Павловський Ігор Володимирович. Низькотемпературні п'єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин

brief description

Павловський Ігор Володимирович. Низькотемпературні п'єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Національний ун-т "Львівська політехніка". — Л., 2007. — 143арк. — Бібліогр.: арк. 126-136.
Павловський І.В. Низькотемпературні п’єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин. Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 твердотільна електроніка. Національний університет Львівська політехніка”, Львів, 2007.
Дисертація присвячена дослідженню п’єзорезистивних характеристик ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу провідності за низьких температур як чутливих елементів сенсорів механічних величин для кріогенних температур (до температури рідкого гелію).
Проведено дослідження електропровідності, п’єзоопору та магнітоопору НК кремнію, легованих бором, з різним ступенем наближення до переходу метал-діелектрик (ПМД), у широкому інтервалі температур 1,7300 К та магнітних полів з індукцією до 14 Тл. Показано, що в НК Si р-типу провідності з концентрацією акцепторної домішкиNA(25)1018см-3спостерігається перехід від класичного (сміттовського) до некласичного п’єзорезистивного ефекту за гелієвих температур. В НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД з діелектричного боку переходу виявлено при 4,2 К гігантський некласичний п’єзоопір (GF4.2K=5,7105), що зумовлений стрибковим механізмом транспорту носіїв заряду. Показано вплив магнітного поля за низьких температур на провідність недеформованих та одновісно деформованих НК Si з концентрацією домішки поблизу ПМД.
Розроблено концепцію створення сенсорів механічних величин для низьких температур з врахуванням результатів проведеного експериментального моделювання роботи п’єзорезистивних сенсорів на основі легованих НК p-Si. Створено сенсори тиску (рівня) кріогенних рідин та високочутливі сенсори деформації для кріогенних температур на основі легованих НК Si р-типу, в яких мають місце класичний та некласичний п’єзорезистивні ефекти.