Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников Иванов, Владимир Григорьевич

brief description

Иванов, Владимир Григорьевич.
Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Новгород, 1999. - 316 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Иванов, Владимир Григорьевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Методика эксперимента. Получение атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых катодов.
1.1. Конструкции экспериментальных приборов
1.2. Технология изготовления полупроводниковых автоэмиссионных катодов.
1.3. Вакуумная гигиена и откачка экспериментальных приборов.
1.4. Геттеры.
1.5. Источники кислорода и их калибровка.
1.6. Основные схемы измерений.
1.7. Особенности очистки поверхности полупроводниковых автокатодов (р- и п-типа) десорбцией электрическим полем
1.7.1. Автоэмиссионное изображение германиевых эмиттере
1.7.2. Автоэмиссионные изображения кремниевых эмиттеров
1.7.3. Получение автоэмиссионных изображений атомарно-чистых поверхностей арсенид галлиевых эмиттеров.
1.8. Выводы.
ГЛАВА II. Автоэмиссионные характеристики автокатодов из полупроводников р-типа.
2.1. Основные элементы теории автоэлектронной эмиссии металлов.
2.2. Теория автоэлектронной эмиссии полупроводников.
2.3. Экспериментальные вольтамперные характеристики
ВАХ).
2.3.1. Влияние технологических факторов на вид ВАХ полупроводниковых катодов
2.3.2. Зависимость вида ВАХ от геометрии и удельного сопротивления автокатодов.
2.3.3. Теоретическая интерпретация нелинейности ВАХ.
2.3.4. Влияние поверхностных состояний на автоэлектронную эмиссию полупроводников.
2.3.5. Исследование внутреннего пробоя в сильных электрических полях при автоэмиссии р-типа полупроводников
2.3.5.1. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии германия.
2.3.5.2. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии кремния.
2.3.5.3. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии GaAs.
2.3.5.4. Обсуждение результатов исследований внутреннего пробоя р-типа полупроводников.
2.3.6. Особенности ВАХ р-типа германия с объемным дефектом.
2.3.7. Полевая электронная эмиссия из волокон стеклообразного полупроводника.
2.4. Выводы.
ГЛАВА III. Адсорбция кислорода на р-типа германии и арсениде галлия.
3.1. Общий вид ВАХ интегрального тока системы «Ge-02»
3.2. Автоэмиссионные изображения Ge при адсорбции кислорода.
3.3. Особенности поведения автоэлектронной эмиссии из
GaAs при адсорбции кислорода.
3.3.1. Вольтамперные характеристики из высокоомного ваАв.
3.3.2. ВАХ из низкоомного ОаАэ.
3.3.3. Обсуждение результатов.
3.4. Выводы.
ГЛАВА IV. Влияние сильного электрического поля на адсорбцию кислорода на германии и арсениде галлия.
4.1. Наблюдение эффекта электроадсорбции в автоэмиссионном микроскопе.
4.2. Общий вид интегральных вольтамперных характеристик системы «германий-кислород».
4.2.1. Особенности интегральных ВАХ и работы выхода при относительно больших (~10"5 Тор мин.) экспозициях в кислороде.
4.2.2. Особенности ВАХ и работы выхода <р при малых экспозициях в кислороде (~10"6 Тор мин.).
4.3. Исследования пороговых полей электроадсорбции кислорода на отдельных гранях монокристаллического германия.
4.4. Влияние структуры поверхности германия на закономерности электроадсорбции кислорода.
4.5. Определение энергии активации адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности германия методом изотерм Аррениуса.
4.6. Электроадсорбция кислорода на ОаАв.
4.7. Выводы.
ГЛАВА V. Эпитаксиальный рост германия на германии в автоэмиссионом микроскопе.
5.1. Эпитаксиальный рост ве на атомарно-чистой поверхности германия.
5.2. Влияние загрязнений на эпитаксиальный рост ве на Ое
5.3. Влияние дефектов на эпитаксиальный рост йе на ве.
5.4. Выводы.
ГЛАВА VI. Стабильность автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых автокатодов.
6.1. Стабильность эмиссии с одиночных полупроводниковых автоэмиссионных катодов.
6.2. Стабильность эмиссии электронов из лезвийных полупроводниковых автокатодов.
6.3. Выход автокатодов из строя в процессе испытания на стабильность эмиссии.
6.4. Выводы.