Сафонов Данил Андреевич Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием

brief description

Сафонов Данил Андреевич Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Сафонов Данил Андреевич
Введение

Глава 1. Электронные транспортные свойства КЯ на основе GaAs

1.1. Двумерный электронный газ

1.1.1. Плотность состояний двумерного электронного газа

1.1.2. Механизмы рассеяния

1.2. Формирование ДЭГ в РНЕМТ AlGaAs/InGaAs/GaAs

1.3. Обзор параметров электронного транспорта

1.3.1. Стандартные НЕМТ квантовые ямы с однородным барьером

1.3.2. Другие арсенидные структуры на основе АШВУ

1.4. Выводы по главе

Глава 2. Экспериментальные и теоретические методики

2.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия

2.2. Установка исследования электронных транспортных свойств при низких температурах

2.3. Методика определения параметров электронного транспорта

2.4. Выводы по главе

Глава 3. Исследование свойств квантового электронного транспорта PHEMT квантовых ям, управление структурой электронных состояний

3.1. РНЕМТ КЯ AlGaAs/InGaAs/GaAs с однородным барьером и односторонним 5-легированием

ше образцов и расчет зонной структуры

кность и концентрация электронов

зоводимость в РНЕМТ квантовых ямах при различи

гивные массы электронов, транспортные и квантов :сации

но-легированные квантовые ямы

ше образцов и расчет зонной структуры

Заключение

Список сокращений и условных обозначений Список литературы

108