catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл:
- title:
- Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
- university:
- Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
- The year of defence:
- 2011
- brief description:
- Феклистов, Константин Викторович. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Феклистов Константин Викторович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2011.- 211 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/338
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб