akiyama, K. Sano,
K. Nakamura, T. Ito // Japan. J. Appl. Phys. 2006. Vol.45. P. L275-L278.
53. Structural properties of <111>B -oriented III-V nanowires / J. Johansson,
L.S. Karlsson, C.P.T. Svensson [et al.] // Nature Materials. 2006. Vol.5.
P. 574-580.
54. Xiong Q. Coherent Twinning Phenomena: Towards Twinning Superlattices in
III-V Semiconducting Nanowires / Q. Xiong, J. Wang, P.C. Eklund // Nano
Letters. 2006. Vol.6, №12. P. 2736-2742.
55. Philipose U. Influence of growth temperature on the stoichiometry of InSb
nanowires grown by vapor phase transport / U. Philipose, G. Sapkota, J. Salfi,
H.E. Ruda // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol.25. P.1-6.
56. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учеб. пособие для ВУЗов /
М.П.Шаскольская. М.: Высшая школа, 1976. 386 с.
57. Electrical Properties of InAs1-xSbx and InSb Nanowires Grown by Molecular
Beam Epitaxy / ClaesThelander, Philippe Caroff, Sebastien Plissard, Kimberly
A. Dick // Applied Physics Letters. Vol.100. 2012. 232105-4 p.
58. Сорокина О.В. Давление пара в системе In-Sb-As / О.В. Сорокина,
С.Б. Евгеньев, А.П. Жуков // Неорганические материалы. 1984. Т.20,
№2. С.200-203.
59. Термодинамические свойства неорганических веществ / У.Д. Верятин,
В.П. Маширев, Н.Г. Рябцев [и др.]. М.: Атомиздат, 1965. 461 с.
60. Дейбук В.Г. Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок
GaInSb, InAsSb, GaInP / В.Г. Дейбук // Физика и техника полупроводни-
ков. Т.37, Вып.10. 2003. С.27-31.
128
61. Горелик С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков /
С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. М.: Металлургия, 1988. 574с.
62. Кузнецов В.В. О термодинамическом описании твердых растворов на ос-
нове соединений АIIIBV / В.В. Кузнецов, В.С. Сорокин // Неорганические
материалы. Т.16, №12. 1980. С.2085-2089.
63. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полу-
проводниковых веществ: справочник / Г.Б. Бокий, Я.А. Угай,
В.Я. Шевченко [и др.] М.: Из-во стандартов, 1973. 207с.
64. Захаров А.М. Диаграммы состояний двойных и тройных систем /
А.М. Захаров. М.: Металлургия, 1990. 240с.
65. Литвак А.М. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаг-
рамм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb / А.М. Лит-
вак, Н.А. Чарыков // Неорганические материалы. Т.27, №2. 1991.
С.225-230.
66. Гумен І.С. Моделювання складу газової фази системи InAs-Sb-HCl для
визначення оптимальних умов вирощування мікрокристалів твердого ро-
зчину InAs1-xSbx / І.С. Гумен, П.С. Копцев, Я.Я. Кость // Вісник НУ
„Львівська Політехніка”. Електроніка. 2004. № 513. C.54-58.
67. Drowart J. Thermodynamic study of the vaporization of AsSb, As2Sb2, As3Sb,
AsSb3 by Knudsen-cell mass spectrometr / J. Drowart // J. Chem.
Thermodyn. 1978. Vol.10, №3. P.457-465.
68. Воронин В.А. Структурно-топологические модели гетерогенных равнове-
сий и совершенствование технологии газофазной эпитаксии полупровод-
никовых соединений: дис. докт. техн. наук / В.А. Воронин. Львов, 1985.
69. Сурьма / [под ред. С.М.Мельникова]. М.: Металлургия, 1977. 536 с.
70. Федоров П.И. Химия галлия, индия и таллия / П.И. Федоров,
М.В. Мохосоев, Ф.П. Алексеев. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние,
1977. 224 с.
71. Глинка Н.Л. Общая химия /Н.Л. Глинка. Л.: Химия, 1985. 702с.
72. Bolshakova I. Mathematical simulation, synthesis, characterization and
application of indium arsenide whiskers / Inessa Bolshakova, Yaroslav Kost,
Elena Makido, Fedor Shurygin // Journal of Crystal Growth 2008.
Vol. 310, Issues 7-9. P. 2254-2259.
73. Левер Р.Ф. Перенос твердых веществ через газовую фазу при большом
числе реакций // Металлургия в электронике. М.: Металлургия, 1970.
С.16-22.
74. Губа С.К. Кінетика росту нановіскерів GаAs в хлоридній системі /
С.К. Губа, Т.Я. Головчак, Я.Я. Кость // Матеріали ХІІ Міжнародної кон-
ференції з фізики і технології тонких плівок та наносистем. 2009. Т.1.
С.376-378.
75. Губа С.К. Кінетика росту нановіскерів InAs в хлоридній системі /
С.К. Губа, Я.Я. Кость // Тези доповідей IV Української конференції з фі-
зики напівпровідників. 2009. Т.1 С.128-129.
129
76. Wagner R.S. Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth /
R.S. Wagner, W.C. Ellis // Applied Physics Letters. Vol. 4, No 5. 1964.
P.89-91.
77. Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів га-
лію та індію / І.А. Большакова, Н.В. Ковальова, Я.Я. Кость [та ін.] // Віс-
ник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. 2004. №513. С.40-47.
78. Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы / И.А. Большакова,
Е.Ю. Макидо, Я.Я. Кость [и др.] // Матер. 8-й Российской конференции
«Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V»
(Томск, Россия) 2002. С.67-69.
79. Поверхностная энергия и кристаллическая структура нитевидных нанок-
ристаллов полупроводниковых соединений III-V / Н.В. Сибирев,
М.А. Тимофеева, А.Д. Большаков [и др.] // Физика твердого тела.
2010. Т.52, №7. С.1428-1434.
80. Дорфман В.Ф. Микрометаллургия в микроэлектронике. Принципы техно-
логии в полупроводниковом приборостроении / В.Ф. Дорфман. М. : Ме-
таллургия, 1978. 272 с.
81. ASM Handbook: Volume 3: Alloy Phase Diagrams. [10th edition]. ASM
International, 1992. 512 p.
82. Карякин Ю.В. Чистые химические вещества / Ю.В. Карякин, И.И. Анге-
лов. [4-е изд.]. М.: «Химия». 1974. 408 c.
83. Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі /
І.А. Большакова, Д.М. Заячук, Я.Я. Кость [та ін.] // Вісник НУ „Львівська
Політехніка”. Електроніка. 2010. №681. С.75-79.
84. Пат. №48820 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання мікрокристалів
твердого розчину InAs1-XSbX / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М.,
Макідо О.Ю.; Національний університет «Львівська політехніка»
№ u 2009 08207; Заявл. 04.08.2009; Опубл. 12.04.2010, Бюл. №7. 4 с.
85. Пат. №45468 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання нановіскерів
германію / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М., Фендік А.В.,
Макідо О.Ю.; Національний університет «Львівська політехніка»
№ u 2009 05933; Заявл. 09.06.2009; Опубл. 10.11.2009, Бюл. №21. 4 с.
86. Пат. №48871 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання мікрокриста-
лів арсеніду індію / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М., Макі-
до О.Ю.; Національний університет «Львівська політехніка» № u 2009
09662; Заявл. 21.09.2009; Опубл. 12.04.2010, Бюл. №7. 4 с.
87. Пат. на винахід №90834 Україна, МПК С30В 25/00, С30В 29/10, С30В
29/40, H01L 21/02. Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію /
Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М., Макідо О.Ю., Вороши-
ло Г.І.; Національний університет «Львівська політехніка» № а 2009
12924; Заявл. 14.12.2009; Опубл. 25.05.2010, Бюл. №10. 4 с.
88. Пат. №60472 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання нановіскерів
германію / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М., Макідо О.Ю.,
Ворошило Г.І., Швець О.В.; Національний університет «Львівська політе-
130
хніка» № u 2010 12915; Заявл. 01.11.2010; Опубл. 25.06.2011, Бюл.
№12. 2 с.
89. Steady growth of nanowires via the vapor-liquid-solid method / Steven
M. Roper, Stephen H. Davis, Scott A. Norris [et al.] // Journal of Applied
Physics. 2007. Vol.102. 034304-7p.
90. Бусев А.И. Аналитическая химия золота / А.И. Бусев, В.М. Иванов. М.:
«Наука», 1973. 264 с. (Серия «Аналитическая химия элементов»).
91. Control of Si Nanowire Growth by Oxygen / S. Kodambaka, J.B. Hannon,
R.M. Tromp, F.M. Ross // Nano Letters. 2006. Vol.6, № 6. P.1292-1296.
92. Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов / [под
ред. К. Гудмана]. М.: Мир, 1977. 363 с.
93. Пат. №54765 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання нановіскерів ар-
сеніду галію / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шуригін Ф.М., Макідо О.Ю.,
Ворошило Г.І.; Національний університет «Львівська політехніка»
№ u 2009 05409; Заявл. 05.05.2010; Опубл. 25.11.2010, Бюл. №22. 3 с.
94. Пат. №60473 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання легованих мі-
крокристалів арсеніду індію / Большакова І.А., Кость Я.Я., Шури-
гін Ф.М., Макідо О.Ю., Ворошило Г.І.; Національний університет «Львів-
ська політехніка» № u 2010 12916; Заявл. 01.11.2010; Опубл. 25.06.2011,
Бюл. №12. 2 с.
95. Большакова І.А. Особливості технології вирощування мікрокристалів
твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази / І.А. Большакова, Я.Я. Кость,
О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Елек-
троніка. 2007. №592. С.3-7.
96. Большакова І.А. Отримання нано- та мікрокристалів напівпровідників /
І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін // Складні сис-
теми і процеси. 2009. № 2. С.10-15.
97. Большакова І.А. Твердий розчин InAsSb як перспективний матеріал для
сенсорів магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу /
І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін // Складні сис-
теми і процеси. 2009. № 2. С.3-9.
98. Пат. на винахід № 99078 Україна, МПК С30В 25/00, С30В 29/40. Спосіб
підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію / Бо-
льшакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М., Ворошило Г.І.,
Штабалюк А.П.; Національний університет «Львівська політехніка»
№ а 2011 11943, Заявл. 11.10.2011. Опубл. 10.07.2012, Бюл. № 13 3 с.
99. Performance of Hall sensor-based devices for magnetic field diagnostics at
fusion reactors / I. Bolshakova, I. Duran, R. Holyaka [et al.] // Sensor Letters.
2007. Vol.5. P.283-288.
100.Колин Н.Г. Свойства ядерно-легированного арсенида индия / Н.Г. Колин,
В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова // Физика и техника полупрово-
дников. 1986. Т.20, №5. С.822-827.
101.Бойко В.М. Физические основы технологии ядерного легирования In-
содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV: автореф. дис. на со-
131
иск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: спец. 01.04.10 "Физика полупровод-
ников" / Владимир Михайлович Бойко. М., 2007. 26 с.
102.Вплив електронного опромінення на мікрокристали InSb< Sn> та InAs
<Sn> / І.А. Большакова, В.Н. Брудний, Д.М. Заячук [та ін.] //Фізика і хімія
твердого тіла. 2005. T.6, №2. С.198-202.
103.Изменение структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами
и термообработок / В.М. Бойко, В.Т. Бублик, М.И. Воронова [и
др.] //Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40, №7. С. 769-777.
104.Колин Н.Г. Электрические свойства InSb, облученного быстрыми нейт-
ронами реактора / Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев // Физика
и техника полупроводников. 1999. Т.33, №8. С.927-929.
105.Radiation resistant magnetic sensors for accelerators / I. Bolshakova, I. Duran,
S. Kulikov [et al.] // Proceedings of 9th European Particle Accelerator
Conference EPAC04 (Lucerne, Switzerland). 2004. P.773-775.
106.Whiskers Of Indium Antimonide For Radiation Hard Hall Sensors [eresource]
/ Inessa Bolshakova, Yaroslav Kost, Masayuki Kumada [et al.] //
Proc. of 15th International Conference on Crystal Growth (Salt Lake City,
USA). 2007. Access on: http://www.crystalgrowth.us/iccg15/abstracts/
Abstract_Search_Detail.php?EID= 842
107.Большакова І.А. Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової
фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметри /
І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін // Вісник НУ
„Львівська Політехніка”. Електроніка. 2009. №646. С.104-109.
108.Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх, виро-
щених методом хімічних транспортних реакцій / І.А. Большакова,
Д.М. Заячук, Я.Я. Кость [та ін.] // Вісник НУ „Львівська Політехніка”.
Електроніка. 2008. №619. С.116-121.
109.Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б.М. Аске-
ров. Л.: Наука, 1970. 303 с.
110.Zawadzki W. Electron transport phenomena in small-gap semiconductors /
W. Zawadzki // Advances in Physics. 1974. Vol.23, № 3. P. 435-522.
111.Maier H. Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap
Semiconductors // Organic Crystals, Germanates, Semiconductors / Horst
Maier, Joachim Hesse. Springer Berlin Heidelberg, 1980. P. 145-219.
(Series Crystals: Growth, Properties, and Applications”: Vol.4).
112.Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников / И.М. Цидиль-
ковский. М.: Наука, 1978. 327 с.
113.Littler C.L. Temperature Dependence of the Energy Gap of InSb Using
Nonlinear Optical Techniques / C.L. Littler, D.G. Seller // Appl. Phys. Lett.
1985. Vol.46, №10. Р.986-988.
114.Fang Z.M. Photoluminescence of InAsBi and InAsSbBi Grown by
Organometallic Vapor Phase Epitaxy / Z.M. Fang, K.Y. Ma, R.M. Cohen,
G.B. Stringfellow // Journal of Applied Physics 1990. Vol.68, №3.
Р.1187-1191.
132
115.Баранский П.И. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов:
справочник / П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. К.: Нау-
кова думка, 1975. 703 с.
116.Колин Н.Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование по-
лупроводников: состояние и перспективы / Н.Г. Колин // Изв. ВУЗов: Фи-
зика. 2003. № 6. С.12-20.
117.Образование радиационных дефектов в InSb при облучении высокоэнер-
гетическими частицами / В.Н. Брудный, И.А. Большакова,
И.В. Каменская, Н.Г. Колин // Proc. of 12th. Intern. Conf. Rad. Phys. and
Chem. Inorg. Mater. (Tomsk, Russia). 2003. Р.235-237.
118.Электрофизические свойтва арсенида индия, облученного быстрыми
нейтронами. Воздействие потоков энергии на материалы / Н.Г. Колин,
В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова // Физика и химия обработки
материалов. 1986. №6 С.3-8.
119.Радиационное дефектообразование в кристаллах InAs при электронном
облучении / Е.Ю. Брайловский, Д.Б. Гоер, Ю.И. Гутич, И.Г. Мегела. K.:
Ин-т ядерних исследований, 1991. − 26 с.
120.Радіаційна модифікація як спосіб стабілізації параметрів In-вмісних напі-
впровідникових матеріалів / І.А.Большакова, Я.Я.Кость, О.Ю.Макідо [та
ін.] // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. 2012. №734.
С. 28-33.
121.Morphology of GaAs homoepltaxial layer grown on (111)A substrate planes
by organometallic vapor phase deposition / S. Fuke, M. Umemura, N. Yamada
[et al.] // Journal of Applied Physics. Vol. 68, No.1 1990. P.97-100.
122.Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ер-
бієм / І.А. Большакова, Я.Я. Кость, Р.В. Луців [та ін.] // Вісник НУ
„Львівська Політехніка”. Електроніка. 2005. №532. С.15-20.
123.The behaviour of InSb under the irradiation with reactor neutrons /
I. Bolshakova, V. Brudnyi, Ya. Kost [et al.] // Вісник НУ Львівська політе-
хніка”. Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки. 2004.
№510. С.56-61.
124.CSD Universal program package for single crystal and/or powder structure
data treatement / Akselrud L.G., Grin Yu.N., Zavalij P.Yu. [et al.] // 12th
European crystallographic meeting: Abstr. of papers. Moscow, Russia,
1989. Vol.3. P.155.
125.Пат. №62990 Україна, МПК С30В 25/00. Спосіб отримання мікрокриста-
лів твердого розчину InXGa1-XAs / Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо
О.Ю., Шуригін Ф.М., Ворошило Г.І., Cтецько Р.М.; Національний універ-
ситет «Львівська політехніка» № u 2010 01935, Заявл. 18.02.2011.
Опубл. 26.09.2011, Бюл. №18 4 с.