Алтухов Андрей Александрович. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии :



  • Название:
  • Алтухов Андрей Александрович. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  • Кол-во страниц:
  • 200
  • ВУЗ:
  • Москва
  • Год защиты:
  • 2005
  • Краткое описание:
  • Алтухов Андрей Александрович. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06, 05.11.14 Москва, 2005 174 с. РГБ ОД, 61:05-5/3835
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 230.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины