|
Всего работ:1879
1001. Неустроев, Ефим Петрович. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
Год: 2000 1002. Новиков, Павел Леонидович. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
Год: 2000 1003. Новиков, Юрий Николаевич. Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния
Год: 2000 1004. Ормонт, Михаил Александрович. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
Год: 2000 1005. Осипов, Павел Анатольевич. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
Год: 2000 1006. Павликов, Александр Владимирович. Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния
Год: 2000 1007. Пархоменко, Юрий Николаевич. Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
Год: 2000 1008. Петух, Алла Николаевна. Закономерности распределения междоузельного кислорода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
Год: 2000 1009. Пихтин, Никита Александрович. Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : = 1.3-1.55 мкм
Год: 2000 1010. Плюсинин, Николай Иннокентьевич. Фазы, стбализированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr,Co) и кремния
Год: 2000 1011. Пузиков, Вячеслав Михайлович. Условия образования, структура и свойства алмазоподобных пленок углерода, осажденных из ионных пучков
Год: 2000 1012. Решанов, Сергей Александрович. Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
Год: 2000 1013. Розов, Александр Евгеньевич. Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
Год: 2000 1014. Рущанский, Константин Золтанович. Спектры элементарных возбуждений решетки кристалловгруппы In-Se, In-Te
Год: 2000 1015. Салапак, Владимир Михайлович. Активаторные центры окраски в кристаллахSrCl2:TlCl
Год: 2000 1016. Самойлов, Виктор Александрович. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
Год: 2000 1017. Самсонова, Ирина Викторовна. Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
Год: 2000 1018. Сахаров, Алексей Валентинович. Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
Год: 2000 1019. Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации
Год: 2000 1020. Слынько, Евгений Илларионович. Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца
Год: 2000 1021. Смирнов, Валерий Михайлович. Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
Год: 2000 1022. Спирин, Евгений Анатольевич. Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
Год: 2000 1023. Стародубцев, Артем Николаевич. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
Год: 2000 1024. Сун Вейгуо. Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы
Год: 2000 1025. Сягло, Андрей Иванович. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
Год: 2000 1026. Таскин, Алексей Анатольевич. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
Год: 2000 1027. Татохин, Евгений Анатольевич. Модифицированные поверхности арсенида индия, обработанной в парах халькогена
Год: 2000 1028. Тимофеев, Максим Владимирович. Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники
Год: 2000 1029. Токранов, Вадим Ефимович. Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур
Год: 2000 1030. Трефилова, Лариса Николаевна. Роль примесных ионов СО3 в степени 2- в процессах создания центров свечения и центров окраски в кристаллах йодида цезия
Год: 2000 1031. Умрихин, Владимир Васильевич. Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Год: 2000 1032. Ушаков, Дмитрий Владимирович. Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
Год: 2000 1033. Федив, Владимир Иванович. Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути
Год: 2000 1034. Филимонов, Сергей Николаевич. Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
Год: 2000 1035. Фирсов, Дмитрий Анатольевич. Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
Год: 2000 1036. Чабан, Юрий Ярославович. Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
Год: 2000 1037. Чеканов, Валерий Александрович. Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
Год: 2000 1038. Челядинский, Алексей Романович. Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
Год: 2000 1039. Черноуцан, Кирилл Алексеевич. Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
Год: 2000 1040. Черный, Зиновий Павлович. Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов
Год: 2000 1041. Шовак, Иван Иванович. Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS
Год: 2000 1042. Штанько, Виктор Федорович. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
Год: 2000 1043. Шумская, Елена Николаевна. Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr
Год: 2000 1044. Эски, Тевфик. Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах
Год: 2000 1045. Якимова, Елена Владиленовна. Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
Год: 2000 1046. Яровой, Павел Николаевич. Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
Год: 2000 1047. Ярычкин, Владимир Владимирович. Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках
Год: 2000 1048. Аванесян, Вачаган Тигранович. Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
Год: 1999 1049. Ахмедова, Нодира Аминджановна. Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодилдных структура на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP
Год: 1999 1050. Богатов, Николай Маркович. Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
Год: 1999 |
