catalog / TECHNICAL SCIENCES / Solid-state electronics, radio electronic components, micro- and nanoelectronics, devices based on q
скачать файл: 
- title:
- Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- university:
- ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»
- The year of defence:
- 2017
- brief description:
- Тарасова Елена Александровна. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 05.27.01 / Тарасова Елена Александровна;[Место защиты: ФГАОУВО «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»], 2017
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб