Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления Азарян, Р.Э.

brief description

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Азарян, Р.Э.
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. Основы физики процесса выключения тиристора током управления.
1.1. Статические и динамические характеристики запираемого тиристора (одномерное приближение).Ю
1.2. Неодномерные явления при запирании тиристора базовым током управления.
1.3. Схемно-конструктивные варианты переключающихся полупроводниковых элементов (устройств),выключаемых действием тока управления.
Выводы по первой главе.
Слава II.Теоретическое и экспериментальное исследование статических параметров рпрп структур, выключаемых током управления.
Введение.
2.1. Анализ зависимости коэффициента запирания тиристора от величины анодного тока.
2.2. Исследование физической природы повышенных остаточных падений напряжения ^|^йрц;лс^руктурах.
2.2.1. Феноменологический анализ вольтамперной характеристики рпрп структуры, находящейся во включённом состоянии.
2.2.2. Экспериментальное исследование стационарного распределения потенциала и заряда в рпрп и рппрп структурах. Обсуждение результатов.
Выводы по второй главе.8С*
ГлаваШ. Экспериментальное исследование неодномерных, нестационарных процессов в запираемом тиристоре. 3.1. Исследование неодномерного нестационарного распределения заряда в структуре запираемого тиристора методом регистрации рекомбинационного излучения.
3.1.1. Определение требований к параметрам экспериментальной установки. Описание установки. Методика измерений.
3.1.2. Градуировка установки.
3.1.3. Исследование процессов принудительного, нестационарного шнурования тока и разрыва токового шнура в запираемом тиристоре.
3.2. Исследование динамики электрического поля в базовых слоях рпрп структуры при выключении её током управления.
3.2.1. Измерительная установка. Методика измерений.
3.2.2. Процесс восстановления области пространственного заряда в запираемом тиристоре при низких уровнях концентрации электронно-дырочной плазмы в базовых областях и небольших анодных напряжениях.
3.2.3. Динамическое распределение поля в процессе запирания тиристора при высоких уровнях концентрации электронно-дырочной плазмы в базовых областях и больших анодных напряжениях.
Выводы по третьей главе. лава1У. Тепловые и полевые эффекты при запирании тиристора, как факторы ограничения предельной переключаемой мощности. № которые вопросы конструирования и применения мощных запираемых тиристоров.
Введение.
4.1. Тепловой механизм деградации и ограничения переключаемой мощности.
4.1Л. Постановка задачи. Экспериментальные результаты. 127 4.1.2. Теоретический анализ теплофизической модели структуры запираемого тиристора, учитывающий объёмный характер тепловыделения.
Стр.'
4.2.Полевой механизм ограничения переключаемой мощности.
4.3.Некоторые вопросы конструирования и применения мощных запираемых тиристоров.
4.3.1.Исследование запираемых тиристоров с защунтиро-ванным катодным п+р переходом.
4.3.2.Исследование процесса запирания многокатодной рпрп- структуры.