catalog / TECHNICAL SCIENCES / Solid-state electronics, radio electronic components, micro- and nanoelectronics, devices based on q
скачать файл:
- title:
- Рубан Олег Альбертович. Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
- university:
- ФГБУН Физико-технологический институт Российской академии наук
- The year of defence:
- 2018
- brief description:
- Рубан Олег Альбертович. Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики: автореферат дис. ... кандидата Технических наук: 05.27.01 / Рубан Олег Альбертович;[Место защиты: ФГБУН Физико-технологический институт Российской академии наук], 2018
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб