Маркевич Сергій Михайлович. Удосконалення технології вирощування монокристалів GaAs для детекторів рентгенівського та y-випромінювання

brief description

Маркевич Сергій Михайлович. Удосконалення технології вирощування монокристалів GaAs для детекторів рентгенівського та y-випромінювання : Дис... канд. наук: 05.27.06 2008
Маркевич С.М. Удосконалення технології вирощування монокристалів GaAs для детекторів рентгенівського і-випромінювання. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06. Технологія обладнання та виробництво електронної техніки. Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, Кременчук, 2008.
Дисертаційна робота присвячена удосконаленню технології вирощування монокристалів GaAs, придатних для виготовлення детекторів рентгенівського і g-випромінювання, що мають покращене значення параметра mt.
Проведено математичне обґрунтування експрес-методу вимірювання значення параметра mt, в результаті якого отримано аналітичну залежність параметра від напруги зсувуUСМ. Розроблено і впроваджено пристрій автоматизованого вимірювання значення параметра mt. На основі проведених теоретичних і експериментальних досліджень встановлено: вплив флуктуацій температури і конвективних процесів в камері установки вирощування; умови синтезу полікристалічного GaAs; умови вакуум-термічної обробки графітового теплового вузла установки вирощування на електрофізичні параметри монокристалів GaAs.
Розроблено схему технологічного маршруту вдосконаленої технології вирощування монокристалів GaAs, придатних для виготовлення детекторів рентгенівського і g-випромінювання, що мають покращені значення параметра mt. Результати розробок впроваджено в промислову експлуатацію на установках «Арсенід-1» ВАТ «Чисті метали», м. Світловодськ.