catalog / Physics and mathematics / Crystallography, crystal physics
скачать файл: 
- title:
- Структура пленок высшего силицида марганца по данным электронной микроскопии Орехов, Андрей Сергеевич
- Альтернативное название:
- The structure of films of higher manganese silicide according to electron microscopy data by Orekhov, Andrey Sergeevich
- university:
- Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН
- The year of defence:
- 2017
- brief description:
- Орехов,АндрейСергеевич.Структурапленоквысшегосилицидамарганцаподаннымэлектронноймикроскопии: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.18 /ОреховАндрейСергеевич; [Место защиты: Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН]. - Москва, 2017. - 179 с. : ил.больше
Цитаты из текста:
стр. 1
КРИСТАЛЛОГРАФИИ им. А.В. ШУБНИКОВА РАН На правах рукописиОРЕХОВАНДРЕЙСЕРГЕЕВИЧСТРУКТУРАПЛЕНОКВЫСШЕГОСИЛИЦИДАМАРГАНЦАПОДАННЫМЭЛЕКТРОННОЙМИКРОСКОПИИСпециальность 01.04.18 кристаллография, физика кристаллов Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель:
стр. 69
что метод дифракции обратно рассеянных электронов может быть применен к исследованиюструктурыи анализу ориентациипленоквысшегосилицидамарганца. 2.7 Просвечивающаяэлектроннаямикроскопияи высокоразрешающая просвечивающаяэлектроннаямикроскопияМетод высокоразрешающей просвечивающейэлектронноймикроскопииявляется высокоинформативным благодаряданным, получаемым в прямом пространстве из изображений, так и...
стр. 164
ПЭМ ВРЭМ ПРЭМ EBSD ПФ ОПФ НН НП ПН ОС Cs Полное названиевысшийсилицидмарганцарастрованияэлектроннаямикроскопияпросвечивающаяэлектроннаямикроскопиявысокоразрешающаяэлектроннаямикроскопияпросвечивающе-растроваяэлектроннаямикроскопиядифракция обратно рассеянных электронов (electron backscatter
Оглавление диссертациикандидат наук Орехов, Андрей Сергеевич
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ_4
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР_12
1.1 Методы аналитической электронной микроскопии в исследовании структуры термоэлектрических материалов. _12
1.2 Термоэлектричество. Основные понятия_20
1.3 Подходы к улучшению термоэлектрических свойств материалов_23
1.4 Тэрмоэлектрические материалы на основе силицидов. Система Ми-81_27
1.5 Структура высших силицидов марганца_31
1.6 Получение тонких пленок и кристаллов ВСМ_36
1.7 Структурные исследования пленок и кристаллов ВСМ_39
ГЛАВА 2. МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ_45
2.1 Получение пленок ВСМ_45
2.2 Методы приготовления образцов для электронной микроскопии_47
2.3 Методы исследования. Электронографический анализ _48
2.4 Растровая электронная микроскопия _52
2.5 Рентгеновская энергодисперсионная спектроскопия _54
2.6 Метод дифракции обратно рассеянных электронов _56
2.7 Просвечивающая электронная микроскопия и высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия _69
2.8 Моделирование атомной структуры и расчетных изображений_73
ГЛАВА 3. ПЛЕНКИ ВЫСШЕГО СИЛИЦИДА МАРГАНЦА, ПОЛУЧЕННЫЕ В АМПУЛЕ_75
3.1. Оценка применимости метода порошковой рентгеновской дифрактометрии для исследования пленок ВСМ с выделениями_75
3.2 Микроструктура пленок ВСМ на начальных стадиях роста_81
3.3 Анализ химического и фазового состава пленок ВСМ_84
3.4 Определение ориентационных соотношений пленки ВСМ и подложки кремния
3.5 Структура границы раздела пленки ВСМ и подложки кремния _93
3.6 Анализ пространственных ориентаций зерен ВСМ в сплошной пленке, выращенной в ампуле_102
3.7 Геометрический анализ сечений кристаллических решеток пленки ВСМ и подложки кремния _108
3.8 Термоэлектрические свойства пленок ВСМ_112
ГЛАВА 4. ПЛЕНКИ ВЫСШЕГО СИЛИЦИДА МАРГАНЦА, ВЫРАЩЕННЫЕ В ПРОТОЧНОМ КВАРЦЕВОМ РЕАКТОРЕ_117
4.1. Фазовый анализ пленок ВСМ, проведенный методом порошковой рентгеновской дифрактометрии_117
4.2 Микроструктура пленок ВСМ на начальных стадиях роста_117
4.3 Уточнение фазового состава островков ВСМ методами просвечивающей электронной микроскопии_123
4.4 Структура границы раздела между островком ВСМ и подложкой кремния_127
4.5 Фазовый анализ включений в пленке высшего силицида марганца_131
4.6 Ориентационные соотношения ВСМ/MnSi_137
4.7 Распределение пространственных ориентаций в образцах, полученных в проточном реакторе _139
ГЛАВА 5. ФАЗА МОНОСИЛИЦИДА МАРГАНЦА В ПЛЕНКАХ И КРИСТАЛЛАХ ВСМ_147
5.1. Выделения моносилицида марганца в нелегированном кристалле ВСМ_147
5.2. Выделения моносилицида марганца в кристалле ВСМ, легированном Ge_149
5.3. Выделения MnSi и Mn5Siз в кристалле ВСМ, легированном Al, Ge и Mo_155
5.4. Сравнительный анализ морфологии и ориентационных соотношений выделений MnSi в пленках и кристаллах ВСМ_158
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ_161
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ_164
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб