catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Дерягин, Николай Германович. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава
- university:
- Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург
- The year of defence:
- 1995
- brief description:
- Дерягин, Николай Германович. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург, 1995.- 20 с.: ил. РГБ ОД, 9 95-2/1830-6
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб