Технології формування функціональних шарів виробів електронної техніки та обладнання для їх реалізації : Технологии формирования функциональных слоев изделий электронной техники и оборудования для их реализации

Краткое описание

НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова

На правах рукопису
Темченко Володимир Павлович

УДК 621.315.592; 539.216.2

Технології формування функціональних шарів виробів електронної техніки та обладнання для їх реалізації

05.27.06. технологія,обладнання та виробництво електронної техніки

Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник:
Д. ф.-м. н., професор
Клюй Микола Іванович

Київ 2013 рік

ЗМІСТ
Список скорочень та позначень 5
ВСТУП 6
РОЗДІЛ 1. технології та обладнання для
осадження плівок і шарів ..14
1.1. Особливості методу і конструкцій установок
плазмохімічного осадження плівок 14
1.2. Застосування технології плазмохімічного осадження для формування просвітлюючих вуглецевих плівок20
1.3. Технологія газодетонаційного осадження функціональних шарів 20
1.4. Особливості електродних шарів на основі вуглецю29
1.5. Мета і задачі дослідження..34
Висновки до розділу 1 35
РОЗДІЛ 2. розробка технологічних установок плазмохімічного та газодетонаційного формування функціональних шарів і методи дослідження їх властивостей 35
2.1 Технологія плазмохімічного осадження просвітлюючих, пасивуючих
та захисних покриттів на сонячні елементи на основі кремнію 35
2.1.1. Установка плазмохімічного осадження просвітлюючих плівок35
2.1.2. Особливості процесу плазмохімічного осадження плівок 31
2.2 Розробка технології детонаційного осадження покриттів ...45
2.2.1. Блок-схема установки ГДО 45
2.2.2. Розробка установки детонаційного осадження покриттів47
2.2.3. Система контролю якості покриття 52
2.2.4. Розробка ефективного дозатора подачі порошку 59
2.2.5. Маніпулятор для нанесення покриттів на стрічкову підкладку.. 63
2.3 Оптимізація технології газодетонаційного осадження покриттів на основі ГАП та оксиду алюмінію 64
2.3.1. Вплив відстані від зрізу ГД гармати до зразка на товщину
покриттів на основі ГАП 65
2.3.2. Вплив складу вибухової суміші на товщину покриттів на
основі ГАП 66
2.3.3. Вплив інтенсивності потоку транспортного газу на товщину
покриття на основі ГАП67
2.3.4. Залежність товщини покриття на основі ГАП від часу осадження68
2.3.5. Залежність товщини покриття на основі Al2O3 від часу осадження..70
2.4. Методи дослідження властивостей функціональних шарів72
2.4.1. Спектроскопія комбінаційного розсіювання світла для дослідження шарів на основі кремнію і вуглецю..72
2.4.2. Розробка методики структурних випробувань тонкошарових електродів на основі вуглецю рентгенодифракційним методом.75
2.4.3. Дослідження часу життя неосновних носіїв заряду77
2.4.4. Визначення електрохімічних характеристик
композитних С-Si матеріалів...79
Висновки до розділу 2 80
Розділ 3. Оптимізація технології осадження алмазоподібних вуглецевих плівок74
3.1 Вплив технологічних параметрів процесу осадження алмазоподібних вуглецевих плівок на їх оптичні властивості 74
3.2 Застосування АВП для покращення характеристик сонячних
елементів 80
3.3 Дослідження планарної однорідності алмазоподібних вуглецевих плівок по товщині 83
Висновки до розділу 3 85
Розділ 4. газодетонаційний метод ОСАДЖЕННЯ наноструктурованих шарів 86
4.1 Властивості мікро- та наноструктурованих шарів кремнію, отриманих методом газодетонаційного осадження 86
4.2 Рекомбінаційні характеристики шарів кремнію, отриманих
методом ГДО 95
4.3. Вплив режимів ГДО на товщину шарів кремнію 99
4.4. Дослідження мікро- та наноструктурованих шарів кремнію
методом ЕПР..101
Висновки до розділу 4 104
Розділ 5. розробка технології газодетонаційного ОСАДЖЕННЯ електродних шарів для
енергонакопичуючих приладів105
5.1. Дослідження впливу технологічних параметрів осадження на властивості міжфазових границь електродних шарів та їх інтерфейсу з підкладинкою...105
5.2. Розробка методів модифікації одержаних вуглецьвміщуючих
шарів з використанням активних зовнішніх впливів 109
5.3. Виготовлення та тестування дослідних зразків
енергонакопичуючих приладів 110
Висновки до розділу 5 115
ВИСНОВКИ 116
список використаних джерел ..118
додатки ...131

ПХО

плазмохімічне осадження

ГДО

газодетонаційне осадження

a-C:H

алмазоподібна вуглецева плівка

a-C:H:N

алмазоподібна вуглецева плівка з вмістом азоту

Eg, Eopt

оптична ширина забороненої зони

Iкз

струм короткого замикання

n

показник заломлення

k

коефіцієнт екстинкції

t

час життя неосновних носіїв заряду

Uхх

напруга холостого ходу

АВП

алмазоподібна вуглецева (плівка)

АСМ

атомно-силова мікроскопія

ВАХ

вольт-амперна характеристика

ВЧ

високочастотний

ІЧ

інфрачервоний

к.к.д., h

коефіцієнт корисної дії

КРС

комбінаційне розсіювання світла

СВАХ

світлова ВАХ

СЕ

сонячний елемент

УФ

ультрафіолетовий

ФЛ

фотолюмінесценція

СЕМ

скануюча електронна мікроскопія

Вступ

Актуальність теми. Функціональні шари різного типу (напівпровідникові, діелектричні, металеві) є важливою складовою всіх приладів сучасної електронної техніки та мікроелектроніки. Зрозуміло, що їх властивості багато в чому визначають і властивості приладів, в яких вони використовуються. В зв’язку з цим, розробка технологій формування таких шарів з заданими і прогнозованими властивостями є однією з найважливіших задач сучасного матеріалознавства і напівпровідникової електронної техніки. Зокрема, це стосується розробки нових методів формування кремнієвих шарів для виготовлення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії, або сонячних елементів (СЕ). Відомо, що в значній мірі вартість електричної енергії, яка виробляється напівпровідниковими СЕ, визначається вартістю матеріалу, з якого вироблено СЕ. В зв’язку з цим пошук методів ефективного використання відходів кремнієвого виробництва та виробництва кремнієвих СЕ є важливим з точки зору зменшення кінцевої вартості СЕ. Одним з таких підходів може бути застосування методу газодетонаційного осадження (ГДО) кремнієвих шарів, в якому в якості вихідного матеріалу може застосовуватись дешевий кремнієвий порошок, вироблений з названих вище відходів. Зрозуміло, що в цьому випадку дуже важливим є не тільки розробка і оптимізація технології формування шарів з заданими властивостями, а і розробка та модернізація відповідного технологічного обладнання, що на момент постановки даної роботи зроблено не було.
З іншого боку, вже в технології виробництва СЕ є можливості суттєвого покращення їх характеристик за рахунок застосування функціональних шарів іншого типу так званих просвітлюючих і пасивуючих діелектричних плівок. Серед таких шарів дуже перспективними є так звані алмазоподібні вуглецеві плівки (АВП), властивості яких можуть змінюватись в широких межах при зміні технологічних умов осадження. Останнє визначає необхідність проведення досліджень з метою оптимізації технології їх осадження і отримання шарів з потрібними оптичними властивостями. З іншого боку, дуже висока вартість промислових установок для осадження таких шарів визначає необхідність розробки технологічного обладнання на базі дешевих вітчизняних базових блоків, що дозволить виготовляти недорогі установки необхідні для відпрацювання відповідних технологій. Поєднання обох наведених вище підходів дозволить суттєво знизити вартість енергії, що виробляється кремнієвими СЕ, що є, без сумніву, дуже важливим завданням сучасної напівпровідникової сонячної енергетики. Кремнієві СЕ, в кінцевому результаті, використовуються для виготовлення сончних модулів (СМ) і сонячних батарей (СБ), які, в свою чергу, входять до складу так званих сонячних енергетичних систем (СЕС). СЕС можуть бути стаціонарними або мобільними, але, в будь якому випадку, містять енергонакопичуючі пристрої, як правило акумуляторні батареї (АБ). Відомо, що одними з найкращих серед існуючих є літієві АБ. Для таких АБ, з метою зниження їх вартості, дуже важливою є розробка технологій виготовлення дешевих ефективних електродів. Роботи в цьому напрямку є дуже актуальними та необхідними і для напівпровідникової сонячної енергетики, оскільки дозволять знизити вартість СЕС в цілому.
Необхідність розв’язання названих вище завдань і обумовлює важливість і актуальність даної роботи.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Задачі роботи і її зміст відповідають схваленим Президією НАН України планам наукових досліджень Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. Основні результати роботи отримані в рамках виконання наступних проектів та тем:
- держбюджетна тема Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціонування структур сучасної електроніки” (2007-2011 рр, постанова Бюро ВФА НАНУ від 19.12.2006 р, протокол № 10, № держреєстрації 0107U002258).
- держбюджетна тема Розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т.ч. на основі нових фізичних явищ” (2009-2011 рр, постанова Бюро ВФА НАНУ від 23.09.2008 р, протокол № 6, № держреєстрації 0108U010880).
- проект "Розроблення та вдосконалення методів виготовлення напівпровідникових фотовольтаїчних приладів і створення технології та обладнання для промислової реалізації" відповідно до Державної цільової науково-технічної програми «Створення хіміко-металургійної галузі виробництва чистого кремнію протягом 2009-2012 років», (затвердженої постановою Кабінету Міністрів України від 28.10.09 №1173, відповідно до розпорядження Президії НАН України від 15.04.11 №265, № держреєстрації 0111U606412).
- НДР «Розроблення технології пасивації фронтальної поверхні діодних комірок та технології осадження просвітлюючих покриттів», ДР №477-2, № держреєстрації 0111U010376С).
Мета і завдання дослідження. Метою дисертаційної роботи була розробка технологій і обладнання формування кремнієвих, вуглецевих і композитних шарів для виробництва сонячних елементів і енергонакопичуючих приладів з покращеними характеристиками.
Об’єкт дослідження ─ кремнієві шари, алмазоподібні вуглецеві плівки та сонячні елементи з їх використанням, електродні структури на основі композитів вуглець-кремній.
Предмет дослідження ─ технологічні режими осадження функціональних шарів, властивості та механізми формування кремнієвих, вуглецевих та композитних шарів.
Методи дослідження. Для дослідження фазового складу та структурної досконалості отриманих шарів використовувся метод рентгенівської дифракції. Хімічний склад отриманих шарів визначався методом Оже-електронної спектроскопії. Оптичні властивості плівок вивчались методами комбінаційного розсіяння світла (КРС) та за рахунок вимірювання і аналізу спектрів оптичного пропускання плівок в видимому та ближньому ультрафіолетовому діапазонах. Оптичні константи плівок визначались методом лазерної еліпсометрії. Рельєф поверхні та товщина отриманих шарів визначались методом профілометрії і лазерної еліпсометрії. Для дослідження морфології поверхні і визначення розмірів структурних елементів застосовувався метод скануючої електронної мікроскопії (СЕМ). Параметри кремнієвих сонячних елементів визначались з вимірювання їх вольт-амперних характеристик, а електрохімічні властивості розроблених електродних структур визначались за рахунок вимірювання їх заряд-розрядної ємності.
Відповідно до поставленої мети в роботі вирішувалися такі наукові завдання:
- дослідити властивості кремнієвих шарів, отриманих методом ГДО та провести оптимізацію технологічних режимів їх формування;
- визначити характеристики АВП, отриманих на розробленій установці плазмохімічного осадження, та оптимальні режими для покращення властивостей кремнієвих СЕ за рахунок застосування просвітлюючих і пасивуючих АВП;
- оптимізувати технологію виготовлення електродних структур для літієвих АБ з використанням технології ГДО композитних шарів вуглець-кремній та наступних активних обробок;
- розробити установку плазмохімічного осадження алмазоподібних вуглецевих плівок на базі вітчизняних промислових базових вузлів;
- модернізувати установку газодетонаційного осадження функціональних шарів.
Наукова новизна одержаних результатів:
- Вдосконалено технологію плазмохімічного осадження алмазоподібних вуглецевих плівок та встановлено механізм зміни їх властивостей при зміні основних параметрів технологічного процесу, що дозволило оптимізувати технологічні режими осадження плівок з потрібними властивостями.
- Встановлено, що завдяки осадженню алмазоподібних вуглецевих плівок коефіцієнт корисної дії сонячних елементів на основі мультикристалітного кремнію може бути збільшений в 1,3 рази завдяки зменшенню нефотоактивних втрат на відбивання світла.
- Вперше розроблено газодетонаційну технологію формування кремнієвих шарів для застосування в напівпровідниковій сонячній енергетиці та показано, що отримані шари мають високу адгезію до підкладинки, зберігають структуру вихідного матеріалу та дозволяють на 10-30 % зменшити втрати на відбивання світла навіть без застосування просвітлюючих плівок.
- Вперше запропоновано нову технологію формування електродних структур на основі композитів вуглець-кремній з високими заряд-розрядними характеристиками та високою циклічною стійкістю, яка дозволяє застосовувати розроблені струкутри при при виробництві літієвих акумуляторів з високими експлуатаційними характеристиками. Запропоновано технологію та встановлено механізми модифікації властивостей таких структур активними обробками, що дозволило додатково підвищити заряд-розрядні характеристики розроблених електродів.
Практичне значення одержаних результатів.
1. Розроблена в роботі газодетонаційна технологія технологія осадження кремнієвих шарів дозволить використовувати відходи кремнієвого виробництва і виробництва сонячних елементів і знизити вартість СЕ, виготовлених на основі таких структур.
2. Технологія газодетонаційного формування електродних структур завдяки можливості неперевного осадження дозволяє реалізувати рулонну технологію і, з врахуванням високих електрохімічних характеристик отриманих електродних структур, суттєво знизити вартість енергонакопичуючих приладів з використанням вказаних структур.
3. Розроблені установки та технології плазмохімічного та газодетонаційного осадження шарів можуть бути використані при подальшій розробці відповідного обладнання та технологій промислового призначення.
4. Результати роботи використані при виконанні теми «Розроблення технології пасивації фронтальної поверхні діодних комірок та технології осадження просвітлюючих покриттів», ДР №477-2, № держреєстрації 0111U010376С).
Особистий внесок здобувача. Робота виконана в лабораторії нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії ІФН ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. Основні результати даної дисертаційної роботи були отримані особисто автором і є його особистим науковим внеском.
В роботах, виконаних у співавторстві, особисто Темченку В.П. належать наступні наукові результати:
1. В роботах [1, 3, 5-9, 11-13] ─ виконував осадження фунціональних шарів методом ГДО, проводив корекцію технологічного процесу та оптимізував технологію осадження.
2. В роботах [2, 4] ─ виконував осадження АВП та досліджував їх оптичні властивості.
3. В роботах [14-39] ─ виконував модернізацію установки ГДО, розробляв і виготовляв нові оригінальні блоки.
4. В роботах [1-13] проводив аналіз експериментальних даних.
Темченко В.П. також приймав участь в обговоренні отриманих результатів, підготовці і написанні всіх наукових робіт.
Апробація результатів дисертації. Матеріали дисертаційної роботи апробовано на міжнародних і всеукраїнських конференціях, а саме:
МЕТІТ4, (Кременчук, 2010),
I Міжнародна науково-практична конференція «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка» (НМІТФ-2011) (м.Кременчук; 2011),
8th International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies NN11 (Thessaloniki, Greece, 2011),
V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Ужгород, 2011),
V Міжнародна наукова конференція «Функціональна база наноелектроніки» (Кацивелі 2012),
IX Международная конференция «Фундаментальные проблемы преобразования энергии в литиевых электрохимических системах», Ukrainian-German Symposium on Physics and Chemistry of Nanostructures and on Nanobitechnology (Beregove, 2010).
Публікації. Основні результати дисертаційної роботи опубліковані в 39 друкованих роботах, з яких 6 статей у фахових виданнях, затверджених МОНмолодьспорту України [1-6], 7 у друкованих збірках робіт наукових конференцій [7-13] і 26 патентів [14-39].

Структура та обсяг дисертації. Дисертаційна робота складається зі вступу, п’ятьох розділів, висновків, списку використаних джерел і додатків. Містить 146 сторінок основного тексту (в тому числі 35 сторінок з рисунками), 21 рисунок, 5 таблиць, список використаних джерел зі 126 найменувань, 6 сторінок додатків).

Список литературы

ВИСНОВКИ
1. Проведено систематичний аналіз варіантів конструкції установок плазмохімічного осадження плівок, запропоновано оригінальну конструкцію плазмового реактора ємнісного типу, виготовлено оригінальну лабораторну установку та проведено осадження алмазоподібних вуглецевих плівок на кремнієві підкладинки та сонячні елементи. Вивчено особливості технологічного процесу осадження АВП та показано, що розроблена установка дозволяє отримувати алмазоподібні вуглецеві плівки з високою планарною однорідністю по товщині.
2. Розроблено декілька варіантів конструкції установки газодетонаційного осадження покриттів, захищених патентами, запропоновано ряд оригінальних блоків і вузлів. Відпрацьовано і оптимізовано технологію ГДО покриттів різного типу, включаючи напівпровідникові і керамічні. Визначено оптимальні технологічні режими формування таких шарів.
3. Встановлено, що при зміні параметрів технологічного процесу осадження АВП можна отримати плівки з показником заломлення від 1,54 до 2,15 придатні для використання в якості захисних і просвітлюючих покриттів для сонячних елементів на основі кремнію. Запропоновано механізми зміни властивостей АВП при зміні потужності ВЧ розряду і вмісту азоту в плазмі.
4. Виявлено, що завдяки осадженню АВП к.к.д. СЕ на основі мультикристалітного кремнію можна збільшити практично в 1,3 рази незважаючи на те, що для непросвітлених мультикристалітних СЕ втрати на відбивання світла є суттєво меншими ніж для полірованого монокристалічного кремнію.
5. Вперше показана перспективність застосування АВП з низьким показником заломлення для просвітлення контактних шарів в тонкоплівкових сонячних елементах, та встановлено, що це дозволяє збільшити пропускання структур на основі ZnO(Al) в 1,1 рази.
6. Вперше встановлено, що метод ГДО дозволяє отримати кремнієві шари на металевих підкладинках з високою адгезією. При цьому структура отриманих шарів близька до структури вихідного порошку. За рахунок використання мікро- та нано-структурованого вихідного порошку кремнію поверхня отриманого покриття є розвиненою, що дозволяє різко зменшити втрати на відбивання світла в області фоточутливосі СЕ. Висока продуктивність методу ГДО, поряд з наведеними вище характеристиками отриманих шарів кремнію, робить його перспективним для застосування в сучасній кремнієвій сонячній енергетиці.
7. Вперше запропоновано технологію формування шарів на основі композитів вуглець-кремній для електродних структур сучасних енергонакопичуючих приладів. Встановлено, що запропонована технологія ГДО дозволяє отримувати електродні шари з високими електрохімічними характеристиками (електрохімічна ємність вище 1000 мАгод/г) та високою циклічною стійкістю (збереження ємності на рівні 1200 мАгод/г при 200 циклах заряд-розряд).

список використаних джерел

1. Х. Ясуда. Полимеризация в плазме. / Пер.с анг. М.: Мир.- 1988. 376 с.
2. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок./ Данилин Б.С. - М: Энергоиздат.- 1989.- 287 с.
3. Zhang J.Y. Efficient XeI* excimer ultraviolet sources from a dielectric barrier discharge / J.Y. Zhang, I. W. Boyd // J. Appl. Phys.- 1998.-V. 84.- P.11741178.
4. X. Redondas X. Photochemical vapour deposition of hydrogenated amorphous siliconcarbon thin films by using a Xe2* excimer lamp / X. Redondas, P. Gonzalez, S. Chiussi et al. // Appl. Sur. Sci. - 1996.- V. 106.- P. 5559.
5. Redondas X. Amor Dependence on the C2H4 and SiH4 gas mixture of the SiC film properties obtained by excimer lamp chemical vapour deposition / X. Redondas, P. Gonzalez, B. Leon et al. // Surface and Coating Technology. 1998. -V.100101.- P. 160163.
6. Redondas X. Amor Influence of the substrate temperature on siliconcarbon thin films deposited from SiH4 and C2H2 by excimer lampCVD / X. Redondas, P. Gonzalez, B. Leon et al. // Thin Solid Films. 1998.-V. 317. P.112115.
7. Zhang J.Y. Thin tantalum pentoxide films deposited by photoinduced CVD / J.Y. Zhang, B. Lim, I. W. Boyd // Thin Solid Films. 1998.- V. 336.- P. 340343.
8. Zhang J.Y. Deposition and annealing of tantalum pentoxide films using 172 nm excimer lamp / J.Y. Zhang, B. Lim, I. W. Boyd // Appl. Sur. Sci.- 2000.- V.154‑155.- P.382386.
9. Zhang J.Y. Formation of high quality tantalum oxide thin films at 400OC by 172 nm radiation / J.Y. Zhang, LiJian Bie, I. W. Boyd // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-V.37. P.L27L29.
10. Zhang J.Y. Photo-deposition of tantalum pentoxide film using 222 nm excimer lamps / J.Y. Zhang, B. Hopp, Z. Geretovszky et al. // Appl. Sur. Sci. 2000.- V.168. P. 307311.
11. Kurosawa K. Silica film preparation by chemical vapor deposition using vacuum ultraviolet excimer lamps / K. Kurosawa, N. Takezoe, H. Yanagida et al. // Appl. Sur. Sci.- 2000.-V. 168.- P. 3740.
12. Fang Q. Characterisation of HfO2 deposited by photo-induced chemical vapour deposition / Q. Fang, J.Y. Zhang, Z. M. Wang et al. // Thin Solid Films. 2003.-V.427.- P.391396.
13. Klyui N.I. Silicon solar cells with antireflection diamond-like carbon and silicon carbide films / N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, A.G. Rozhin et al. // Solar Energy Materials & Solar Cells.-2002.- V.72 P. 597-603.
14. Evtukh A.A. Field emission properties of doped DLC and SiC films / A.A. Evtukh, V.G. Litovchenko, N.I. Klyui et al. // Phys. Low-Dim. Struct.-2002/-V. 3/4.- P. 87-97.
15. N.I. Klyui, O.B. Korneta, V.G. Litovchenko, A.V. Makarov, L.V. Neselevska, V.N. Dikusha et al. Improvement of degradation stability of diamond-like carbon films by nitrogen doping / N.I. Klyui, O.B. Korneta, V.G. Litovchenko et al. // Proceed. of Priborinform-2002 Int. conf., Sevastopol, 2002.
16. Makara V.A. Porous silicon photoluminescence modification by surface treatments and impregnation of carbon based nanoclusters / V.A. Makara, N.I. Klyui, A.G. Rozhin et al.// Phys. Stat. Sol.- 2003/- V.197(2).- P.355-359.
17. Morosoff N. Plasma polymerization of ethylene by magnetron discharge. / N. Morosoff, W. Newton, H. Vasuda. // J. Vac. Sci. Technol.- 1978.-V.15, N6.-P.1815-1823.
18. Kobayashi H. Effects of Reaction Conditions on the Plasma Polymerization of Ethylene. / H. Kobayashi, M. Shen, A.T. Bell // J.Macromol. Sci. A Chem.- 1974.-V.8, N2.-P. 373-391.
19. Kobayashi H. Effects of Monomer Flow Rate, Flow Configuration, and Reactor Geometry on the Rate of Plasma Polymerization. / H. Kobayashi, A.T. Bell, M. Shen. // J.Macromol. Sci.- 1976.-V.10, N3.-P.491-500.
20. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. / Данилин Б.С.-М: Энергоиздат, 1989.- 229 c.
21. Zhao J. Optimized antireflection coating for high-efficiency silicon solar cells / J Zhao, Martin A. Green // IEEE Transactions on Electron Devices.-1991.- V.38, №8.-P.1925-1934.
22. Оптические свойства полупроводников. / Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. К.: Наукова думка, 1987. 608 с.
23. Nijis J. Modern Technologies for Polycrystalline Silicon Solar Cells / J. Nijis, S. Sivoththaman, J. Szlufcik J. et. al. // Solid State Phenomena.- 1996.- V.51-52.- P.461-472.24. Lipinski M. Optimisation of SiNx:H layer for multicrystalline silicon solar cells / M. Lipinski, P. Zieba, S. Jonas. et. al.// Opto-Electronics Review.-2004.-V. 12(1).- P. 4144.
25. Moravec T.J. The development of diamond-like (i-carbon) thin films as antireflecting coatings for silicon solar cells / T.J. Moravec, J.C Lee // J.Vac.Sci.Technol.- 1982.- V.20, №3.-P.338-340.
26. Semenovich V.A. Compositional Modulated DLC Films for Improvement of Solar Cell Efficiency and Radiation Stability / V.A. Semenovich, N.I. Klyui, V.P Kostylyov et. al. // Journal of CVD.- 1997.- V.5, № 3.- P. 213-219.27. Клюй Н. И. Применение алмазоподобных пленок углерода как защитных и просветляющих покрытий для солнечных элементов на основе Si / Н.И. Клюй, В.Г. Литовченко, С.И. Фролов и др. // Функциональные материалы. -1995.- T.2, № 4.- С.464-468.28. Klyui Nickolai I. Improvement of solar cells efficiency and radiation stability by deposition of diamond-like carbon films./ Nickolai I. Klyui, Anatoliy N. Lukyanov, Volodymyr B. Lozinskii et. al. // World Renewable Energy Congress 2011 Sweden, 8-11 May 2011, Linköping, Sweden. P. 27872794.
29.Litovchenko V.G. Solar Cells Based on DLC Film Si Structures for Space Application / V.G.Litovchenko. N.I. Klyui // Solar Energy Materials & Solar Cells.- 2001.-V. 68, N.1.-P. 55-70.
30. Klyui N.I. Silicon solar cells with antireflection diamond-like carbon and silicon carbide films / N.I. Klyui,V.G.Litovchenko, A.G. Rozhin et. al. // Solar Energy Materials & Solar Cells.- 2002.- V.72.- P.597-603.
31. Franceschini D. F. Structural modifications in a-C:H films doped and implanted with nitrogen / D. F. Franceschini, С. A. Achete, F. L. Freire et al. // Diamond and Related Materials.- 1993.- N 3.- P. 88-93.
32. Klyui N.I. Intensive Visible Photoluminescence of a-C:H:N Films./ N.I. Klyui, Yu.P. Piryatinskii, V.A. Semenovich // Mater. Letters.- 1998.- V.35.- P. 334-338.
33. Litovchenko V. G. Solar cells on base of DLC films Si heterostructure for space application / V.G. Litovchenko, N.I. Klyui, A.V. Romanyuk et al. // Proceedings of 2nd World Conf. And Exhibition on Photovolataic Solar Energy Conversion.- Vienna, Austria.- 1998.- P.3715-3718/
34. Теория и практика нанесения защитных покрытий / Под ред. Витязь П.А. М.: Наука. 1998. 353 c.
35. Хасуй А. Техника напыления / Пер. с японського. М.: Машиностроение. 1975. 288 с.
36. Шоршоров М.Х. Физико-химические основы детонационно-газового напыления покрытий / М.Х. Шоршоров, Ю.А. Харламов. М.: Наука. 1978.223 с.
37. Линник В.А. Современная техника газотермического нанесении покрытий / В.А. Линник, П.Ю. Пекшев. М.: Машиностроение. 1985. 85 с.
38. Дубовой А.Н. Технология нанесения газотермических порошковых покрытий / А.Н. Дубовой, Э.Б. Хачатуров, С.А. Лой. Николаев: НКИ. 1986. 43 с.
39. Хасуй А. Наплавка и напыление. / A.Хасуй, O.Моригаки. М.: Машиностроение. 1985.240 c.
40. Poorman R.M. Method and Apparatus Utilizing Detonation Waves for Spraying and other Purposes. / R. M. Poorman, H.B. Sargent, H. Lamprey. // US Patent No. 2714563, Aug. 2, 1955.
41. John F. Pelton. Flame Plating Using Detonation Reactants. / John F. Pelton // US Patent No. 2972550, May 28, 1958.
42. Bartenev S.S. Detonation Coatings in Machinery Building / S.S Bartenev, Yu.P Fedko, A.I. Grigorov. Leningrad: Mashinostroenie, Leningrad section, 1982.
43. Nikolaev Yu.A. Gas Detonation and its Application in Engineering and Technologies (Review) / Yu.A. Nikolaev, A.A. Vasiliev, V.Yu. Ulianitsky // Combustion, Explosion, and Shock Waves.- 2003 V. 39, N. 4.- P. 382-410.
44. Zlobin S.B. Comparative Analysis of Nanostructured and Microstructured Cermet Detonation Coatings / S.B. Zlobin, V.Yu. Ulianitsky, A.A. Shtertser // Uprochnayushie Technologii I Pokrytia.- 2009.- N.3.- P. 3-11.
45. Roy G.D. Pulse detonation propulsion: challenges, current status, and future perspective. / G.D. Roy, S.M. Frolov, A.A. Borisov et al. // Progress in Energy and Combustion Science.- 2004.- V.30.-P. 545672.
46. Singh L. A Review on Detonation Gun Sprayed Coatings. / L. Singh, V. Chawla, J.S. Grewal // Journal of Minerals & Materials Characterization & Engineering.-2012.- V. 11, N.3.-P.243-265.
47. Radulescu M.I. An experimental investigation of the direct initiation of cylindrical detonations. / M.I. Radulescu, A.J. Higgins, S.B. Murray et al. // J. Fluid Mech.-2003.- V. 480.- P. 1-24.
48. Regele J.D. Effects of high activation energies on acoustic timescale detonation initiation./ J.D. Regele, D.R. Kassoy and O.V. Vasilyev // Combustion Theory and Modelling I First.- 2012.-V.205.- P.129.
49. Hao Du Influence of process variables on the qualities of detonation gun sprayed WC-Co coatings / Du Hao, Hua Weigang, Liu Jiangang et al. // Materials Science and Engineering: A.-2005.- V. 408, N. 1-2.-P. 202-210.
50 Tie-Gang Wang Design of separation device used in detonation gun spraying system and its effects on the performance of WC-Co coatings / Wang Tie-Gang, Zhao Sheng-Sheng, Hua Wei-Gang et al. // Surface and Coatings Technology.-2009.- V.203, N.12.- P 1637-1644.
51. H. Kim, M.C. Kim, C.G. Park. Evaluation of functionally graded thermal barrier coatings fabricated by detonation gun spray technique. / H. Kim, M.C. Kim, C.G. Park // Surf. Coat. Technol.- 2003.-V.168, N2-3.-P.275-280.
52. Tyurin Yu. N. Advances in the development of detonation technologies and equipment for coating deposition. / Yu. N. Tyurin, A.D. Pogrebnjak // Surf. Coat. Technol.- 2003.-V.111, N2-3.-P. 269-275.
53. Клюй М.І. Властивості мікро- та наноструктурованих шарів кремнію, отриманих методом газодетонаційного осадження / М.І. Клюй, В.П. Темченко, А.В. Макаров та ін. // Технічна електродинаміка.- 2012. Тематичний випуск, частина 2. - С. 198-203.
54. Ulianitsky V. Yu. Use of gas detonation for coating deposition: detonation spraying. / V. Yu. Ulianitsky, A.A. Shtertser, S.B. Zlobin // EPNM -2010. www.ism.ac.ru/events/EPNM2010/.
55. Zlobin S.B. Comparative Analysis of Nanostructured and Microstructured Cermet Detonation Coatings / S.B. Zlobin, V.Yu. Ulianitsky, A.A. Shtertser // Uprochnayushie Technologii I Pokrytia.- 2009.- N. 3.- P. 3-11.
56. Semenov Sergey Y. Experiments and modeling of the deposition of nano-structured aluminatitania coatings by detonation waves. / Sergey Y. Semenov, Baki M. Cetegen // Materials Science and Engineering.- 2002.-N.A335.- P.6781.
57. Alkhimov A.P. Particle Impingement Angle Influence on Nature of Interaction with Obstacle. / A.P. Alkhimov, V.F. Kosarev, S.V. Klinkov. // International Conference on Methods of Aerophysical Research, ICMAR 2008, Section V, P.1-6.
58. Лисников В.Н. Плазменное напыление покрытий в производстве изделий в электронной технике / В.Н. Лисников, В.С. Украинский, Г.Ф. Богатырев. Саратов: СГУ. 1985. 132 с.
59. Кудинов В.В. Напыление плазмой тугоплавких покрытий / В.В. Кудинов, В.М. Иванов. М.: Машиностроение. 1981. 192 с.
60. Nazri G.A. Lithium Batteries / G.A. Nazri, G. Pistoia.- Boston: Science and Technology Kluwer Academic Publishers, 2003.-227 p.
61. Tarascon J.-M. Issues and Challenges Facing Rechargeable Lithium Batteries./ J.-M. Tarascon, M.Armand // Nature .- 2001.- V. 414.- P. 359367.
62. Winter M. Insertion Electrode Materials for Rechargeable Lithium Batteries (Review Paper). / M. Winter, J. O. Besenhard, M. E. Spahr et al. // Advanced Materials.-1998. - V. 10.- P. 725-763.
63. Fabio La Manta Characterization of Electrodes for Lithium-Ion Batteries through Electrochemical Impedance Spectroscopy and Mass Spectrometry. // Abhandlung zur Erlangung des Titels Doctor der Wissenschaften der ETH Zurich.- Diss. ETH Nr. 17848, 2008, 164 p.
64. Yoshimoto Yoshikato Graphite intercalation compound electrodes for rechargable batteries and a method for the manufacture of the same. / Yoshikato Yoshimoto, Tomonari Suzuki, Hiroshi Wada et.al. // US Patent No4,863,818, Date of patent Sep. 5, 1989.
65. Ohzuku T. Zero starin insertion material of Li[Li1/3Ti5/3]O4 for rechargable lithium cells / T. Ohzuku, A. Ueda, N. Yamamoto // J. Electrochem. Soc.- 1995.- V.142.-P.1431-1435.
66. Nesper R. Structure and Chemical Bonding in Zintl-phases Containing Prog./ R. Nesper // Solid State Chem.-1990.- V. 20.-P. 1-45
67. Besenhard J.O. Small particle size multiphase Li-alloy anodes for lithium-ion batteries / J.O. Besenhard, J. Yang, M. Winter // J. Power Sources.- 1997.- V. 68.- P. 87-90.
68. Yang J. Small particle size multiphase Li-alloy anodes for lithium-ionbatteries. / J. Yang, M. Winter, J.O. Besenhard // Solid State Ionics.- 1996.-V.90, N1-4.-P281-287.
69. Nesper R. Bonding Patterns in Intermetallic Compounds Angew./ R. Nesper // Chem.-Int. Edit. Engl.-1991.- V 30 .- P.789-817.
70. Wang C.S. Lithium insertion in carbon-silicon composite materials produced by mechanical milling. / C.S. Wang, G.T. Wu, X.B. Zhang et.al. // J. Electrochem. Soc.- 1998.- V. 145, N8.-P. 2751-2758.
71. Liu Y. Silicon/carbon composites as anode materials for Li-ion batteries./ Y.Liu, K.Hanai, J.Yang et.al.// Electrochemical and Solid State Letters.- 2004.-V.7, N10.- P A369-A372.
72. Wu Y.N. Oxidation behavior of thermal barrier coatings obtained by detonation spraying / Y.N. Wu, F.H. Wang, W.G. Hua et.al.// Surface and Coatings Technology.-2003.- V. 166.- P.189-194.
73. Cetegen Baki M. Deposition of multi-lauered alymina-titania coatinqs by detonation waves./ Baki M. Cetegen, Sergey Y. Semenov, Daniel Goberman // Scripta Materialia.-2003.- V. 48.- P.1483-1488.
74. Shembel E. Properties of composite Si-doped carbon electrodes deposited by gas detonation method. / E.Shembel, I.Maksyuta, N.Klyui et.al. // Materials of 10th International Ceramics Congress & Forum on New Materials (3rd International Conference Diamond and other carbon materials”), Florence, Italy, July 14-18, 2002.
75. Klyui N.I. Micro-structured silicon and carbon-based electrodes for electrochemical applications. / N.I.Klyui, M.Ya.Valakh, E.S.Yefanov et.al. // Materials of EMRS-2002 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 18-21, 2002.
76. Kang B. Battery Materials for Ultrafast Charging and Discharging. / B. Kang, G. Ceder // Nature.- 2009.-V.458.-P. 190 193.
77. Herle, P. S. Nano-Network Electronic Conduction in Iron and Nickel Olivine Phosphates. / P.S. Herle, B. Ellis, N. Coombs et.al. // Nat. Mater.- 2004.- V.3.- P.147 152.
78. Chan K. C. High Capacity Li Ion Battery Anodes Using Ge Nanowires. / K.C. Chan, X.F. Zhang, Y. Cui // Nano Lett.- 2008.- V.8. P.307 309.
79. El-Kady M.F. Laser Scribing of High-Performance and Flexible Graphene-Based Electrochemical Capacitors. / M.F. El-Kady, V. Strong, S. Dubin, R.B. Kaner // Science.- 2012. V. 335. P.1326 1330.
80. Клюй М.І. Особливості технології фотостимульованого осадження тонких алмазоподібних вуглецевих плівок / М.І. Клюй, А.М. Лук’янов, В.П. Темченко та ін. // Фізика і хімія твердого тіла. 2006. Т. 7, №1. С.67 71.
81. Звіт по темі Moдульна установка плазмово-фотостимульованого формування плівок з надтвердих матеріалів”. Програма НДР, які виконувались установами НАН України для національного науково-технічного центру наукового приладобудування”. № держреєстрації 0101U004340, 2003.
82. Звіт по проекту «Розробка базового технологічного маршруту виготовлення кремнієвих фотоелектричних перетворювачів та сонячних модулів на їх основі. Створення базових робочих місць експериментально-технологічної бази для виготовлення експериментальних зразків кремнієвих сонячних елементів та сонячних модулів на їх основі. Монтаж та випробовування базового технологічного устаткування» (№ держреєстрації: 0110U005719), Київ, 2010.
83 Кучеренко Е.Т. Справочник по физическим основам вакуумной техники. / Е.Т. Кучеренко.- К.: «Вища школа».-1981.- 264 с.
84. Балдаев Л.Х. Разработка материалов защитных покрытий и технологии их плазменного нанесения на лопатки газотурбинных установок / Балдаев Л.Х. // Автореферат диссертации на соискание учен. степени к. т. н., М.:1989. 17с.
85. Кудинов В.В. Нанесение плазмой тугоплавких покрытий. / В.В. Кудинов, В.М. Іванов. М.: Машиностроение.- 1981. 192 с.
86. Клименко В.С. Экранирующее устройство в детонационной установке для напыления покрытий / В.С. Клименко, В.П. Темченко, В.Г. Скадин // Авторское свид. СССР №1078715, зарег. 8 ноября 1983.
87. Клименко В. С. Устройство для ввода порошка в ствол детонационной установки. / В. С. Клименко, В. Г. Скадин // Авторское свидетельство СССР № Р 438215, зарег. 30 марта 1983.

