Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S Турчен, Дмитрий Николаевич

brief description

Турчен, Дмитрий Николаевич.Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.01. - Воронеж, 1999. - 159 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат химических наук Турчен, Дмитрий Николаевич
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Литературньш обзор
1.1. Система Се-АБ и диарсенид германия
1.1.1. Система Ое-АБ
1.1.2 Область гомогенности ОеА82 по
результатам электрофизических измерений
1.1.3. Структура диарсенида германия
1.2. Система Оа-Бе
1.2.1. Промежуточные соединения и фазовые равновесия
в системе Са-Бе
1.2.2. Моноселенид галлия: его структура
и некоторые свойства
1.3. Система Са-Э
1.3.1. Промежуточные соединения и фазовые равновесия
в системе Оа-Э
1.3.2. Моносульфид галлия и его некоторые свойства
Глава 2. Методика эксперимента
2.1. Стандартный вариант использования нуль-манометрического метода
2.1.1 Манометрическая установка и
особенности проведения эксперимента
I
2.1.2. Усовершенствования, внесенные в схему эксперимента
2.1.3. Постановка эксперимента, получение
и представление результатов
2.2. Нуль-манометрический метод исследования фазовых диаграмм малолетучих бинарных фаз
при помощи третьего компонента
2.2.1. Общие положения разработанного метода
2.2.2 Возможность использования иодидов
галлия в исследованиях фазовых диаграмм монохалькогенидов галлия
2.2.3. Постановка эксперимента, получение
и представление результатов
2.3 Использование нуль-манометрического метода
для сканирования областей гомогенности бинарных фаз по растворимости газов в расплавах
2.4. Оценка погрешностей в используемых методах
2.5. Характеристики используемых веществ
и синтез исследуемых фаз
Глава 3. Фазовые равновесия в системе Ge-As и область
гомогенности диарсенида германия
3.1. Построение P-T проекции области
гомогенности диарсенида германия
3.2. Построение T-X проекции области гомогенности диарсенида германия
3.3. Определение точки конгруэнтного плавления GeAs2
3.4. Особенности области гомогенности GeAs2
Глав^ 4. Фазовые равновесия в системе Ga-Se и Ga-S. Области
гомогенности моноселенида и моносульфида галлия
4.1. Фазовая диаграмма и область гомогенности
моноселенида галлия
4.1.1. Фазовые равновесия в системе Ga - Se по результатам нуль-манометрического метода с третьим компонентом
4.1.1.1. Равновесия при гетерогенном характере конденсированной части системы
4.1.1.2. Область гомогенности GaSe
4.1.2. Границы области гомогенности GaSe по результатам растворимости газов в расплавах
4.1.3. Температурная зависимость парциального давления паров галлия при различных характерах равновесий
4.1.3.1 Равновесие сплавов Gai_xSex с паром при использовании хлора в качестве
вспомогательного компонента
4.1.3.2. Температурная зависимость парциального давления паров галлия: сравнение результатов при использовании
хлора и иода как вспомогательных компонентов
4.2. Управляемый синтез селенидов галлия
заданного состава
4.3. Фазовые равновесия в системе Ga - S
4.3.1. Данные по Т-Х проекции
4.3.2. Р-Т проекция фазовой диаграммы системы Ga-S
Глава 5. Обсуждение результатов
5.1. Дефектообразование в кристалле
моноселенида галлия
5.2. Сопоставление результатов косвенного и прямого исследования области гомогенности GeAs2
5.3. Интеркалация как образование дефектов межслоевого внедрения
5.4. Место рассматриваемых соединений среди
слоистых фаз
Выводы
Список литературы
Приложение
Приложение №1
Приложение №2