РОЗРОБКА ВИСОКОТЕПЛОПРОВІДНИХ ПІДКЛАДОК БАГАТОКРИСТАЛЬНИХ МІКРОЗБІРОК ДЛЯ РОБОТИ В ЕКСТРЕМАЛЬНИХ УМОВАХ : РАЗРАБОТКА ВИСОКОТЕПЛОПРОВИДНИХ подложек Многокристальных микросборок ДЛЯ РАБОТЫ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ

brief description

`МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
«КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ»

На правах рукопису

БРОДНІКОВСЬКА Ірина Володимирівна

УДК 537.311.32; 537.312.6; 621.762

РОЗРОБКА ВИСОКОТЕПЛОПРОВІДНИХ ПІДКЛАДОК БАГАТОКРИСТАЛЬНИХ МІКРОЗБІРОК ДЛЯ РОБОТИ В ЕКСТРЕМАЛЬНИХ УМОВАХ

(Спеціальність 05.27.01 Твердотільна електроніка)

Дисертація на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук

Науковий керівник
Петровський Віталій Ярославович
д.т.н, професор

Київ 2012
ЗМІСТ

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ

5

ВСТУП

6

РОЗДІЛ 1 ОГЛЯД ЛІТЕРАТУРИ

13

1.1. Сучасні уявлення про багатокристальні мікрозбірки

13

1.2. Вибір матеріалів підкладок для роботи в екстремальних умовах

15

1.3. Електричні властивості аморфних нітриду, оксиду та оксинітриду кремнію

18

1.3.1. Загальні характеристики та електронна структура матеріалів

18

1.3.2. Електронна структура пасток в аморфних SiO2, Si3N4 і Si2N2O

22

1.3.3. Механізми електропровідності на постійному струмі

22

1.3.4. Перенос зарядів в полікристалічних матеріалах на змінному струмі

28

1.3.5. Механізми поляризації в діелектричних матеріалах

29

1.4. Будова та електропровідність гетерогенних систем

36

1.4.1. Електричні властивості гетерогенних систем

37

1.4.2. Основи імпедансної спектроскопії гетерогенних систем та електричне моделювання мікроструктури керамічних композитів на основі нітриду кремнію

46

Висновки до РОЗДІЛУ 1. Постановка мети дисертаційної роботи та задач на дослідження

51

РОЗДІЛ 2 МАТЕРІАЛИ ТА МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕНЬ

54

2.1. Вихідні матеріали і методи отримання зразків

54

2.2. Методи досліджень мікроструктури і фазового складу вихідних матеріалів і спечених зразків

60

2.3. Дослідження електрофізичних властивостей вихідних матеріалів і спечених зразків

62

2.3.1. Теплопровідність

62

2.3.2. Електричні властивості

66

2.3.3. Механічні характеристики

67

2.4. Методи розрахунку похибок вимірюваних величин

68

2.5. Апаратурне забезпечення та інструментальні похибки при визначенні електрофізичних характеристик зразків

69

2.5.1. Оцінка похибки визначення теплопровідності керамічних матеріалів

69

2.5.2. Оцінка інструментальних похибок при визначенні маси зразків, густини та пористості матеріалів

72

2.5.3. Оцінка інструментальних похибок при визначенні електричних характеристик зразків та температури вимірювання

73

Висновки до РОЗДІЛУ 2

76

РОЗДІЛ 3 ВИЗНАЧЕННЯ СКЛАДУ ШИХТИ ТА ТЕХНОЛОГІЧНОГО РЕЖИМУ ДЛЯ ОТРИМАННЯ ПІДКЛАДОК НА ОСНОВІ НІТРИДУ КРЕМНІЮ З НАЙБІЛЬШОЮ ТЕПЛОПРОВІДНІСТЮ

79

3.1. Вплив активаторів спікання

79

3.2. Вплив модифікуючих домішок та тривалості ізотермічної витримки

80

3.3. Вплив розміру зерна провідних включень

83

Висновки до РОЗДІЛУ 3

84

РОЗДІЛ 4 ДОСЛІДЖЕННЯ ФОРМУВАННЯ ФАЗОВОГО СКЛАДУ ТА МІКРОСТРУКТУРИ МАТЕРІАЛІВ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ ШАРІВ НА ОСНОВІ НІТРИДУ КРЕМНІЮ ПІД ВПЛИВОМ ТРИВАЛОСТІ ІЗОТЕРМІЧНОЇ ВИТРИМКИ ТА ШВИДКОСТІ ОХОЛОДЖЕННЯ ПІСЛЯ ГАРЯЧОГО ПРЕСУВАННЯ

85

4.1. Вплив технологічних факторів на густину та пористість спечених зразків

85

4.2. Дослідження фазового складу композитів прямими методами аналізу

86

4.3. Вплив швидкості охолодження після ГП на гранулометричний склад та мікроструктуру спечених зразків

90

4.4. Електропровідність на постійному струмі

92

4.5. Електропровідність та діелектричні втрати на змінному струмі

97

4.6. Вплив технологічних факторів на механічні властивості матеріалів

100

Висновки до РОЗДІЛУ 4

101

РОЗДІЛ 5 ДОСЛІДЖЕННЯ ЕВОЛЮЦІЇ МІКРОСТРУКТУРИ ПРОВІДНОГО КЛАСТЕРУ В МАТЕРІАЛАХ ЕЛЕКТРОПРОВІДНИХ ШАРІВ НА ОСНОВІ НІТРИДУ КРЕМНІЮ, ОТРИМАНИХ З РІЗНОЮ ТЕМПЕРАТУРОЮ ІЗОТЕРМІЧНОЇ ВИТРИМКИ ТА РОЗМІРОМ ПРОВІДНИХ ВКЛЮЧЕНЬ

103

5.1. Пористість та втрати маси матеріалу

103

5.2. Мікроструктура матеріалу

104

5.3. Питомий опір при кімнатній температурі

111

5.4.Температурна залежність питомого опору

115

5.5. Відносна діелектрична проникність

119

Висновки до РОЗДІЛУ 5

120

РОЗДІЛ 6 ВПРОВАДЖЕННЯ

122

ВИСНОВКИ

124

Додаток А Копія акту лабораторних випробувань підкладок з теплопровідної кераміки на основі нітриду кремнію

127

Додаток Б Розрахунки похибок вимірювань

129

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ

135

ПЕРЕЛІК УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ

Умовне позначення

Значення

Розмірність

MCM

Multi-Chip-Module - Багатокристальна мікрозбірка

-

ГП

Гаряче пресування

-

ГС

Гетерогенна система

-

ІМС

Інтегральна мікросхема

-

ІС

Імпедансна спектроскопія

-

КМ

Композиційний матеріал

-

ПС

Пічний синтез

-

СВС

Самопоширюючийся температурний синтез

-

Швидкість охолодження після гарячого пресування

ºС/хв

Час ізотермічної витримки при гарячому пресуванні

хв

Температура ізотермічної витримки

ºС

Енергія активації

еВ

δ

Відносна похибка

%

Об’ємна доля фази в суміші:
- провідної (conductor),
- діелектричної фази (insulator),
- поріг перколяції (critical)