88. Клименко В.С. Ствол детонационной установки. / В. С. Клименко, В. Г. Скадин, А. Г. Погорилый и др. // Авторское свидетельство СССР № Р 605361, зарег. 7 июня 1983.
89. Зверев А.И. Детонационное напиление покрытий / Зверев А.И. Л.: Судостроение. - 1979. 165 с.
90. Пичугин Ю. И. Порошковый питатель. / Ю. И. Пичугин // Авторское свидетельство СССР №996511, кл. С 23 С 7/00 198, Опубликовано: 15.02.1983.
91. Klyui M.I. Properties of the hydroxyapatite coatings obtained by gas-detonation deposition onto titanium substrates / M.I. Klyui, V.P. Temchenko, A.P. Gryshkov et.al. // Functional Materials. 2011. V.18, N 3. P.285292.
92. Klyui M.I. Raman and ESR study of gas detonation deposited hydroxyapatite coatings / M.I. Klyui, V.P. Temchenko, V.M. Dzhagan et.al. // Functional Materials. 2009. V.16, N3. P.306312.
93. Клюй М.І. Мультидзеркальна фасеточна концентраторна установка / М.І. Клюй, А.В. Макаров, В.П. Темченко та ін. // Прикладная радиоэлектроника. 2012.− Том 11, №3.- С. 384-389.
94. Robertson J. Amorphous carbon / J. Robertson // Advances in Physics. - 1986. - V. 35, № 4. - P. 317-374.
95. Luo J.K. Diamond and diamond-like carbon MEMS / J.K. Luo, Y.Q. Fu, H.R. Le et.al