Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии Пигулевский, Александр Флавиевич

brief description

Пигулевский, Александр Флавиевич.
Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ленинград, 1984. - 176 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Пигулевский, Александр Флавиевич
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЭНЕРПЗТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА flzB
И ЕЕ ЭКСПЕРИЖНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
I.I. Характер электронной связи и кристаллическая структура соединений fl2.Be Ю
1.2. Зонные структуры соединений АЛ
1.3. Особенности электронной структуры поверхности соединений Вб
1.4. Экспериментальное исследование электронной энергетической структуры объема и поверхности
1.4.1. Исследование соединений оптическими методами
1.4.2. Фотоэлектронные исследования
1.4.3. Исследование соединений группы ^г^б методами вторично-электронной спектроскопии
1.5. Выводы и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОСКОПИИ ВТОРИЧНЫХ
ЭЛЕКТРОНОВ И УСЛОВИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Физические основы методов низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии
2.1.1. Проявление электронной структуры твердого тела в спектроскопии характеристических потерь энергии электронов
2.1.2. Особенности проявления энергетической структуры зон в спектрах полного^тока
2.1.3. Определение особенностей функции J/v (В) и j/z (Е) из совместного анализа данных ОПТ и СХПЭ
2.1.4. Определение особенностей функции *Л/С ( £) из совместного анализа данных ОПТ и фотоэмиссионной спектроскопии
2.1.5. Особенности проявления в спектрах полного тока порогов возбу?кдения внутренних электронных уровней атомов
2.1.6. Определение методом СПТ изменений работы выхода
2.2. Экспериментальная установка
2.2.1. Вакуумная часть
2.2.2. Электрическая схема спектрометра полного тока
2.2.3. Спектрометр вторичных электронов
2.3. Выводы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СУЛЬФИДА
КАДМИЯ МЕТОДАМИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
3.1. Исследование особенностей энергетической структуры плотностей валентных и незаполненных состояний
3.1.1. Сравнительный анализ спектров различных поверхностей CdS
3.1.2. Определение структуры плотностей состояний зоны проводимости CdS с использованием данных ФЭС
3.1.3. Определение структуры плотности состояний зоны проводимости CdS из совместного анализа данных СПТ и СХПЭ
3.2. Проявление d- состояний кадмия в спектрах полного тока
3.3. Проблема регистрации сильносвязанных состояний атомов в методе СПТ
3.4. Электронная структура поверхности CJS со сниженной работой выхода П
3.5. Выводы I2Q
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РЯДА СОЕДИНЕНИЙ
ГРУППЫ Я2В6: CdSe, CdTe,7nS, ZnSe.
4.1. Исследование селенида и теллурида кадмия
4.2. Исследование халькогенидов цинка
4.3. Сводка результатов по исследованию распределения плотности состояний соединений
4.4. Выводы
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ йг Вб ,РАЗУП0РЯ-ДОЧЕННОЙ ПРИ ИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
5.1. Влияние разупорядоченности кристаллической структуры на распределение плотности электронных состояний
5.2. Исследование методом СПТ влияния ионной бомбардировки Йг на структуру электронных состояний
5.2.1. Экспериментальные результаты
5.2.2. Обсуждение результатов
5.3. Выводы