-

,

Концентрація провідної фази, менша порогу протікання, більша порогу протікання

-

Электрофізичні параметри

Електропровідність на постійному струмі:
- провідної,
- діелектричної фази

Ом-1·см-1

Питомий електричний опір:
- провідної,
- діелектричної фази

Ом·см

,

Діелектрична проникність

-

Коефіцієнт діелектричних втрат

-

Тангенс кута діелектричних втрат

-

К1с

Коефіцієнт тріщиностійкості

МН/м3/2

Hv

Мікротвердість

ГПа

ВСТУП

Багатокристальні мікрозбірки (MCM Multi-Chip-Module) відносились до початку 1990-х років до області космічної та військової технології, а також високоякісної комп’ютерної техніки. За рахунок використання цієї технології збільшуються збірки не лише в площині модуля, але і по вертикалі []. Першою досягла успіхів в практичному застосуванні МСМ фірма IBM при організації виробництва серії ЕОМ четвертого покоління. У якості монтажної та теплопровідної основи використовувались багатошарові керамічні плати. Спеціально для цього був побудований завод для їх виробництва. Великий обсяг робіт у цій галузі сьогодні проводиться в Німеччині, в університеті м.Росток, Берлінському технічному університеті, та в Україні, зокрема, в Інституті проблем матеріалознавства ім.І.М.Францевича НАН України, Інституті кібернетики ім.В.М.Глушкова НАН України та Інституті фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України.
Актуальність теми. Зазвичай, вихід якісних МСМ складає близько 85%, найдорожчою їх частиною є монтажна основа. Тому для підвищення рентабельності виробництва важлива як розробка якісних підкладок, так і швидка відбраковка та коректування складу і технологічного режиму їх отримання через встановлення взаємозв’язку технологія склад властивості.
До діелектричних матеріалів підкладки висувають такі ж вимоги, як і до підкладок гібридних інтегральних мікросхем (ІМС), а саме: високий ізоляційний опір, низька діелектрична проникність і низький тангенс кута діелектричних втрат, висока діелектрична міцність для забезпечення якісної електричної ізоляції мікросхеми, як на постійному струмі, так і в широкому діапазоні частот, висока механічна міцність на згин, стійкість до впливу високих температур та хімічних реактивів, придатність до механічної обробки [].Для виготовлення мікросхем високої потужності матеріал підкладки повинен володіти високим коефіцієнтом теплопровідності. Органічні діелектрики погано проводять тепло та деградують при низьких температурах, на відміну від керамічних підкладок. У промисловості поширена кераміка на основі оксиду берилію, оксиду алімінію та нітриду алюмінію. Але перша є токсичною при механічній обробці. Глиноземна кераміка має низьку теплопровідність та високу густину, що робить її непридатною для використання в екстремальних умовах. А з кераміки AlN через крихкість неможливо виготовити тонкі підкладки.
В той же час, кераміка на основі Si3N4 давно освоєна і має ряд переваг: відносно низька собівартість; висока теплопровідність (теплопровідність -Si3N4 при кімнатній температурі становить 120-130Вт/(м∙К) [], гарячепресованої кераміки Si3N4 15-45Вт/(м∙К) [, ]); велика стійкість до ударів (6,5МПа/м1/2); низький коефіцієнт термічного расширення (3∙10-6К-1); велика міцність на згин (800МПа); витримує перевантаження в 10g, має хорошу полірованість, високу хімічну стійкість і адгезію до покриття []; можна отримати підкладки великих розмірів (120×96мм2) при малій товщині (0,350,6мм). Таким чином, діелектрична кераміка на основі Si3N4 має унікальний комплекс властивостей, які дозволяють виготовляти тонкі діелектричні підкладки у вигляді суцільнокерамічних елементів з вбудованими електропровідними шарами, що виконують роль комутації та заземлення. Це знизить габарити та покращить електричні характеристики багатокристальних мікрозбірок.
При виготовленні мікрозбірок методом flip-chip технології з багаторівневими розводками на нітридокремнієвих підкладках, для попередження їх розтріскування та забезпечення максимально близького значення коефіцієнтів термічного розширення кристалу мікросхеми, ізолюючих та провідних шарів підкладки у якості матеріалу останніх доцільно використовувати керамічні композити на основі нітриду кремнію з тугоплавкими електропровідними добавками, такими як: ZrC, SiC та ін. Введення цих добавок не лише забезпечує високу електропровідність матеріалу, але й зміцнює його.
Відомо [], що механічні властивості полікристалічних матеріалів на основі нітриду кремнію залежать від наявності в них планарних, а електричні - точкових дефектів, таких як границі кристалітів, неоднорідності в міжкристалітній фазі та інше. В композитах з добавками провідної фази [] в області порогу перколяції та в безпосередній близькості до нього як з боку малих, так, і з боку великих концентрацій виникають цікаві, та вкрай важливі для механічних властивостей синергетичні ефекти, наприклад, максимальна тріщиностійкість в допороговій області діелектричних сідлових точок” [] та максимальна твердість в післяпороговій області металічних сідлових точок” . Проте, неможливо визначити тип сформованої мікроструктури та її дефектність тільки з зображень, отриманих методами SEM, TEM, або рентгенофазового аналізу.
Проблемі дослідження мікроструктури композитів за допомогою електричних методів присвячено багато робіт наших попередників з середини XX століття. Слід відзначити класичні роботи зарубіжних вчених, таких, як: П.Дебая, М.Поллака, Н.Ф.Мотта, Е.Девіса, А.К.Йоншера, Д.С.Маклахлана, В.А.Гриценко, О.А.Голікової, О.А.Гудаєва, В.К.Малиновського; та вітчизняних: М.М.Некрасова, Ю.М.Поплавко, В.Я.Петровського, М.Б.Штерна, В.В.Скорохода. Однак, не всі методи неруйнуючого структурного моніторингу виявляються однаково ефективними та застосовними для досліджуваних матеріалів.
Розробка нових керамічних підкладок на основі нітриду кремнію для крупноформатних багатокристальних мікрозбірок дозволить отримувати модулі з високим рівнем електроізоляції, як на постійному струмі, так і в широкому діапазоні частот, при роботі в екстремальних умовах великих механічних та теплових навантажень для комерційних та спеціальних застосувань, наприклад, в авіа- та космічній галузі.
Розробка методик оцінки теплопровідності зразків малого розміру з різною геометрією і шорсткістю поверхні в широкому діапазоні значень, та мікроструктури керамічних композитів за допомогою методів електричного неруйнуючого моніторингу на постійному та змінному струмі дасть змогу оперативного і масового контролю властивостей та структури матеріалу в процесі отримання, не вдаючись до громіздких та руйнівних методів прямого аналізу і здешевить процес виробництва.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконана відповідно до наукового напрямку кафедри мікроелектроніки НТУУ «К

