Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе Чалдышев, Владимир Викторович

brief description

Чалдышев, Владимир Викторович.
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 264 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Чалдышев, Владимир Викторович
Б в е д е н и е
Глава I. Зонная структура и свойства твердых растворов на основе арсенида галлия (обзор литературы).
§ I.I. Арсенид галлия
1.1.1. Зонная структура и некоторые фундаментальные свойства. i
1.1.2. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Теоретические представления
1.1.3. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Экспериментальные результаты
§ 1.2. Твердые растворы на основе арсенида галлия.
1.2.1. Зонная структура твердых растворов.
1.2.2. Особенности разбавленных твердых растворов. Изовалентное легирование
1.2.3. Закономерности дефектообразования в гете-роэпитаксиальных структурах на основе твердых растворов соединений
1.2.4. Особенности излучательной рекомбинации в твердых растворах полупроводников
Глава 2. Методика исследований и обработки спектров фотолюминесценции
§ 2.1. Требования к экспериментальной установке . М
§ 2.2. Блок-схема установки.'
§ 2.3. Монохроматор и фотоприемники
§ 2.4. Коррекция спектров фотолюминесценции .?В
Глава 3. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного изовалентными цримесями сурьмой, индием и висмутом.
§ 3.1. Методика получения и характеристики эпитак-сиальных пленок арсенида галлия, легированного изовалентными цримесями
§ 3.2. Структура и некоторые параметры спектров фотолюминесценции Gafls , легированного и Bi
3.2.1. Основные механизмы излучательной рекомби
4 нации
3.2.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава разбавленных твердых растворов
Sals„ S&„ и КЛ.
3.2.3. Зависимость эффективности излучательной рекомбинации от концентрации изовалентных примесей в арсениде галлия
§ 3.3. Влияние изовалентного легирования на состояние мелких примесей . J
3.3.1. Концентрация и распределение амфотерных цри-месей по подрешеткам
3.3.2. Энергия ионизации мелких примесей
§ 3.4. Влияние изовалентного легирования на глубокие примесные центры.
§ 3.5. Обсуждение экспериментальных результатов. Механизмы взаимодействия изовалентных примесей с ансамблем точечных дефектов кристалла . lk&
§ 3.6. В ы в о д ы
- к
Глава 4. Теория люминесценции неоднородных твердых растворов полупроводников . (
§ 4.1. Распределение неравновесных носителей заряда i
§ 4.2. Спектры люминесценции при плавном потенциале неоднородностей . 16Ъ
§ 4.3. Излучательная рекомбинация свободных носителей. Резкий потенциал неоднородностей.
§ 4.4. Излучательная рекомбинация локализованных носителей. Резкий потенциал неоднородностей . 47J
§ 4.5. Влияние переизлучения на спектры люминесценции неоднородных полупроводниковых твердых растворов
§ 4.6. Обсуждение результатов
§ 4.7. Выв о д ы.
Глава 5. Фотолюминесценция неоднородных твердых растворов
GclA^JK
§ 5.1. Методика получения и характеристики образцов
§ 5.2. Структура спектров фотолюминесценции
Изменение состояния мелких примесей
§ 5.3. Влияние дислокаций несоответствия на эффективность излучательной рекомбинации в
§ 5.4. Неоднородности распределения компонент твердого раствора
§ 5.5. В ы в о ды а к л ю ч е н и е
Литера т у р а