Рассеяние света электронами в сильно легированных проводниках Войтенко, Владимир Андреевич

brief description

Войтенко, Владимир Андреевич.
Рассеяние света электронами в сильно легированных проводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Ленинград, 1984. - 116 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Войтенко, Владимир Андреевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ РАССЕЯНИЯ СВЕТА НОСИТЕЛЯМИ
ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
1.1. Классическая теория рассеяния света свободными носителями.
1.2. Квантовая теория рассеяния: света свободными носителями тока. Вырожденные зоны.
ГЛАВА II. МЕТОД ИНВАрАНТОВ В ТЕОРИИ РАССЕЯНИЯ СВЕТА.
2.1. Основная формула.
2.2. Интегральное сечение рассеяния.
2.3. Дифференциальное сечение рассеяния.
2.4. Неэкранируемые механизмы одночастичного рассеяния света свободными носителями тока в полупроводниках со сложной зонной структурой.
ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ КРУПНОМАСШТАБНЫХ ФЛУКТУАЦИИ ПОТЕНЦИАЛА ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ НА ЭЛЕКТРОННОЕ РАССЕЯНИЕ
СВЕТА В СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
3.1. Анализ частотной зависимости 672./<Ш ¿Я. на основании законов сохранения
3.2. Выбор механизма рассеяния.
3.3. Электронные состояния в сильно легированном полупроводнике
3.4. Сечение рассеяния света с учётом крупномасштабных флуктуаций потенциала легирующей примеси
ГЛАВА 1У. КОНТРОЛИРУЕМОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В МНОГОДОЖННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ВЛИЯНИЕ НА
НЕГО ОДНООСНОЙ ДЕФОРМАЦИИ КРИСТАЛЛА .:
4.1. Расчёт сечения рассеяния света на однородных междолинных флуктуация* носителей тока
4.2. Определение некоторых параметров многодолинных полупроводников по спектрам комбинационного рассеяния света.
4.3. Влияние одноосной деформации образца на электронное рассеяние света в сильно легированном п -кремнии
4.4. 0 немонотонной зависимости ширины спектра электронного рассеяния света от концентрации легирующей примеси в сильно легированных полупроводниках.
ШАБА У. РАССЕЯНИЕ СВЕТА СВОБОДНЫМИ ДОКАМИ В
ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ВАЛЕНТНОЙ ЗОНОЙ СИММЕТРИИ
5.1. Кинетическая теория рассеяния света на носителях тока, описываемых матричным гамильтонианом.
5.2. О новом механизме рассеяния света свободными носителями тока
5.3. Влияние экранирования на дифференциальное сечение рассеяния света.
5.4. Бесстолкновительный случай
5.5. Случай частых столкновений основные вывода. литература