bibliography

ВИСНОВКИ

У дисертаційній роботі були розроблені принципи отримання високотеплопровідних підкладок крупноформатних багатокристальних мікрозбірок для роботи в екстремальних умовах та методики, що дозволяють створювати матеріали з унікальними характеристиками для підкладок комерційного і спеціального застосування.
1. На основі досліджень мікроструктури та фазового складу матеріалів діелектричних та електропровідних композитів встановлені технологічні режими, які дозволяють отримувати підкладки із заданими функціональними характеристиками. Встановлена роль добавок у процесі формування властивостей матеріалів для діелектричних шарів підкладок на основі Si3N4, що значно підвищує вихід якісних підкладок МСМ.
2. На підставі вивчення зміни енергії активації та визначенні природи дефектів за їх глибиною залягання, вперше встановлено пороговий характер впливу швидкості охолодження після ГП на кількість та тип утворених точкових дефектів. Отримані дані дозволяють визначати дефектні структури, що утворюються при даному технологічному режимі спікання.
3. Встановлено основні закономірності керування фізичними властивостями композитів на основі нітриду кремнію шляхом зміни їх мікроструктури та фазового складу. Показано, що керувати питомим опором електропровідного шару та формуванням провідного кластеру при сталому об’ємному вмісті провідної фази можна двома шляхами:
а) зміною дисперсності провідних частинок. Таким чином можна отримувати електропровідні шари підкладок МСМ з мінімальним питомим опором, використовуючи найбільш дрібнодисперсні порошки провідного включення та створюючи на їх основі нерегулярні каркасні мікроструктури.
б) зміною температури ізотермічної витримки можна створювати різні типи мікроструктури на основі вихідних порошків однакової дисперсності за рахунок процесів їх агломерації дезагрегації. Таким чином, показано, що при оптимальній температурі утворюються ізотропні матеріали з дрібнодисперсними провідними включеннями, перспективні для виготовлення електропровідних шарів підкладок МСМ, що збільшує вихід якісних струмовідводів.
4. В результаті електричного моделювання мікроструктури композитів діелектрик-метал за температурною залежністю опору було показано, що вона описується як вкладом провідної, так і діелектричної фази, при чому, при зростанні розміру зерна провідного включення, збільшується вклад діелектричної фази, що дозволяє не змінюючи технологічного режиму спікання, а лише дисперсність вихідної суміші, створювати принципово різні типи мікроструктур в залежності від вимог до матеріалу.
5. На основі існуючого методу зонда розроблена нова методика оцінки теплопровідності матеріалів за допомогою набору зондів, які відрізняються геометрією, тепловими та електричними характеристиками. Це дозволило з відносно високою точністю (не більше 20%) визначати коефіцієнт теплопровідності зразків малого розміру з різною геометрією і шорсткістю поверхні в стаціонарних умовах та розширило діапазон вимірювань.
6. Запропонований та теоретично обґрунтований метод моніторингу мікроструктури нітридокремнієвої кераміки на основі визначення енергії активації, діелектричного відгуку та побудові електричних моделей структури, за допомогою якого вперше було встановлено кореляцію між відгуками дефектів на постійному та змінному струмі, що дає нові знання про електричні методи неруйнуючого моніторингу.
7. Запропонована методика апаратурної обробки та розраховані похибки визначення електрофізичних характеристик зразків для забезпечення достовірності результатів дисертаційної роботи. З найбільшою похибкою визначались результати непрямих вимірювань, які зазнавали впливу зовнішнього середовища та фізичних явищ, яких неможливо було уникнути (такі як коефіцієнт теплопровідності (±20%)) та величини з великим числовим значенням (опір діелектриків на постійному струмі (до ±15%)). Результати прямих вимірювань, особливо величин з малим числовим значенням, визначались з високою точністю (пористість, діелектричні характеристики (до ±0,05%)). За допомогою кореляційного аналізу визначені коефіцієнти кореляції експериментальних даних R2 (питомого опору композитів діелектрик-провідник) і моделі їх залежності (від розміру зерна провідних включень, ефективної площі перерізу провідного кластеру). Майже у всіх випадках R2≥0,93. Таким чином показано, що запропоновані методи управління еволюцією провідного кластеру і питомим опором композиту є теоретично обґрунтованими і достовірними.
8. Запропонований склад шихти та технологічний процес отримання діелектричних та струмопровідних шарів високотеплопровідних підкладок багатокристальних мікрозбірок для роботи в екстремальних умовах може використовуватись у промисловому виробництві підкладок. На вказаних підкладках в Інституті кібернетики НАН України ім.В.М.Глушкова були практично реалізовані блоки ОЗП, які мали унікальні характеристики та придатні для виготовлення МСМ комерційного та спеціального застосування.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
[1]. Медведев А. Современные компоновки микросхем / А. Медведев // Компоненты и технологии. 2007. - №2. С. 1-5.
[1]. Жигальский А. А. Проектирование и конструирование микросхем: Учебное пособие. - Томск: ТУСУР, 2007. - 195 с.
[1]. Петровский В. Я. Физико-технические основы и технологические принципы получения функциональных градиентных керамических материалов на базе бескислородных тугоплавких соединений: дис. докт. техн. наук: 05.16.06 / В. Я. Петровский. Киев, 1999. 338 с.
[1]. CRC Materials Science and Engineering Handbook / edited by J. F. Shackelford, W. Alexander. 3d ed. - CRC Press, 2001. 1928 p.
[1]. http://www.goodfellow.com/catalogue/
[1]. Гнесин Г. Г. Бескислородные керамические материалы. К.: Техніка, 1987. 152с.
[1]. Чернякова И. В. Микроструктура и электропроводность композитов Si3N4 TiO2 (TiH2), полученных с различным темпом охлаждения после горячего прессования / И. В. Чернякова, С. Н. Здольник, В. Я. Петровский // Порошковая металлургия. - 2010. - № 1/2. С.124-137.
[1]. Petrovsky V. Electrical Response on Microstructure Evolution of Multicomponent Ceramic Matrix Materials / V. Petrovsky // J. Mater. Sci. Eng. 2010. - Vol. 4, No.2. P.39-51.
[1]. Skal A. S. Topology of a two-component disordered system below and above the percolation threshold / A. S. Skal // Phil. Mag. B. 1982. - Vol. 45, No. 3. P. 335 346.
[1]. Gorbunova M.A.. Effect of heat treatment on the electronic spectrum and mechanical properties of BeO ceramics / M.A. Gorbunova, V.S. Kiiko, A.A. Sofronov, Yu.N. Makurin, A.L. Ivanovskii // Inorganic Materials 2006. Vol. 42, № 10. P. 1168-1170.
