Морозов Иван Александрович Физико-технологические основы процессов микроструктурирования для создания вертикально-ориентированных фотопреобразовательных структур на основе кремния

Краткое описание

Морозов Иван Александрович Физико-технологические основы процессов микроструктурирования для создания вертикально-ориентированных фотопреобразовательных структур на основе кремния
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Морозов Иван Александрович
ВВЕДЕНИЕ

1 ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 История солнечных элементов

1.2 Современное состояние

1.3 Обзор солнечных элементов на основе микроструктурированных кремниевых структур

1.4 Плазмохимическое травление

1.5 Основные процессы, происходящие в плазме

1.6 Типы плазмохимического травления

1.7 Заключение главы

2 ГЛАВА 2. Эксперименты и методы

2.1 Плазмохимическое травление

2.2 Плазмохимическое осаждение

2.3 Осаждение контактов

2.4 Измерение спектральных зависимостей

2.5 Установка для измерения ВАХ

2.6 Измерение полного отражения

2.7 Установка нанесения резиста

2.8 РЭМ исследования

2.9 Определение времени жизни неосновных носителей заряда методом квазистационарной фотопроводимости

3 ГЛАВА 3. Фотопреобразовательные структуры на основе нановолокон полученных с использованием металл-стимулированного химического травления кремния

3.1 Подготовка и травление волокон

3.2 Метод циклического осаждения кремния

3.3 Формирование верхнего контакта

3.4 Фотоэлектрические свойства

3.5 Моделирование влияния геометрии кремниевых волокон и поверхностных состояний на квантовую эффективность фотопребразовательных структур

3.6 Заключение главы

4 ГЛАВА 4. Фотопреобразовательные структуры на основе вертикально -ориентированных структур на кремнии, полученных сухим плазмохимическим травлением при температурах близких к комнатным

4.1 Наносферная литография

4.2 Разработка технологии сухого плазмохимического травления кремния

4.3 Хлорное травление кремния

4.4 Фторное травление кремния

4.5 Фотоэлектрические свойства нижнего перехода a-Si:H/SiNWs

4.6 Фотоэлектрические свойства верхнего перехода a-Si:H/SiNWs

4.7 Исследование спектральных характеристик двухпереходных солнечных элементов

5 ГЛАВА 5. Фотопреобразовательные структуры на основе вертикально-ориентированных структур на кремнии, полученных сухим плазмохимическим травлением при криогенных температурах

5.1 Криогенное травление под маской из латексных сфер

5.2 Криогенное травление под жёсткой металлической маской

5.3 Криогенной травление вертикально-ориентированных структур под жёсткой маской из оксида кремния

5.4 Наносферная литография 0. 9 мкм по оксиду кремния

5.5 Наносферная литография 2 мкм по оксиду кремния

5.6 Травление маски из латексных сфер в кислороде

5.7 Травление оксида кремния в CF4

5.8 Криогенное травление кремния под маской из SiO2 протравленным в CF4

5.9 Травление оксида кремния в CHF3

5.10 Криогенное травление кремния под маской из SiO2 протравленным в CHF3

5.11 Измерение спектров коэффициента отражения

5.12 Заключение главы

6 Глава 6 Исследование влияния травления на времена жизни неосновных носителей в подложках кремния

6.1 Определение условий химической обработки поверхности

6.2 Измерение времени жизни ННЗ методом квазистационарной фотопроводимости

7 Заключение

8 Список сокращений и условных обозначений

9 Список литературы

10 СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

11 Приложение

12 Приложение