Всего работ:999
301. Русанов, Александр Валерьевич. Проектирование аналоговых блоков интегральных схем с низким напряжением питания Год: 2013 302. Русских, Елена Алексеевна. Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2:Y2O3,SnO2:SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства Год: 2013 303. Саенко, Александр Викторович. Разработка и исследование сенсибилизированных красителем солнечных элементов на основе диоксида титана Год: 2013 304. Сидоров, Дмитрий Владимирович. Применение радионуклидных источников -излучения для имитации нейтронного воздействия на кремниевые биполярные транзисторы Год: 2013 305. Слепченков, Михаил Михайлович. Атомное и электронное строение графеновых нанолент и графановых наночастиц при механическом сжатии Год: 2013 306. Солодовник, Максим Сергеевич. Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро- и наноэлектроники Год: 2013 307. Татаринцев, Андрей Андреевич. Основные закономерности зарядки диэлектриков и сегнетоэлектриков электронами средних энергий Год: 2013 308. Тимошенков, Валерий Петрович. Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов Год: 2013 309. Тишин, Александр Сергеевич. Методы построения фокальной плоскости по Z-планарной технологии для оптико-электронных преобразователей Год: 2013 310. Уваров, Илья Владимирович. Резонансные свойства трехслойных металлических кантилеверов наноразмерной толщины Год: 2013 311. Федоров, Константин Александрович. Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений Год: 2013 312. Филатов, Дмитрий Олегович. Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур Год: 2013 313. Черемисинов, Андрей Андреевич. Исследование и разработка трехколлекторного биполярного магнитотранзистора с низким коллекторным разбалансом для работы в слабых и переменных магнитных полях Год: 2013 314. Шеховцов, Дмитрий Витальевич. Проектирование умножителей частоты гармонических колебаний в субмикронном технологическом базисе Год: 2013 315. Шубин, Владимир Владимирович. Исследование и разработка новых схемо-топологических решений элементов библиотек заказных КМДП СБИС Год: 2013 316. Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 x 0.6) на подложках GaAs и InP Год: 2013 317. РОЗРОБКА ВИСОКОТЕПЛОПРОВІДНИХ ПІДКЛАДОК БАГАТОКРИСТАЛЬНИХ МІКРОЗБІРОК ДЛЯ РОБОТИ В ЕКСТРЕМАЛЬНИХ УМОВАХ Год: 2012 318. РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ СТРУКТУР ОРГАНІЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ НА ОСНОВІ НАНОРОЗМІРНИХ ПЛІВОК ФТАЛОЦІАНІНІВ НІКЕЛЮ ТА ВАНАДІЛУ Год: 2012 319. НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА РОЗЩЕПЛЕНИХ ХОЛЛІВСЬКИХ СТРУКТУРАХ Год: 2012 320. Алексеев, Алексей Алексеевич. Исследование и разработка универсальных методов тестирования IP блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер Год: 2012 321. Арсентьев, Алексей Владимирович. Прогнозирование деградации электрических параметров полупроводниковых изделий Год: 2012 322. Белкин, Леонид Михайлович. Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона Год: 2012 323. Бородкин, Игорь Иванович. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов Год: 2012 324. Бурдейный, Дмитрий Игоревич. Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV Год: 2012 325. Быстрицкий, Алексей Викторович. Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем Год: 2012 326. Вопилкин, Евгений Александрович. Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем Год: 2012 327. Глыбин, Александр Анатольевич. Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах Год: 2012 328. Гнатюк, Дмитрий Леонидович. Моделирование и проектирование монолитных интегральных схем малошумящих усилителей диапазона крайне высоких частот Год: 2012 329. Горшков, Константин Викторович. Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов Год: 2012 330. Гусев, Станислав Валентинович. Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов Год: 2012 331. Иванов, Максим Сергеевич. Оксиды переходных металлов и управляемые туннельные переходы на их основе для создания устройств микро- и наноэлектроники Год: 2012 332. Ильин, Алексей Сергеевич. Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот Год: 2012 333. Иорш, Иван Владимирович. Модовая структура и нелинейные эффекты в резонансных и нерезонансных фотонных кристаллах Год: 2012 334. Калинин Борис Вячеславович. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN Год: 2012 335. Климов, Евгений Александрович. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием Год: 2012 336. Климова Евгения Александровича. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоаморфных РНЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием Год: 2012 337. Ковалевский, Константин Андреевич. Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии Год: 2012 338. Корпухин, Андрей Сергеевич. Методы получения и характеристики полиимид - кремниевых микроактюаторов и устройств микромеханики на их основе Год: 2012 339. Краснов, Александр Александрович. Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов Год: 2012 340. Лобанова, Анна Юрьевна. Исследование и разработка методов снижения энергопотребления при проектировании микропроцессорных СБИС Год: 2012 341. Лу Пин. Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила Год: 2012 342. Маляр, Иван Владиславович. Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основе Год: 2012 343. Манченко, Любовь Викторовна. Совершенствование моделей и оптимизация конструкций гибридных узкополосных транзисторных усилителей коротковолновой части сантиметрового диапазона длин волн Год: 2012 344. Мигунов, Денис Михайлович. Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз Год: 2012 345. Мухин, Игорь Игоревич. Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии Год: 2012 346. Орликовский, Николай Александрович. Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро- и наноэлектроники Год: 2012 347. Перевалова, Евгения Викторовна. Нанотубулярные формы бора : особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств Год: 2012 348. Перевезенцев, Александр Владимирович. СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах Год: 2012 349. Перевозчиков, Михаил Васильевич. Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов Год: 2012 350. Пономарев, Денис Викторович. Особенности взаимодействия СВЧ-излучения с фотонными кристаллами, содержащими в качестве неоднородностей диэлектрические, полупроводниковые и металлические включения Год: 2012 |