Сидор Оксана Анатоліївна. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію

brief description

Сидор Оксана Анатоліївна. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію : Дис... канд. наук: 05.27.01 - 2009.
Сидор О.А.Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію. Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 твердотільна електроніка. Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2009.
У роботі розроблено фізико-технологічні основи отримання лазерним випромінюванням фотодіодів (ФД) на основіp-InSe, досліджено їх характеристики, запропоновано модель формуванняpn-переходу при лазерному опроміненні шаруватих кристалів. Вперше виявлено ефект малих доз” при Х- та -опроміненні ФД власний оксидp-InSe іn-InSeр-InSe, приведено якісне пояснення природи даного ефекту та запропоновано технологію покращення параметрів ФД на основі шаруватих кристалів низькодозовим (D300 Р) опроміненням. Вперше досліджено вплив гальмівних g-квантів(Ееф= 3 МеВ,D =0,14 140 кГр) та високоенергетичних електронів(Е= 12 МеВ,D =3,3 330 кГр) на електричні та фотоелектричні характеристики InSe(GaSe) ФД. При цьому спостерігалося поліпшення параметрів ФД, а для максимальних доз незначне зменшення деяких з них. Вплив радіації зводився до утворення точкових дефектів вакансійного типу. Вперше вивчено вплив гамма-нейтронного (Ееф= 8 МеВ, Ф = 1011 1013см-2) та реакторного нейтронного опромінення (Ееф= 1 МеВ, Ф = 11014 51015см-2) на параметри InSe(GaSe) ФД. Показано, що радіація призводить до утворення як точкових дефектів, так і кластерів, що є ефективними центрами рекомбінації. Згідно даним рентгеноструктурного аналізу і спектрів комбінаційного розсіювання світла всі типи опромінення призводять до несуттєвих змін кристалографічної структури, вакансійної і домішкової підсистеми шаруватих кристалів.