Данилов Игорь Александрович Критические элементы сбоеустойчивых цифровых комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем с проектными нормами уровня 65 нм

brief description

Данилов Игорь Александрович Критические элементы сбоеустойчивых цифровых комплементарных металл-оксид-полупроводниковых интегральных схем с проектными нормами уровня 65 нм
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Данилов Игорь Александрович
ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СПОСОБЫ ПОВЫШЕНИЯ УСТОЙЧИВОСТИ ЦИФРОВЫХ ИС К ОС

1.1. ОС в цифровых ИС

1.1.1. Механизм ООС

1.1.2. SEU

1.1.3. SET

1.1.4. SEFI

1.2. Модульное резервирование

1.2.1. Тройное модульное резервирование

1.2.2. Ячейка памяти с внутренним ДМР

1.3. Асинхронные схемы

1.4. Моделирование ОС в цифровых ИС

1.4.1. Моделирование ОС в цифровых ИС на SPICE-уровне абстракции

1.4.2. Моделирование ОС в цифровых ИС на Verilog-уровне абстракции

1.5. Выводы

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СБОЕУСТОЙЧИВОСТИ МЭ

2.1. Методика автоматизированного схемотехнического моделирования эффектов от воздействия ТЗЧ на КМОП ИС на SPICE-уровне абстракции

2.1.1. Описание методики

2.1.2. Практическая реализация методики

2.1.1. Преимущества предложенной методики автоматизации инжекции

сбоев на SPICE-уровне абстракции

2.2. Мажоритарные элементы, рассматриваемые в исследовании

2.2.1. Схемы и основные характеристики исследуемых МЭ

2.2.2. Анализ сбоеустойчивости исследуемых МЭ

2.3. Метод экспериментального сравнительного исследования чувствительности к воздействию ТЗЧ комбинационных схем

2.3.1. Описание тестовой системы

2.3.2. Испытательная оснастка для проведения эксперимента на ускорителе ТЗЧ

2.3.3. Установки, на которых проводился эксперимент

2.3.4. Результаты эксперимента

2.3.5. Критерий эффективности МЭ и методические рекомендации по использованию МЭ в разных вариантах реализации ТМР

2.4. Выводы

ГЛАВА 3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБОЕУСТОЙЧИВЫХ

С-ЭЛЕМЕНТОВ МАЛЛЕРА

3.1. С-элементы: описание, варианты реализации

3.2. Б1СЕ-принцип

3.3. Сбоеустойчивые элементы Маллера на основе ОЮС

3.5. Анализ сбоеустойчивости С-элементов и их основные параметры

3.6. Заключение

ГЛАВА 4. МЕТОД МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭФФЕКТОВ ОС В ЦИФРОВЫХ ИС НА VERILOG-УРОВНЕ АБСТРАКЦИИ С УЧЁТОМ ТОПОЛОГИИ УСТРОЙСТВА

4.1. Описание метода инжекции сбоев в Уеп^-нетлист

4.2. Верификация предложенного метода

4.3. Анализ результатов верификации предложенного метода

4.4. Методика проведения SPICE-характеризации

4.5. Учёт данных SPICE-характеризации во время инжекции

4.6. Верификация метода расширенного за счёт использования 8Р1СЕ-характеризации

4.7. Анализ результатов метода расширенного за счёт использования 8Р1СЕ-характеризации

4.8. Заключение