Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика Бережной, Игорь Геннадьевич

brief description

Бережной, Игорь Геннадьевич.
Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Самара, 1999. - 163 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Бережной, Игорь Геннадьевич
Перечень используемых сокращений
Список условных обозначений
Введение
1. Методика получения образцов и измерения их характеристик
1.1. Методика изготовления кремниевых МДП-структур с диэлектрическими плёнками из оксидов гадолиния, иттербия, лютеция и самария
1.2. Методика измерения электрических характеристик структур и экспериментальные установки для проведения измерений
1.3. Методика исследования фотоэлектрических характеристик МДП-структур и экспериментальные установки
2. Анализ вольтамперных зависимостей и особенностей электрического пробоя структур МДП с оксидами редкоземельных металлов
2.1. Вольтамперные характеристики систем А1-ОРЗЭ
2.2. Исследование характеристик и механизма электрического пробоя плёнок ОРЗЭ в кремниевых МДП-структурах. Кинетические характеристики электрического пробоя.
3. Исследование свойств границы раздела кремний - ОРЗЭ методом высокочастотных вольтфарадных характеристик и кинетических зависимостей мкости
3.1. Анализ вольтемкостных характеристик
3.2. Анализ зависимостей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь от прикладываемого напряжения
3.3. Влияние технологии изготовления диэлектрических плёнок на электрические характеристики МДП-структур
3.4. Кинетические зависимости ёмкости при неравновесном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда. Свойства границы раздела кремний - ОРЗЭ
3.5. Влияние света на генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых МДП-структурах с плёнками оксида 8т и УЪ
3.6. Зависимость генерационных параметров МДП-структур от технологических условий изготовления диэлектрической плёнки.
4. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из оксидов редкоземельных элементов
4.1. Метод фотоинжекции и аналитическое выражение для фотоинжек-ционного тока
4.2. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из ОРЗЭ методом спектральных зависимостей фототока
4.3. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из ОРЗЭ методом вольтаических зависимостей фототока
5. Особенности захвата носителей заряда в кремниевых МДП-системах под действием излучения.
5.1. Закономерности накопления пространственного заряда в МДП-структурах под действием облучения
5.2. Исследование особенностей накопления заряда под влиянием ультрафиолетового излучения в кремниевых МДП-системах с ОРЗЭ
6. Исследование параметров ловушек в диэлектрических слоях ОРЗЭ
6.1. Методика определения локализации и плотности захваченного заряда в объёме диэлектрика
6.2. Изучение активных центров захвата заряда в диэлектрических плёнках оксидов 8ш, Оё, УЬ
6.3. Определение сечения захвата и плотности электронных ловушек в объеме диэлектрических пленок оксида самария и иттербия
6.4. Энергетическая глубина залегания электронных ловушек в диэлектрических плёнках оксидов самария и иттербия
6.5. Пространственное распределение захваченного заряда
ПЕРЕЧЕНЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
БИС- большая интегральная схема,
ВАХ- вольт-амперная характеристика,
ВФХ- вольт-фарадная характеристика,
ДП- диэлектрик - полупроводник, дм- диэлектрик - металл, мдп- металл-диэлектрик-полупроводник,
Ме- металл,
МОП- металл-оксид-полупроводник,
ОПЗ- область пространственного заряда,
ОРЗЭ- оксид редкоземельного элемента,
ПС- поверхностные состояния,
РЗЭ- редкоземельный элемент,
РЗМ- редкоземельный металл,
СБИС- сверхбольшая интегральная схема,
УФ- ультрафиолетовый (-ое).
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИИ
Епр Е время задержки пробоя, диэлектрическая проницаемость, круговая частота прикладываемого сигнала, удельное сопротивление диэлектрика, время жизни неосновных носителей заряда, поверхностный потенциал, сдвиг вольтаических зависимостей по оси напряжения, ёмкость МДП-структуры, ёмкость диэлектрика, толщина диэлектрика, напряжённость электрического поля, энергия активации проводимости, напряжённость поля пробоя, уровень энергии в полупроводнике, соответствующий середине запрещенной зоны,
N88 Рс проводимость, постоянная Планка, сила тока, фототок, скорость нарастания пилообразного напряжения, длина свободного пробега электрона в диэлектрике, собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике, плотность поверхностных состояний, мощность падающего излучения, заряд электрона, заряд поверхностных состояний, нагрузочное сопротивление,