Степушкин Михаил Владимирович Технология создания квазиодномерных наноструктур с регулируемым продольным потенциальным рельефом

Краткое описание

Степушкин Михаил Владимирович Технология создания квазиодномерных наноструктур с регулируемым продольным потенциальным рельефом
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Степушкин Михаил Владимирович
Введение

1. Создание структур с двумерным электронным газом

1.1. Наиболее распространенные типы наноструктур

1.2. Устройство гетероструктуры с ДЭГ

2. Технологические операции при изготовлении образцов

2.1. Выращивание

2.2. Оптическая литография

2.3. Влияние освежения

2.4. Очистка водородом

2.5. Влияние совмещения слоев

2.6. Изготовление контактов к полупроводникам

2.6.1. Вплавляемый индиевый контакт

2.6.2. Механизм формирования контакта Ni/Ge/Au

2.6.3. Описание установки вакуум-термического напыления

2.6.4. Контакт Pd/Ge/Au

2.6.5. Изготовление контактов Ni/Ge/Au

2.6.6. Вжигание

2.7. Заключение

3. Нанолитография

3.1. Локальное анодное окисление

3.2. Импульсная силовая нанолитография

3.3. Заключение

4. Измерение характеристик образцов

4.1. Измерение параметров пластины

4.2. Измерения методом передающей линии

4.2.1. Измеренные характеристики

4.3. Измерение характеристик рабочих структур

4.3.1. Описание измерительной установки

4.3.2. Характеристики «мелких» структур

4.3.3. Характеристики «глубоких» структур

4.4. Заключение

5. Анизотропия контакта

5.1. Моделирование пьезоэффекта в полевом транзисторе

5.2. Моделирование пьезоэффекта в гетероструктуре

5.3. Заключение

Основные результаты и выводы

Список использованных источников

Приложение А — скрипт, используемый для анализа характеристик