Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов Ушаков, Виктор Валентинович

brief description

Ушаков, Виктор Валентинович.
Люминесценция арсенида и фосфида галлия, содержащих ионно-имплантированные примеси переходных элементов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1985. - 194 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ушаков, Виктор Валентинович
ВВЕДШИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ЦЕНТРОВ ПЕРЕХОДНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ A%y
1.1. Примеси переходных элементов в полупроводниках aV.IO
1.1.1. Состояния примесных центров в кристаллах.
1.1.2. Оптические переходы.
1.2. Модель электронной структуры примесных центров. 14 Основные положения и параметры теории кристаллического поля.
1.3. Электрон-фононное взаимодействие.
1.3Л. Модель электрон-фононного взаимодействия.
1.3.2. Отсутствие электронного вырождения. Адиабатическое приближение.
1.3.3. Электронное вырождение. Эффект Яна-Теллера.
1.4. Форма спектральных полос.
1.4.1. Взаимодействие с адиабатическими колебаниями.
1.4.2. Взаимодействие с неадиабатическими колебаниями.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА И АППАРАТУРА
2.1. Люминесцентный метод исследования.
2.2. Люминесценция и ионная имплантация.
2.3. Экспериментальная установка.
2.4. Приготовление образцов.
2.5. Методические ограничения.
ГЛАВА 3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ,
ИМПЛАНТИРОВАННЫХ В АРСЕНИД И ФОСФИД ГАЛЛИЯ
3.1. Элементы I переходного периода.
3.1.1.Ванадий.
3.1.2. Титан.
3.2. Элементы 2 и 3 переходных периодов.
3.2.1. Ниобий, тантал.
3.2.2. Вольфрам.
3.3. Основные результаты.
ГЛАВА 4. ПРИМЕШО-ДЕШШШЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА И СВОЙСТВА кристаллов GaAs и GaP, содержащих шшлантированные примеси переходных элементов
4.1. Изохронный отжиг.
4.1.1. Арсенид галлия.
4.1.2. Фосфид галлия.
4.2. Влияние температуры подложки при имплантации.
4.2.1. Свойства GflAs , имплантированного при повышенных температурах.
4.2.2. Свойства SciP , имплантированного при повышенных температурах.
4.2.3. Свойства GaAs и GaP , имплантированных при пониженной температуре.
4.3. Дозовые зависимости.
4.4. Послойное стравливание.
4.4.1 Арсенид галлия.
4.4.2. Фосфид галлия».
4.5. Положение атомов имплантированных примесей в кристаллах.
4.6. Измерения квантового выхода.
4.7. Основные результаты.