[1]. Курка В. А. Вплив матеріалу матриці на електричні властивості електричних матеріалів / В. А. Курка, К. В. Кириленко, А. В. Лабенський, В. Я. Петровський // Керамика: наука и жизнь. 2011. - № 2 (12). С. 52-62.
[1]. Petrovsky V. Ya. Densification, microstructure and properties of electroconductive Si3N4-TaN composites. Part II: Electrical and mechanical properties / V. Ya. Petrovsky, Z. S. Rak // J. Eur. Ceram. Soc. 2001. 21. P.237-244.
[1]. Huang J. L. Microstructure, chemical aspects and mechanical properties of TiB2/Si3N4 and TiN/Si3N4 composites / J. L. Huang, S. Y. Chen, M. T. Lee // J. Mater. Res. 1994 - Vol. 9, No. 9. P. 23492354.
[1]. Gogotsi Y. G. Review: particulate silicon nitride based composite / Y. G. Gogotsi // J. Mater. Sci. 1994. Vol. 29., No. 10 P. 25412556.
[1]. Yao Z. Molybdenum silicide based materials and their properties / Z. Yao, J. Stiglich, T. S. Sudarshan // J. Mater. Eng. Perform. 1999. Vol. 8, No. 3 P. 291304.
[1]. Köbel S. MoSi2Al2O3 electroconductive ceramic composites // S. Köbel, J. Pluschke, U. Vogt, T. J. Graule // Ceram. Inter. 2004. Vol. 30, Is. 8 - P. 21052110.
[1]. W. Reactive hot pressing of ZrB2SiCZrC ultra high-temperature ceramics at 1800°C / W. W. Wu, G. J. Zhang, Y. M. Kan, P.L. Wang // J. Am. Ceram. Soc. 2006. Vol. 89, No. 9. - P. 29672969.
[1]. Blugan G. Microstructure, mechanical properties and fractography of commercial silicon nitride-titanium nitride composites for wear applications / G. Blugan, M. Hadad, J. Janszak-Rusch, J. Kuebler, T. Graule // J. Am. Ceram. Soc. 2005. Vol. 88., Is. 4 P. 926933.
[1]. Janney M. A. Gelcasting SiAlON radomes / M. A. Janney, C. A. Walls, D. M. Kupp, K.W. Kirby// A. Ceram. Soc. Bull. 2004. P. 9201-9206.
[1]. Kirby K. W. Gelcasting of Ceramic radomes in the Si3N4-Al2O3-AlN-SiO2 system / K.W. Kirby, A. Jankiewicz, D. Kupp, C. Walls, M. A. Janney // Mater. Tech. & Adv. Perf. Mater. 2001. Vol. 16, Is. 3. P. 187-190.
[1]. Sabia R. Surface chemistry of SiO2 and TiO2-SiO2 glasses as determined by titration of soot particles / R. Sabia, L. Ukrainczyk // J. Non-Crystalline Sol. 2000. Vol. 277. Р.19.
[1]. Гриценко В. А. Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 / В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, А. В. Шапошникова, Ю. Н. Мороков // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 9. С. 10411049.
[1]. Ye F. Synthesis of silicon nitride-barium aluminosilicate self-reinforced ceramic composite by a two-step pressureless sintering / F. Ye, L. Liu, J. Zhang, M. Iwasa, C.-L. Su // Composites Science and Technology. 2005. Vol. 65, Is. 11. P. 2233-2239.
[1]. Wu J. Preparation and properties of SiO2 matrix composites doped with AlN particles / J. Wu, J. Guo, B. Li. // J. Mater. Sci. 2000. Vol. 35, Is. 19. P. 4895-4900.
[1]. Wen G. Coenhanced SiO2-BN ceramics for high-temperature dielectric applications / G. Wen, G. L. Wu, T. Q. Lei, Y. Zhou, Z.X. Guo // J. Eur. Ceram. Soc. 2000. Vol. 20, Is. 12. P. 1923-1928.
[1]. Петровский В. Я. Роль жидкой фазы в формировании свойств сиалоновой керамики // CERAMICS’45. 1994. Р. 4150.
[1]. Ohashi M. Factors affecting mechanical properties of silicon oxynitride ceramics / M. Ohashi. Nakamura, K. Hirao, M. Toriyama, S. Kanzaki // Ceramics International. 1997. Vol. 23, Is. 1. P. 27-37
[1]. Ganesh I. An aqueous gelcasting route to dense -Si4Al2O3N6-0.5SiO2 ceramics / I. Ganesh, N. Thiyagarajan, D. C. Jana, P. Barik, G. Sundararajan // J. Am Ceram. Soc. 2008. Vol. 91, Is. 5. P. 1566-1571.
