Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур Уткин, Алексей Борисович

brief description

Уткин, Алексей Борисович.
Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 155 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Уткин, Алексей Борисович
Введение
1. Методы исследования профилей легирования. Анализ существующих подходов
1.1. Методы исследования полупроводниковых структур
1.2. ВФХ полупроводниковых структур и их использование для определения профилей легирования
1.3. Недостатки и ограничения традиционного метода
1.4. Недостатки традиционного метода коррекции уширения вычисленных по ВФХ резких профилей легирования
1.5. Методы численного моделирования ВФХ для определения констант, характеризующих профиль легирования
1.6. Методы экспериментального измерения емкости обедненного слоя
1.7. Выводы
2. Анализ ВФХ изотипных полупроводниковых структур
2.1. Аналитическая коррекция дебаевского уширения профилей легирования, рассчитанных по ВФХ
2.2. Расчет ВФХ для изотипно легированных полупроводниковых структур
2.3. Проверка применимости коррекции профилей легирования на дебаевское уширение с использованием теоретических ВФХ
2.4. Моделирование ВФХ неоднородно легированных по площади контакта полупроводниковых структур
2.5. Выводы
3. Анализ ВФХ полупроводниковых структур с /»-и-й^еХодами.;
3.1. Классификация типов обедненных слоев
3.1.1 Обедненный слой на поверхности
3.1.2 Обедненный слой в объемном/>-и-переходе
3.1.3 Выступающий на поверхность ¿>-л-переход
3.1.4 Смыкание соседних /?-и-переходов в объеме
3.1.5 Смыкание поверхностного обедненного слоя и обедненного слоя объемногор-п-перехода
3.2. Определение профилей легирования по ВФХ для структур с выступающим на поверхность /ь-л-переходом
3.3. Определение профилей легирования по ВФХ структур с расположенным вблизи поверхности />-и-переходом
3.4. Выводы
4. Развитие экспериментальных методов исследования профилей легирования полупроводниковых структур
4.1. Преимущества и недостатки систем ЭП и ЭДП при измерении ВФХ полупроводниковых структур
4.2. Эквивалентная схема полупроводниковой структуры при наличии поверхностных состояний
4.3. Развитие двухимпульсной методики измерения ВФХ
4.4. Автоматизированная экспериментальная установка для измерения емкости полупроводниковых структур
4.5. Используемые полупроводниковые структуры
4.6. Экспериментальные результаты
4.6.1 Результаты исследования структуры со ступенчатым профилем легирования
4.6.2 Результаты исследования структуры с имплантационным профилем легирования
4.6.3 Результаты исследования структуры с двухступенчатым профилем легирования
4.6.4 Результаты исследования структуры с выходящим на поверхность-переходом
4.7. Выводы
5. Общие выводы
Приложение 1. Экранные формы программы расчета ВФХ изотипных профилей легирования
Приложение 2. Экранные формы программного модуля управления установкой