Total work:458
401. Рябец, Сергей Иванович. Физико-химические особенности жидкой эпитаксии твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подкладках the year: 1998 402. Сорокин, Святослав Игоревич. Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере the year: 1998 403. Стасюк, Владимир Александрович. Изучение седловинных точек на поверхности ликвидуса и солидуса в тройных системах с трифторидами редкоземельных элементов the year: 1998 404. Столяров, Сергей Михайлович. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами the year: 1998 405. Фитьо, Владимир Михайлович. Bыcoкoинформативные фотогермопластические системы для записи оптических голограмм the year: 1998 406. Циж, Богдан Романович. Разработка и исследование тонкопленочных структур для фотопреобразователей и оптических носителей информации the year: 1998 407. Часовникова, Елена Владимировна. Синтез и исследование стеклокристаллических композиционных материалов для изделий электронной техники the year: 1998 408. Чуканов, Сергей Владимирович. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня the year: 1998 409. Шепетюк, Владимир Андреевич. Выращивание и свойства пленок AIVBVI для термоэлектрических и оптоэлектрических устройств the year: 1998 410. Галкин, Сергей Николаевич. Получение и исследование оптических и сцинтнлляционных кристаллов соединений типа А2В6 the year: 1997 411. Козлов, Владимир Валентинович. Исследование и разработка технологии коллоидно-химического полирования поверхности арсенида галлия the year: 1997 412. Костромин, Сергей Викторович. Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на изоляторе на основе композиции "SiC-AlN" the year: 1997 413. Кустов, Тарас Владимирович. Разработка технологии материалов и позисторов на их основе для защиты от электрических перегрузок the year: 1997 414. Попова, Елена Евгеньевна. Получение бесконусных нитевидных кристаллов кремния для миниатюрных преобразователей температуры the year: 1997 415. Рощин, Владимир Михайлович. Формирование и исследование свойств тонких пленок вольфрама, полученных при импульсной конденсации электроэрозионной плазмы the year: 1997 416. Чиликина, Марина Валерьевна. Разработка и исследование материалов и технологиимногослойных металлодиэлектрических структурметодом диффузионной сварки the year: 1997 417. Авдиенко, Клавдия Ильинична. Получение, модификация, свойства кристаллов для акусто- и оптоэлектроники the year: 1996 418. Благин, Анатолий Вячеславович. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия the year: 1996 419. Бучинская, Ирина Игоревна. Высокоплотные материалы на основе фторида свинца the year: 1996 420. Веремьянина, Людмила Николаевна. Испарение мышьяка из галлиевых и индиевых растворов в условиях Ленгмюра the year: 1996 421. Забелина, Ирина Анатольевна. Синтез и выращивание кристаллов твердых растворов CuAl x In1-xS2 , CuInSe2x Te2(1-x) , CuGa x In1-x Te2 и исследование их свойств the year: 1996 422. Казаков, Виталий Викторович. Твердые растворы AlGainAsP на основе GaAs и InP, полученные в поле температурного градиента, и их свойства the year: 1996 423. Лебедева, Татьяна Анатольевна. Твердоэлектролитный сенсор галогенсодержащих веществ с чувствительным слоем молибдата калия-бария-гадолиния и активированным электродом the year: 1996 424. Лукина, Ирина Николаевна. Физико-химические основы процессов травления монокристаллических танталата и тетрабората лития the year: 1996 425. Распопина, Екатерина Владиславовна. Толстые пленки YBa2Cu3O7-8 на подложке Y2BaCuO5: получение, свойства, применение the year: 1996 426. Савинова, Ирина Геннадьевна. Выращивание крупных кристаллов моноалюмината иттрия методом горизонтально-направленной кристаллизации the year: 1996 427. Скоробогатова, Ольга Викторовна. Фазовые равновесия в системе Ba-Cu-O2 the year: 1996 428. Турилин, Сергей Митрофанович. Экспериментальные исследование и численное моделирование газодинамических течений в процессе газофазной эпитаксии кремния the year: 1996 429. Шевченко, Андрей Геннадьевич. Разработка физико-химических основ получения многокомпонентных твердых растворов на основе InAs в поле температурного градиента the year: 1996 430. Галанин, Станислав Геннадьевич. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым расплылением the year: 1995 431. Есаулов, Николай Петрович. Физико-технологические основы разработок эффективных металлосплавных и металлооксидных катодных материалов и катодов на их основе для мощных ЭВП the year: 1995 432. Ковалгин, Алексей Юрьевич. Исследование процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния the year: 1995 433. Кочурихин, Владимир Владимирович. Выращивание монокристаллов галлиевых гранатов с частичным замещением галлия ионами лютеция и иттербия the year: 1995 434. Моргунов, Игорь Викторович. Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксии the year: 1995 435. Мяльдун, Александр Зигмунтович. Воздействие низкочастотных вибраций на тепломассоперенос при выращивании кристаллов из жидкой фазы the year: 1995 436. Репин, Вадим Анатольевич. Разработка и исследование титанатных ситаллоцементов для толстопленочной электроники the year: 1995 437. Тришканева, Марина Валерьевна. Влияние условий синтеза и легирования на люминесцению и послесвечение ZrO2 Ti the year: 1995 438. Коростелин, Юрий Владимирович. Выращивание монокристаллов халькогенидов цинка и твердых растворов халькогенидов цинка и кадмия для оптоэлектронных приборов the year: 1994 439. Левенец, Владислав Владимирович. Оптимизация методов химической подготовки и пассивации поверхности Si с применением фторсодержащих кислот the year: 1994 440. Ли Ден Мок. Исследование полосково-щелевых структур и разработка устройств на их основе the year: 1994 441. Нгуен Суан Нгиа. Процессы эпитаксиального выращивания ..егированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик the year: 1994 442. Овчинников, Вадим Алексеевич. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов In Al Ga As Sb в поле температурного градиента the year: 1994 443. Полистанский, Юрий Григорьевич. Разработка эффективных полупроводниковых термоэлементов на основе соединений AVBVI, AIVBVI и технологических способов их получения the year: 1994 444. Сатункин, Геннадий Анатольевич. Автоматизация способа Чохральского с использованием математических моделей малой размерности the year: 1994 445. Сергеева Жанна Михайловна. Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии the year: 1994 446. Ханеев, Николай Петрович. Разработка метода контроля и исследование процессов прямого высокочастотного плавления и направленной кристаллизации в холодном контейнере the year: 1994 447. Дружинин, Анатолий Александрович. Структурнi перетворення в напiвпровiдниках пiд дiею лазерного випромiнювання та iх використання для створення мiкроелектронних приладiв the year: 1993 448. Иванов, Аркадий Леонидович. Исследование процессов выращивания монокристаллов ВТСП Ln2-x Me x CuO4 ; Ln=La, Nd, Pr, Sm; Me=Sr, Ce методом спонтанной кристаллизации из растворов в расплавах the year: 1993 449. Кройчук, Кирилл Львович. Исследование и разработка барьерных пленок с толщинами до 100 А на входе микроканальных пластин для электровакуумных приборов 3-го поколения the year: 1993 450. Панков, Владимир Викторович. Моделирование ионно-лучевых технологических процессов формирования тонкопленочных структур the year: 1993 |