Спивак Юлия Михайловна Атомно-молекулярный дизайн наноструктурированных материалов и нанокомпозиций. Синтез, контроль технологии, свойства и применение

Краткое описание

Спивак Юлия Михайловна Атомно-молекулярный дизайн наноструктурированных материалов и нанокомпозиций. Синтез, контроль технологии, свойства и применение

ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

доктор наук Спивак Юлия Михайловна

Введение

Глава 1. Принципы управления архитектоникой и сенсибилизацией наноструктурированных слоев на основе халькогенидов свинца и их твердых растворов для ИК оптоэлектроники

1.1. Особенности поликристаллических халькогенидов свинца для приборов ИК-оптоэлектроники, оперирующей без охлаждения

1.2. Технология получения фотоприемных и излучающих структур на основе поликристаллических халькогенидов свинца

1.3. Разработка методик диагностики контроля атомно-молекулярного дизайна фотоприемных и излучающих структур на примере основе наноструктурированных слоев PbSe и PbCdSe, легированных йодом

1.3.1. Комбинация АСМ, ЛСМ и «плоуинг»- литографии для изучения морфологии и микроструктуры наноструктурированных слоев халькогенидов свинца

1.3.2. Методика определения типа проводимости зерен гетероэпитаксиальных слоев халькогенидов свинца комбинацией химической обработки, SSRM и ЛТС

1.3.3. Метрологические возможности определения фазового состава оксидного покрытия комбинацией SSRM и ЛТС

1.4. Развитие модельных представлений об образовании пористой внутризеренной архитектоники для фотоприемников и излучателей ИК-диапазона

Выводы к главе

Глава 2. Принципы новой метрологии для анализа рельефа в нанометровом диапазоне (на примере к создания метрологического образца PbTe)

2.1. Особенности проведения АСМ исследований материалов с низкими значениями констант жесткости

2.2. Анализ возможных механизмов релаксации механических напряжений, возникающих на интерфейсе «слой-подложка» в гетероэпитаксиальных слоях PbX-on-Si (111)

2.3. Реализация калибровочных образцов на примере гетероэпитаксиальных слоев PbTe (111)-on-Si со ступенчатым характером поверхности

2.4. Анализ роста и дефектообразования в гетероэпитаксиальных слоях PbTe/BaF2

2.4.1. Развитие модельных представлений о природе возникновения дефектов типа микрополости в PbTe/BaF2

2.4.2. Активизация скольжения в PbTe/BaF2

2.5. Методика исследования напряженных областей в затворах pHEMT

2.5.1. pHEMT транзисторы: структура и технология получения

2.5.2. Атомно-силовая микроскопия pHEMT транзисторов

Выводы к главе

Глава 3. Особенности диагностики токопротекания в локальных областях в материалах с низкими константами упругости

3.1. Особенности реальных интерфейсов фотодиодов Шоттки при их исследовании методами АСМ

3.2. Формирование систем изолированных островковых контактов для исследования реальных интерфейсов фотодиодов Шоттки с высокой латеральной локальностью

3.3. Разработка методики построения вольт-амперных характеристик в материалах с низкими значениями констант упругости

3.3.1. Моделирование распределения поля и оценка нагрева в системе зонд АСМ- халькогенид свинца

3.3.2. Комбинированный способ построения локальных ВАХ

3.4. Методики диагностики эволюции каналов протекания тока и выявления локальных областей с аномальным характером протекания тока в фотодиодных приборных структурах In/PbTe-on-Si

3.4.1. Методика оценки эволюции каналов протекания тока при вариации напряжения

3.4.2. Методика выделения шунтов и локальных областей с особенностями токопрохождения

3.4.3. Методика оценки эволюции каналов протекания тока при вариации напряжения

Выводы к главе

Глава 4. Разработка зондов АСМ с управляемыми по электрофизическим свойствам функциональным покрытием

4.1. Контроль процессов сборки и характеризация полианилина методами АСМ

4.1.1. Особенности процессов сборки полианилина с глобулярной

структурой по данным АСМ

4.1.2. Особенности процессов сборки полианилина с глобулярной структурой по данным АСМ

4.2. Методики синтеза ПАНИ-покрытий на острие зондов АСМ

4.3. Исследование возможности изменения электрофизических свойств зондов АСМ, функционализированных ПАНИ

4.3.1. Характеризация локализации покрытия ПАНИ на зондах АСМ

при применении разных окислителей

4.3.2. Контроль изменения формы острия зонда после ПАНИ-функционализации

4.4. Исследование возможности изменения электрофизических свойств зондов АСМ, функционализированных ПАНИ

Выводы к главе

Глава 5 Электрохимический дизайн иерархических пористых структур на примере пористого кремния и подходы к диагностике и дизайну адсорбционных центров на поверхности пористого кремния

5.1. Возможности создания различных типов пористых матриц на основе пористого кремния

5.2 Возможности дизайна пористой текстуры рог^ с помощью плотности тока анодирования

5.2.1. Влияние плотности тока анодирования на характер распространения канало пор при формировании рог-81

5.2.2. Варьирование плотности тока анодирования для получения пористого кремния 2-х стадийным электрохимическим травлением

5.2.3. Модификация текстуры рог^ с помощью плотности тока анодирования на втором этапе анодирования

5.3. Состав адсорбционных центров на поверхности рог-81 и исследование возможности управления составом с помощью плотности тока анодирования

5.3.1. Исследование возможности управления составом адсорбционных центров на поверхности пористого кремния технологическими режимами (плотность тока анодирования)

5.3.2. Состав поверхности пористого кремния в зависимости от условий получения по данным отражательной ИК-спектроскопии

5.4. Разработка новой методики диагностики локального распределения адсорбционных центров на основе атомно-силовой микроскопии

5.4.1. Апробация предложенной методики характеризации локального распределения адсорбционных центров

5.5. Исследование слоев por-Si методом рентгеновской дифрактометрии для тонких пленок (Метод геометрии скользящего луча)

5.6. Получение матриц рог^ с градиентом параметров пористой текстуры в латеральном направлении

5.6.1. Методика фотоэлектрохимического травления в однокамерной электрохимической ячейке с возможностью облучения анодной стороны пластины

5.6.2. Исследование морфологии и структуры слоев рог^, полученного методом фото-ЭХТ

Выводы к главе

Глава 6. Гибридные нанокомпозиты на основе иерархических пористых структур кремния

6.1. Нанокомпозиционные материалы на основе пористого кремния

6.2. Нанокомпозиционные материалы на основе пористого кремния и серебра

6.2.1. Поверхность рог^ как фактор, определяющий характер сборки кластеров серебра при его электрохимическом осаждении

6.2.2. Мультифотонная микроскопия для характеризации композиций por-Si/Ag

6.3. Никельсодержащие композиции на основе пористого кремния для сенсорики

6.3.1. Спектроскопия импеданса пористого кремния с иерархическим типом пористой текстуры

6.3.2. Спектроскопия импеданса никель-содержащего пористого кремния с иерархическим типом пористой текстуры

6.4. Инкорпорирование пористого кремния с иерархическим строением несколькими металлами одновременно с применением фуллеренолов как несущих агентов

6.4.1. Исследование морфологии и состава композиций рог фуллеренолы, содержащие металлы

6.4.2. Исследование эмиссионных характеристик композиций por-Si-фуллеренолы, содержащие металлы

Выводы к главе

Глава 7. Интеллектуальные гибридные наноплатформы для адресной доставки лекарств и тераностики

7.1. Интеллектуальные наноплатформы для тераностики и систем адресной доставки лекарств на основе наночастиц пористого кремния (обзор)

7.1.1. Интеллектуальные наноплатформы - тренд в разработке систем адресной доставки лекарств

7.1.2. Гибридные наночастицы на основе пористого кремния для тераностики и адресной доставки лекарств

7.2. Технология получения частиц пористого кремния

7.3. Оценка биосовместимости частиц por-Si in vitro

7.4. Верификации системного биораспределения дисперсной транспортной системы, образованной частицами por-Si 60-80, после внутривенного введения (на примере тканей печени и миокарда)

7.5. Методика функционализации частиц por-Si лекарственными препаратами

7.6. Оценка ототропного эффекта гентамицина, вводимого внутривенного с помощью дисперсных транспортных систем на основе экспериментальных образцов частиц por-Si

Выводы к главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