catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Милахин Денис Сергеевич. Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- university:
- ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- The year of defence:
- 2021
- brief description:
- Милахин Денис Сергеевич. Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии;[Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук], 2021
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб