Каталог / ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ / Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантов
скачать файл:
- Название:
- Козловский Александр Валерьевич Фотостимуляция твердотельных сенсорных структур на основе кремния и полиэлектролитного покрытия
- Альтернативное название:
- Козловський Олександр Валерійович Фотостимуляція твердотільних сенсорних структур на основі кремнію та поліелектролітного покриття
- ВУЗ:
- Саратовский государственный университет
- Краткое описание:
- Козловский Александр Валерьевич Фотостимуляция твердотельных сенсорных структур на основе кремния и полиэлектролитного покрытия
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Козловский Александр Валерьевич
покрытия
1.3 Использование органического покрытия для пассивации поверхности полупроводниковых структур
1.4 способы модификации параметров функциональных слоев твердотельной сенсорной структуры «полупроводник -органическое покрытие» и улучшения её характеристик
1.4.1 Влияние электростатического взаимодействия компонентов гибридной сенсорной структуры на её параметры и характеристики
35
1.4.2 Влияние внешних электрических полей и поверхностного потенциала на формирование и характеристики сенсорной структуры «полупроводник - органическое покрытие»
37
1.4.3 Влияние освещения на поверхностный потенциал полупроводника и на параметры органического покрытия
39
1.5 Выводы по первому разделу
44
2 ПОЛУЧЕНИЕ ГИБРИДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ И ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТНОГО ПОКРЫТИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
2.1 Технология нанесения органического полиэлектролитного покрытия на полупроводниковую подложку
2.2 Зависимость морфологии и потенциала поверхности кремниевой структуры с полимерным покрытием от длины волны освещения кремниевой подложки
2.3 Вольт-амперные характеристики гибридных структур на основе 81/8Ю2 и органического покрытия
2.3.1 Материалы и методы формирования металлических контактов для гибридных структур на основе 81/8Ю2 и органического покрытия
2.3.2 Вольт-амперные характеристики гибридных структур на основе Б1/Б102 и органического покрытия, измеренные в темноте и при освещении
2.3.3 Расчёт коэффициента выпрямления вольт -амперных характеристик
2.3.4 Расчёт коэффициента неидеальности и эффективной высоты потенциального барьера
2.4 Электрическая пассивация поверхности кремния органическим покрытием и её оценка на основе емкостных характеристик
2.4.1 Емкостные характеристики кремниевых структур с органическим покрытием, полученным в условиях фотостимуляции полупроводника
2.4.1.1 Зависимости поверхностной плотности электронных состояний и времени релаксации их заряда от интенсивности освещения кремниевых структур во время адсорбции на их поверхность полиэтиленимина
2.4.1.2 Зависимости поверхностной плотности активных состояний и времени релаксации их заряда при фотостимулированной адсорбции слоя полиэтиленимина от типа проводимости полупроводниковой структуры
2.4.2 Фотоэлектронные процессы в кремниевой структуре при фотостимулированном нанесении полиэлектролитного органического покрытия
2.4.3 Анализ изменения работы выхода электронов с поверхности 81/8Ю2, модифицированной полиэлектролитным покрытием, в темноте и при освещении
2.5 Влияние фотоэлектронных процессов в полупроводнике на формирование покрытия из полианионных
молекул
2.5.1 Зависимость морфологии и потенциала поверхности покрытия из полианионных молекул от уровня освещенности кремниевой
подложки
2.5.2 Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции
2.6 Выводы по второму разделу
3 МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГИБРИДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ И ОРГАНИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ В УСЛОВИЯХ ФОТОСТИМУЛЯЦИИ
3.1 Расчет плотности электронных состояний на поверхности структуры 81/8102 из экспериментальных данных
3.2 Изменение при освещении заряда поверхностных электронных состояний структуры 81/8102 в присутствии катионного полиэлектролита на поверхности
3.2.1 Расчет изменения концентрации носителей заряда в кремнии и плотности заряженных поверхностных электронных состояний при освещении
3.2.2 Учет перезарядки электронных состояний за счет туннелирования электронов в слой окисла под действием поля катионного полиэлектролита
3.3 Зависимость толщины полиэлектролитного покрытия от плотности заряженных поверхностных состоян
3.4 Математическая модель вольт-фарадных характеристик сенсорных структур на основе 81 и органического покрытия, полученных в условиях фотостимуляции и помещенных в раствор электролита
3.5 Выводы по третьему разделу
4 ИССЛЕДОВАНИЕ СЕНСОРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГИБРИДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ 81 И ФЕРМЕНТНОГО ОРГАНИЧЕСКОГО
ПОКРЫТИЯ
4.1 Влияние освещения полупроводниковой подложки в процессе адсорбции на неё полиэлектролитных молекул на электрофизические характеристики структуры «полупроводник -органическое покрытие», помещенной в электролит
4.2 Влияние рН раствора электролита на вольт-фарадные характеристики сенсорной структуры на основе кремния, помещенной в раствор электролита
4.3 Влияние освещения кремния в процессе создания гибридной структуры на чувствительность емкостного биосенсора к глюкозе
4.4 Выводы по четвертому разделу
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб