|
Total work:1879
1301. Гайслер, Владимир Анатольевич. Спектроскопия комбинационного рассеяния света слоистых полупроводниковых структур
the year: 1996 1302. Гельбух, Сергей Сергеевич. Исследование процессов роста субмикронных слоев наповерхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии
the year: 1996 1303. Голант, Константин Михайлович. Волоконные световоды с малыми потерями, сформированные плазмохимическимосаждением кварцевого стекла в СВЧ-разрядах
the year: 1996 1304. Грудзинский, Аркадий Сергеевич. Парамагнетизм, структура и закономерности образования примесных дефектов в кристаллах слоистых галогенидов
the year: 1996 1305. Груцо, Сергей Алексеевич. Выращивание монокристаллов и исследование оптических свойств тройного полупроводникового соединения CuAlSe2
the year: 1996 1306. Дмитриев, Владимир Андреевич. P-n-структуры на основе широкозонных полупроводников: SiC и A3N. Разработка технологии, получение и исследование
the year: 1996 1307. Донецкий, Дмитрий Владимирович. Оптические явления при разогреве дырок в полупроводниках и размерно-квантованных гетероструктурах
the year: 1996 1308. Дорошенко, Виктор Георгиевич. Влияние температуры и динамики ее изменения на характеристики полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
the year: 1996 1309. Дугаев, Виталий Константинович. Корреляция и примеси в уакозонных полупроводниках и низкоразмерных структурах
the year: 1996 1310. Егоров, Антон Юрьевич. Прямое получение полупроводниковых квантовых проволок и точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии
the year: 1996 1311. Жуков, Алексей Евгеньевич. Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
the year: 1996 1312. Закордонец, Владимир Савич. Предельная термоэлектрическая добротностькристаллических полупроводниковых материалов
the year: 1996 1313. Зиновьев, Николай Николаевич. Неравновесные явления в системе электронов и фононов в полупроводниках
the year: 1996 1314. Каминский, Алексей Юрьевич. Смешивание дырочных состояний на полупроводниковых гетеропереходах (001) при нормальном падении
the year: 1996 1315. Камуз, Александр Михайлович. Лазерностимулированные изменения рефракции полупроводников типа AIIIBV и АIIВVI и оптические волноводы на их основе
the year: 1996 1316. Карачевцева, Людмила Анатольевна. ИК-фоточувствительные твердые растворы CdHgTe: физико-технологическая оптимизация параметров и дефектной структуры
the year: 1996 1317. Каргашин, Алексей Евгеньевич. Разработка физических моделей и методов сквозного физико-технологического моделирования биполярных кремниевых элементов : В нормальном и криогенном режимах
the year: 1996 1318. Качер, Егор Эммануилович. Особенности формирования и основные физические свойства пленок CdGa2S(Se)4
the year: 1996 1319. Копылова, Ирина Борисовна. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата
the year: 1996 1320. Кособуцкий, Петр Сидорович. Физические основы радиационной модификации оптических свойств широкозонных материалов электронной техники
the year: 1996 1321. Кудин, Александр Михайлович. Роль активаторных дефектов в изменении структуры и сцинтилляционных свойств кристаллов NaI(Tl).
the year: 1996 1322. Кудинов, Алексей Валерьевич. Спектроскопия поляризованной люминесценции полумагнитных полупроводников CdMnTe и квантовых ям CdTe/CdMnTe
the year: 1996 1323. Курганский, Сергей Иванович. Электронная структура тонких пленок сложных металлооксидов
the year: 1996 1324. Логинов, Юрий Юрьевич. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А2В6
the year: 1996 1325. Лунц, Дмитрий Георгиевич. Электрофизические и структурные свойства объемных аморфных полупроводников антимонида галлия и кремния
the year: 1996 1326. Мавлянов, Равшан Каршибаевич. Получение аморфных и микрокристаллических тонко-пленочных материалов a - Si1-xCx:H, мс - Si:H и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе
the year: 1996 1327. Малинич, Сергей Захарович. Оптическая спектроскопия фотостимулированных явлений в металлооксидных купратах
the year: 1996 1328. Мартинович, Валерия Александровна. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий
the year: 1996 1329. Марьян, Кузьма. Диффузионные модели лазерного отжига полупроводниковых и металлических твердых растворов
the year: 1996 1330. Мединский, Сергей Владимирович. Эффекты обменного взаимодействия в кристаллах, тонких слоях и квантовых структурах на основе полумагнитных полупроводников
the year: 1996 1331. Мейтин, Марк Наумович. Электрофизические свойства и метастабильные процессы в a-Si: H и сплавах на его основе
the year: 1996 1332. Мокрий, Владимир Иванович. Влияние структурных комплексов на оптические и диэлектрические свойства монокристаллов алкиламингалогенметаллатов при фазовых переходах
the year: 1996 1333. Мурин, Дмитрий Игоревич. Диагностика крупномасштабных примесных скоплений в полупроводниках и анализ таких скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского
the year: 1996 1334. Мясников, Александр Михайлович. Диффузия и активация имплантированных примесей в арсениде и антимониде индия
the year: 1996 1335. Мясоедов, Юрий Николаевич. Исследование влияния дефектов на электрофизические и магнитные свойства ртутьсодержащих металлооксидных купратов
the year: 1996 1336. Названова, Елена Васильевна. Сильные оптические нелинейности и оптическая бистабильность в полупроводниках CdS, CdSSe, GaSSe
the year: 1996 1337. Немчук, Николай Игоревич. Механизмы проводимости пленок фуллеренов C60 и С70
the year: 1996 1338. Нисафи Абдул Мохсен. ПАВ-элементы для обработки широкополосных сигналов
the year: 1996 1339. Оконечников, Александр Петрович. Радиационно-стимулированные процессы в полупроводниках А2В6 с дефектами различной размерности
the year: 1996 1340. Орлецкий, Иван Григорьевич. Особенности поведения марганца и гадолиния в узкозонных тетраэдрических полупроводниках
the year: 1996 1341. Паранчич, Юрий Степанович. Новые полумагнитные полупроводники MхHg1-xSe(M-Cr, Cо) получение и их основные свойства
the year: 1996 1342. Петренко, Александр Николаевич. Обменные параметры переноса электронной теории молекулярных периодических структур со слабым взаимодействием фрагментов
the year: 1996 1343. Пилипенко, Геннадий Иванович. Локальные состояния в гидриде и дейтериде лития
the year: 1996 1344. Прошина, Ольга Владимировна. Поляризационные эффекты в полупроводниках А2И6 и А4В6
the year: 1996 1345. Ризак, Василий Михайлович. Влияние изовалентных замещений на статические и динамические свойства собственных сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6
the year: 1996 1346. Рогозин, Егор Викторович. Структура та iнжекцiйна електролюмiнесценцiя гетеропереходу ZnO—ZnSe одержаного методом радикало-променевоi гетеруючоi епiтаксii
the year: 1996 1347. Роткина (Гладышева), Лолита Геннадьевна. Методы создания периодических оптических неоднородностей и их использование в устройствах интегральной оптики
the year: 1996 1348. Рощупкин, Дмитрий Валентинович. Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками
the year: 1996 1349. Румянцев, Сергей Львович. Объемный шум I/f и шумовая спектроскопия локальных уровней в материалах полупроводниковой электроники
the year: 1996 1350. Салах Ель-Дин, Махмуд Мохамед Сальман. Структура, электрические и оптические свойства аморфных пленок InSb-Ge
the year: 1996 |
