Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
скачать файл:
- Название:
- Швецов-Шиловский Иван Иванович Развитие методов и средств исследований нестабильных тиристорных эффектов в КМОП СБИС при воздействии ионизирующих излучений
- Альтернативное название:
- Швецов-Шиловський Іван Іванович Розвиток методів та засобів досліджень нестабільних тиристорних ефектів у КМОП НВІС при впливі іонізуючих випромінювань
- Краткое описание:
- Швецов-Шиловский Иван Иванович Развитие методов и средств исследований нестабильных тиристорных эффектов в КМОП СБИС при воздействии ионизирующих излучений
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Швецов-Шиловский Иван Иванович
Введение
Глава 1. механизмы возникновения СТЭ и НТЭ в КМОП СБИС
1.1 Проявление ТЭ в КМОП СБИС
1.2 Щелевой ТЭ
1.3 Методы подавления ТЭ
1.4 Эффект самопроизвольного отключения тиристорной структуры
1.5 Возможность проявления ТЭ в виде сбоев при воздействии ТЗЧ
1.6 Классификация тиристорных эффектов
Выводы по Главе
Глава 2. Проявление нестабильного тиристорного эффекта в КМОП СБИС
при воздействии ТЗЧ
2.1 Моделирование НТЭ в КМОП СБИС при воздействии ТЗЧ
2.2 Влияние режима функционирования на проявление ТЭ в КМОП СБИС при воздействии ТЗЧ
2.3 Кластеры сбоев как следствие НТЭ в СОЗУ при воздействии ТЗЧ
Выводы по Главе
Глава 3. Проявление нестабильного тиристорного эффекта в КМОП СБИС
при воздействии импульсного Ионизирующего излучения
3.1 Исследование щелевого стабильного ТЭ
3.2 Влияние однородности и равномерности воздействия на проявление НТЭ
3.3 Проявление НТЭ в КМОП СБИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения
3.4 Схемотехнические модели нестабильного ТЭ при воздействии однородного импульсного излучения
3.5 Поведенческая модель импульсной реакции микросхемы при воздействии однородного импульсного излучения с учетом нестабильного тиристорного эффекта
3.6 Влияние нестабильного ТЭ на сбоеустойчивость при воздействии однородного импульсного излучения
Выводы по Главе
Глава 4. Методические и технические средства оценки стойкости микросхем
к нестабильному тиристорному эффекту в КМОП СБИС
4.1 Особенности контроля импульсной реакции в КМОП СБИС
4.2 Методика контроля наличия НТЭ в КМОП СБИС при воздействии ТЗЧ
4.3 Методика контроля наличия НТЭ в КМОП СБИС при воздействии ИИИ
4.4 Апробация методики и экспериментальные результаты
4.5 Аппаратно-программный комплекс для регистрации НТЭ
Выводы по Главе
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы
ВВЕДЕНИЕ
Диссертация направлена на решение актуальной научно-технической задачи разработки и внедрения методических и технических средств моделирования нестабильных тиристорных эффектов в КМОП микросхемах высокой степени интеграции при воздействии ионизирующих излучений естественного и искусственного происхождений. Задача имеет существенное значение для создания и совершенствования существующих и разрабатываемых высоконадежных элементов и устройств вычислительной техники и систем управления.
- Стоимость доставки:
- 250.00 руб