[1]. Ganesh I. Near-net shape -Si4Al2O3N6 parts by hydrolysis indused aqueous gelcasting process / I. Ganesh // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2009. Vol. 6, Is. 1 P.89-101.
[1]. Ganesh I. An aqueous gelcasting process for -Si4Al2O3N6 ceramics / I. Ganesh, N. Thiyagarajan, D. C. Jana, Y. R. Mahajan, G. Sundararajan // J. Am. Ceram. Soc. 2008. Vol. 91, Is. 9. P. 3121-3124.
[1]. Ganesh I. Hydrolysis induced aqueous gelcasting of -SiAlON-SiO2 ceramic composites: the effect of AlN additive / I. Ganesh, G. Sundararajan // J. Am. Ceram. Soc. 2010. Vol. 93, Is. 10. P. 3180-3189.
[1]. Yoshiya M. Theoretical study on the chemistry of intergranular glessy film in Si3N4-SiO2 Ceramics / M. Yoshiya, K. Tatsumi, I. Tanaka, H. Adachi // J. Am. Ceram. Soc. 2002. Vol. 85, Is. 1. P. 102-112.
[1]. Ganesh I. Develompent of -SiAlON based ceramics for radome applications / I. Ganesh // Processinf and Application of Ceramics. 2011. 5 [3]. P. 113-138.
[1]. Demir V. Pressureless sintering of Si3N4 ceramics with oxide additives in different packing powder / V. Demir, D. P. Thompson // J. Mater. Sci. 2005. Vol. 40. P. 1763-1765.
[1]. Yabuta K. Effect of heating rate on transition liquid-phase sintering of SiAlON ceramics / K. Yabbuta, H. Nishio // J. Ceram. Soc. Japan, Int. Edition. 1995. Vol. 103. P. 1288-1290.
[1]. Real C. Effect of grinding on the texture and reactivity of Si3N4 / C. Real, M. D. Alcala, J. M. Criado // J. Mater. Sci. 2004. Vol. 39. P. 5477-5481.
[1]. Lis J. Dense and /-SiAlON materials by pressureless sintering of combustion synthesized powders / J. Lis, S. Majorowski, J. Puszynski, V. Hlavacek // Ceram. Bul. 1991. Vol. 70, No. 10. P. 1658-1664.
[1]. Ржанов А. В. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1982. 200с.
[1]. Гриценко В. А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 277 с.
[1]. Balland B. Chapter 1: Silica, silicon nitride and oxynitride thin films: An overview of fabrication techniques, properties and applications / B. Balland, A. Glachant // Instabilities in Silicon Devices. 1999. Vol. 3. P. 3-144.
[1]. Гриценко В. А. Электронная структура нитрида кремния / В. А. Гриценко // УФН. 2012. Т. 182, №5. С. 531-541.
[1]. Гриценко В. А.. Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид / В. А. Гриценко // УФН. 2009. Т. 179., №9. С. 921-930.
[1]. Перевалов Т. В. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко // УФН. 2010. Т. 180, №6. С. 587-603.
[1]. Sokel R. I. The electronic structure of silicon nitride / R. I. Sokel // J.Phys. and Chem. Solids. - 1980. Vol. 41, No. 8. P. 899-906.
[1]. Bauer J. Optical properties, band gap and surface toughness of Si3N4 / J. Bauer // Phys. Status solidi А. 1977. Vol. 39, No. 2. - Р. 411-418.
[1]. Bagayoko D. Predicted electronic properties of cubic Si3N4 / D. Bagayoko, G. L. Zhao // Phys. C: Superconductivity. 2001. Vol. 364-365. P. 261-264.
[1]. Гриценко В. А. Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов времния / В. А. Гриценко // УФН. 2008. Т. 178, №7. С. 721-737.
[1]. Pacchioni G. Infra-red, electron paramagnetic resonance and X-ray photoemission spectral properties of point defects in silica from first-principle calculations / G. Pacchioni, M. Vitiello // J. Non-Cryst. Sol. 1999. Vol. 245, Is. 1-3. P. 175-182.
