Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов Лакалин, Александр Вячеславович

brief description

Лакалин, Александр Вячеславович.
Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ульяновск, 1999. - 195 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Лакалин, Александр Вячеславович
Оглавление
Список сокращений
Введение
1. Безызлучательная рекомбинация через глубокие центры
1.1. Рекомбинация через примеси и дефекты. Рекомбинацион-
ная статистика----------.--------------------------------------------------------
1.2. Токи, обусловленные рекомбинацией в области пространственного заряда
1.3. Некоторые методы определения параметров глубоких уров-
<-> Л/7
ней
1.4. Кинетические коэффициенты
Выводы по главе—
2. Токи рекомбинации в области пространственного заряда
2.1. Рекомбинация в области пространственного заряда. Резкие р-п-переходы
2.2. Особенности рекомбинации в плавных р-п-переходах—
2.3. Рекомбинация через центры, распределенные по координате
2.4. Рекомбинация через центры, распределенные по энергии
2.5. Рекомбинация через многозарядные центры
Выводы по главе
3. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов с помощью анализа приведенной скорости рекомби-
нации для глубокой примеси золота в кремнии
3.1. Определение параметров глубоких уровней из вольтампер-
ной характеристики
3.2. Ошибки, возникающие при анализе вольтамперной характеристики с помощью приведенной скорости рекомбинации
3.3. Моделирование тока рекомбинации через глубокие уровни золота в кремнии
3.4. Экспериментальное исследование р-п-переходов из кремния, легированного золотом
3.4.1. Образцы для исследования
3.4.2. Определение концентрации мелкой примеси в р-п-переходах
3.4.3. Механизмы, формирующие прямые вольтамперные характеристики исследуемых диодов
3.4.4. Определение параметров глубоких уровней золота в кремнии с помощью приведенной скорости рекомбинации
3.4.5. Определение параметров глубоких уровней золота
в кремнии методом термостимулированной емкости. 131 Выводы'по главе
4. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда СаР-светодиодов и эмиттерных переходов Бг-биполярных транзисторов
4.1. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда СаР-светодиодов зеленого и красного свечения
4.1.1. Образцы для исследования
4.1.2. В'ольтфарадные характеристики исследуемых диодов
4.1.3. Анализ токов рекомбинации в области пространственного заряда GaP-светодиодов с помощью приведенной скорости рекомбинации
4.1.4. Определение параметров глубоких уровней в области пространственного заряда GaP-светодиодов методом термостимулированной емкости
4.1.5. Обсуждение результатов
4.2. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов
в области пространственного заряда эмиттерных переходов кремниевых биполярных транзисторов
4.2.1. Образцы для исследования
4.2.2. Вольтфарадные характеристики эмиттерных переходов исследуемых транзисторов
4.2.3. Анализ токов рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода исследуемых транзисторов с помощью приведенной скорости рекомбинации
4.2.4. Определение параметров глубоких уровней в области пространственного заряда эмиттерного перехода биполярных транзисторов КТ808АМ методом термостимулированной емкости
4.2.5. Обсуждение результатов
Выводы по главе
Основные выводы
Литература
Список сокращений
ОПЗ-область пространственного заряда. ВАХ-вольтамперная характеристика. ВФХ-вольтфарадная характеристика. ТСЕ-термостимулированная емкость.
ТСТ -термостимулированный ток-----------
НСГУ-нестационарная спектроскопия глубоких уровней.
НУИ-низкий уровень инжекции.
БТ-биполярный транзистор.
ГУ-глубокий уровень.
ГЦ-глубокий центр.
ИРЕ - изотермическая релаксация емкости. ИРТ - изотермическая релаксация тока.