Двухпучковое взаимодействие на фоторефрактивных решетках в планарных волноводах на кубических кристаллах Саликаев, Юрий Рафаэльевич

brief description

Саликаев, Юрий Рафаэльевич.
Двухпучковое взаимодействие на фоторефрактивных решетках в планарных волноводах на кубических кристаллах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.03. - Томск, 1999. - 173 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Саликаев, Юрий Рафаэльевич
Содержание
Введение
Глава 1. Фоторефрактивные эффекты в электрооптических кристаллах и оптических волноводах на их основе
1.1. Одноуровневая модель зонного переноса в ФРК
1.1.1. Зонная модель ФРК
1.1.2. Материальные уравнения
1.1.3. Приближения малых контрастов интерференционной картины
1.1.4. Фотогальванический механизм формирования фоторефрактивных
решеток
1.1.5. Диффузионный механизм формирования фоторефрактивных
решеток
1.1.6. Формирование фоторефрактивньш,решеток во внешних
электрических полях
1.2. Механизмы изменения оптических свойств кристалла
1.3. Двухпучковое взаимодействие световых волн в ФРК
1.4. Распространение световых волн в оптических планарных волноводах
1.4.1. Способы создания планарных волноводов на основе ФРК
1.4.2. Волноводные моды в планарных волноводах со ступенчатым
профилем показателя преломления
1.4.3. Волноводные моды в планарных волноводах с параболическим
профилем
1.4.4. Волноводные моды в планарных волноводах с профилем 1/ch2
1.5. Фоторефрактивные эффекты в планарных волноводах
Глава 2. Формирование поля пространственного заряда в планарных волноводах
2.1. Основные уравнения процесса формирования поля ПЗ в планарном
волноводе
2.2 Начальный участок записи
2.2.1. Граничные условия
2.2.2. Частный случай малых периодов решетки или малых диффузионных
длин
2.2.3. Формирование поля ПЗ в случае произвольных соотношений между
диффузионной длиной и масштабами пространственной
неоднородности
2.3 Стационарный режим формирования поля ПЗ
2.3.1. Частный случай слабых изменений средней концентрации электронов
в зоне проводимости
2.3.2. Поле ПЗ в стационарном режиме в случае произвольных
соотношений между дебаевским радиусом экранирования и масштабами пространственной неоднородности
2.4 Уравнения для волноводов с короткой диффузионной длиной и с отсутствием
насыщения ловушек
2.5 Численный анализ компонент поля ПЗ для волноводов с различными
профилями показателя преломления
2.5.1 Параметры профилей показателя преломления
2.5.2 Начальный участок записи
2.5.3 Стационарный режим формирования поля ПЗ
2.5.4 Волноводы с короткой диффузионной длиной и с отсутствием
насыщения ловушек
Выводы к главе 2
Глава 3. Формирование поля пространственного заряда в планарных волноводах в
присутствии внешнего поля
3.1. Основные уравнения для поля ПЗ в планарном волноводе в присутствии
внешнего поля
л"
3.2. Приближения малых контрастов интерференционной картины
3.3. Стационарный режим формирования поля ПЗ
3.3.1. Постоянное поле
3.3.2. Переменное поле
3.4. Численный анализ процесса формирования поля ПЗ в волноводе
Выводы к главе 3
Глава 4. Двухпучковые взаимодействия в планарных волноводах
4.1. Уравнения связанных волн для взаимодействия волноводных мод
4.2 Константа двухпучковой связи для волноводов на кубических кристаллах
4.3 Эффективные электрооптические коэффициенты при различных ориентациях
подложки
4.3.1. Волноводы на срезе (110)
4.3.2. Волноводы на срезе (111)
4.2.3. Волноводы на срезе (100)
4.4 Параметры перекрытия для рассмотренных механизмов формирования поля
ПЗ
4.4.1. Диффузионный механизм формирования поля ПЗ
4.4.2. Формирование поля ПЗ во внешних постоянных электрических
полях
4.4.3. Формирование поля ПЗ во внешнем переменном электрическом поле
вдоль вектора решетки
4.5 Исследование двухпучкового усиления в волноводах на силленитах
4.5.1. Экспериментальное исследование двухпучкового усиления в
волноводе Bii2TiO20/Bi,2GeO20 при диффузионном механизме записи
4.5.2. Динамика фоторефрактивного отклика в волноводе
Bi12TiO20/Bi,2GeO20 при диффузионном механизме
записи
4.5.3. Экспериментальное исследование двухпучкового усиления в
волноводе Bij2TiO20/Bi,2GeO20 при дрейфовом механизме записи во
внешнем знакопеременном поле
Выводы к главе 4
Заключение
Литература