[1]. Shaposhnikov A. V. Hole trapping on the twofold-coordinated silicon atom in SiO2 / A. V. Shaposhnikov, V. A. Gritsenko, G. M. Zhidomirov, M. Roger // Phys. Sol. State. 2002. Vol. 44, No. 6. P. 985-987.
[1]. Warren W. L. Nature of traps in silicon nitride / W. L. Warren, J. Kanichi, J. Robertson, E. H. Poindexter, P. J. McWhorter // J. Appl. Phys. - 1993. - Vol. 74, No. 5. - P. 4034-4037.
[1]. Гриценко В. А. Численное моделирование собственных дефектов в SiO2 и Si3N4 / В. А. Гриценко, Ю. Н. Новиков, А. В. Шапошников, Ю. Н. Мороков // ФТП. 2001. - Т.35, № 9. - С. 1041-1049.
[1]. Mott N. F. Conduction in non-crystalline materials. III. Localized states in a pseudogap and near extremities of conduction and valence bands / N. F. Mott // Phil. Mag. 1969. - №19. С.835-852.
[1]. Якимов А. И. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов сепрлокации в пористом α-Si:H / А. И. Якимов, Н. П. Степина // ЖЭТФ. 1997. 112, вып. 3 (9). С.926-935.
[1]. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. М.: Мир, 1983. - Т. 1, 2.
[1]. Транспортные явления в нанокомпозитах металл-диэлектрик с аморфной структурой: сборник тезисов Второй Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО-2007» (1316 март. 2007г.) / Ю. Е. Калинин, И. А Свито Новосибирск, 2007. С.162.
[1]. Гудаев О. А. Электропроводность полярных неупорядодоченных материалов при многофононных переходах / О. А. Гудаев, В. К. Малиновский // ФТТ. - 1992. - Т. 34, № 2. - С. 548-553.
[1]. Гудаев О. А. Транспорт заряженных носителей и эмпирическое правило Мейера - Нелделя в неупорядоченных материалах / О. А. Гудаев, В. К. Малиновский // ФТТ. - 1995. - Т. 37. № 1. - С. 79-90.
[1]. Гудаев О. А. Прыжковый механизм переноса заряда в квазикристаллах бора и его соединений / О. А. Гудаев, В. К. Малиновский // ФТТ. - 2002. - Т. 44. № 5. - С. 805-810.
[1]. Кобка В. Г. Об электропроводности поликристаллических полупроводников / В.Г. Кобка, Р. П. Комиренко // Физика полупроводников. 1982. - 12. С. 2176-2178.
[1]. Nakamura M. Evaluation of the effective-medium theory in a static conduction field / M. Nakamura // Phys. Rev. B: Condens. Mat. 1983. Vol. 28, Is. 4. - P. 2216-2218.
[1]. Baccarani G. Recystallization characteristics of polycrystalline silicon films amorphized by germanium ion implantation / G. Baccarani, B. Ricco // J. Appl. Phys. - 1978. № 49. P. 383-387.
[1]. Kočka J. Microcrystalline Silicon Relation between Transport and Microstructure / J.Kočka, H. Stuchlikova // Solid State Phenomena. - 2001. - № 80-81. - Р. 213-224.
[1]. Nicolau A. Electrical impedance spectroscopy of epoxy systems II: Molar fraction variation, resistivity, capacitance and relaxation processes of 1,4-butanediol diglycidyl ether/succinic anhydride and triethylamine as initiator / A. Nicolau, A. M.Nucci. // Eur. Polym. J. 2007. - № 43. Р. 2708-2717.
[1]. Alim M. A. Analysis of the AC electrical data in the DavidsonCole dielectric representation / M. A. Alim, S. R. Bissell, A. A. Mobasher // Phys. B. 2008. № 403. P. 30403053.
[1]. Cole K. S. Dispersion and Absorption in Dielectrics I. Alternating Current Characteristics / K. S. Cole, R. H. Cole // J. Chem. Phys. 1941. - № 9. Р. 341-352.
[1]. Davidson D. W. Dielectric Relaxation in Glycerine / D. W. Davidson, R. H.Cole // J. Chem. Phys. 1950. - № 18 (10). Р. 1417.