|
Total work:1879
1051. Велиев, Зохраб Ахмед оглы. Кинетические эффекты в дислоцированных полупроводниках
the year: 1999 1052. Величко, Александр Андреевич. Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник - (Ca, Sr, Ba)F2 - полупроводник
the year: 1999 1053. Грушко, Наталия Сергеевна. Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах
the year: 1999 1054. Задорожный, Филипп Михайлович. Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах
the year: 1999 1055. Иванкив, Игорь Михайлович. Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах
the year: 1999 1056. Кибис, Олег Васильевич. Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
the year: 1999 1057. Коханенко, Андрей Павлович. Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
the year: 1999 1058. Кучинский, Петр Васильевич. Радиационное дефектообразование в кремнии и структурах на его основе в зависимости от уровня легирования и примесного состава
the year: 1999 1059. Лагов, Петр Борисович. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры
the year: 1999 1060. Малышев, Андрей Викторович. К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
the year: 1999 1061. Палчаев, Даир Каирович. Закономерности, связывающие электрические, тепловые и механические свойства твердых тел
the year: 1999 1062. Петьков, Сергей Александрович. Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков
the year: 1999 1063. Пещев, Владимир Викторович. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
the year: 1999 1064. Потапов, Александр Иванович. Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
the year: 1999 1065. Приходько, Кирилл Евгеньевич. Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
the year: 1999 1066. Растегаева Марина Геннадьевна. Омические контакты металл-карбид кремния
the year: 1999 1067. Рогачева, Екатерина Александровна. Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света
the year: 1999 1068. Сомов, Андрей Ильич. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
the year: 1999 1069. Черепанов, Валерий Михайлович. Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах
the year: 1999 1070. Алексеев, Александр Михайлович. Спектры спиноволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках
the year: 1998 1071. Альперович, Виталий Львович. Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур на основе соединений A3 B5
the year: 1998 1072. Арипов, Хайрулла Кабилович. Основные закономерности токообразования и формообразования ВАХ в солнечных элементах, диодах и транзисторах
the year: 1998 1073. Аюпов, Кутуп Саутович. Исследование особенностей инжекционных явлений в структурах р+-р-р+ и р+-n-р+ на базе сильно компенсированного кремния
the year: 1998 1074. Бабаян, Андрей Владимирович. Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации
the year: 1998 1075. Бакаушин, Дмитрий Александрович. Квантовые проводимости квазидвумерных электронных систем с сильным флуктуационным потенциалом
the year: 1998 1076. Бедный, Борис Ильич. Электронное состояние поверхности GaAs и InP : Диагностика, управление, пассивация
the year: 1998 1077. Берберашвили, Тамара Михаиловна. Магнитные и механические свойства бинарных полупроводниковых соединений урана
the year: 1998 1078. Бершев, Никита Евгеньевич. Исследование закономерностей формирования и электрофизических свойств сверхтонких слоев двуокиси кремния, полученных анодным окислением кремния
the year: 1998 1079. Богатырев, Юрий Владимирович. Воздействие ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник и приборы на их основе
the year: 1998 1080. Бодягин, Николай Викторович. Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
the year: 1998 1081. Ворошилов, Сергей Александрович. Формирование тонких пленок оксида олова методом реактивного распыления и исследование их газочувствительности
the year: 1998 1082. Гафнатулина, Елена Саутановна. Излучательный и безизлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия
the year: 1998 1083. Гзтришвили, Давид Гиоргиевич. Фотоэлектрические свойства пленок моносульфида иттерия и сесквисульфидов самария диспрозия и иттербия
the year: 1998 1084. Голенищев-Кутузов, Александр Вадимович. Акустоэлектронные взаимодействия в фоторефрактивных кристаллах
the year: 1998 1085. Голованов, Вячеслав Владимирович. Характеризация полупроводниковых поверхностно-активных веществ SnxWyOz, CdxS(Se)1-x, In2O3
the year: 1998 1086. Головко, Татьяна Анатольевна. Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
the year: 1998 1087. Голуб, Леонид Евгеньевич. Энергетическая релаксация экситонов в полупроводниковых наноструктурах
the year: 1998 1088. Гордеев, Никита Юрьевич. Исследование излучательной рекомбинации винжекционных лазерных структурах на основе квантовых точек в системе (In,Ga,Al)As
the year: 1998 1089. Горелик, Александр Иосифович. Исследование неоднородностей в ограненных монокристаллах халькогенидов свинца-олова, выращиваемых из паровой фазы
the year: 1998 1090. Денисов, Юрий Алексеевич. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
the year: 1998 1091. Дмитров, Димитр Ценов. Физико-химические методы управления структурой и свойствами газочувствительных слоев на основе диоксида олова
the year: 1998 1092. Дученко, Мария Олеговна. Влияние водородсодержащих газов на электрические характеристики МДП-структур и МДП-диодов
the year: 1998 1093. Егоров, Геннадий Викторович. Низкотемпературные теплофизические свойства кристаллических диэлектриков сложного состава
the year: 1998 1094. Емельянова, Татьяна Геннадьевна. Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
the year: 1998 1095. Ефремов, Михаил Дмитриевич. Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
the year: 1998 1096. Забелин, Алексей Николаевич. Определение экстремальных направлений и исследование анизотропии упругоэлектрического и упругобарического эффектов в пьезоэлектрических кристаллах с применением аналитических и численных методов
the year: 1998 1097. Захаров, Николай Алексеевич. Сегнетоэлектрики А2В2О7 со слоистой перовскитоподобной структурой: получение и свойства
the year: 1998 1098. Захарова, Анна Александровна. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
the year: 1998 1099. Захарьяш, Александр Сергевич. Влияние структурных дефектов на формирование теплофизических свойств монокристаллов Hg1-xCdxTe
the year: 1998 1100. Зерагия, Эмзар Михайлович. Исследование электрооптических свойств двухатомных реальных кристаллов GaAs, ZnSe, CdTe, GaP и GaSe
the year: 1998 |
