Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена Сумец, Максим Петрович

brief description

Сумец, Максим Петрович.
Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Воронеж, 1999. - 181 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Сумец, Максим Петрович
Введение
Глава 1. Электронные свойства и структура поверхности ваАв и границ раздела в гетероструктурах на основе ваЛв
1.1. Реконструкция и релаксация поверхности полупроводников И
1.2. Пассивация поверхности арсенида галлия
1.3. Процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при ее обработке халькогенами
Глава 2. Формирование гетероструктур на основе ваАв обработкой в парах селена..
2.1 Обработка поверхности ваАБ в парах селена и формирование гетероструктур Оа28е3-ОаА8
2.2. Электронографическйй анализ поверхности ваАБ, обработанной в парах селена и гетерограницы
ОагБез/ваАБ
Глава 3. Электрические свойства гетероструктур на основе арсенида галлия, полуенных обработкой в парах селена
3.1. Вольт-амперные характеристики
3.2. Вольт-фарадные характеристики
3.3. Энергетический спектр электронных состояний в системах на основе ваАБ, обработанного в парах селена.
Глава 4. Пассивация поверхности арсенида галлия слоем селенида галлия
4.1. Реконструирование поверхности арсенида галлия после обработки ее в парах селена
4.2. Пассивирующее воздействие обработок