catalog / Physics and mathematics / Semiconductor physics
скачать файл: 
- title:
- Панютин Евгений Анатольевич. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
- university:
- Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН
- The year of defence:
- 2009
- brief description:
- Панютин Евгений Анатольевич. Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Панютин Евгений Анатольевич; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2009.- 132 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-1/1128
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб