Терагерцовая когерентная спектроскопия и ближнепольная микроскопия полупроводников и полупроводниковых структур Трухин Валерий Николаевич

brief description

Трухин, Валерий Николаевич.
Терагерцовая когерентная спектроскопия и ближнепольная микроскопия полупроводников и полупроводниковых структур : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.05 / Трухин Валерий Николаевич ; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет ИТМО»]. - Санкт-Петербург, 2021. - 502 с. : ил.; 14,5х20,5 см.
Оглавление диссертациидоктор наук Трухин Валерий Николаевич
Оглавление
Стр.

Реферат
Synopsis
Введение
ГЛАВА 1. Терагерцовые широкоапертурные полупроводниковые
антенны
§ 1.1 Введение..
§ 1.2 Генерация терагерцового излучения в широкоапертурных
полупроводниковых антеннах ...106
§ 1.3 Эффекты насыщения при генерации терагерцового излучения в
широкоапертурных полупроводниковых
антеннах..
§ 1.3.1 Теоретические исследования явлений генерации
терагерцового излучения в фотопроводящих средах при высоком
уровне возбуждения и определение условий эффективной генерации
....
§ 1.3.2 Экспериментальные исследования процесса генерации
терагерцового излучения в полупроводниковых антеннах при
высоком оптическом уровне возбуждения..
§ 1.4 Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. Генерация электромагнитного излучения в нитевидных
нанокристаллах на основе полупроводников GaAs и AlGaAs при возбуждении
фемтосекундными световыми импульсами
§ 2.1 Введение
§ 2.2 Синтез полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
§ 2.2.1 Механизм роста ПЖК (пар -жидкость-кристалл) и
формирование на его основе полупроводниковых нитевидных
нанокристаллов
6

§ 2.2.2 Синтез периодических структур полупроводниковых
нитевидных нанокристаллов методом селективной эпитаксии. .178
§ 2.2.3 Характеризация синтезированных образцов методами
электронной микроскопии..
§ 2.2.4. Характеристики исследуемых образцов
§ 2.3 Генерация терагерцового излучения в нитевидных нанокристаллах на
основе полупроводника GaAs
§ 2.3.1 Определение вклада эффекта оптического выпрямления в
процесс генерации ТГц излучения в нанопроводах
§ 2.3.2 Исследование угловых и поляризационных зависимостей
интенсивности ТГц излучения и коэффициента отражения
возбуждающего ИК импульса
§ 2.3.3 Исследование ТГц генерации при различных уровнях
возбуждения .....
§ 2.4 Генерация терагерцового излучения в нитевидных нанокристаллах на
основе полупроводника AlGaAs..
§ 2.5 Выводы к главе
ГЛАВА 3. Эффект Ми и генерация терагерцового излучения в периодических
структурах на основе полупроводниковых нитевидных
нанокристаллов217
§ 3.1 Введение..217
§ 3.2 Рассеяние Ми.
§ 3.3 Исследование процессов терагерцовой генерации в периодических
структурах полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе
GaAs
§ 3.4 Исследование процессов терагерцовой генерации в
полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs,
пассивированных AlGaAs
§ 3.5 Выводы к главе 3...
7

ГЛАВА 4. Исследование релаксационных и рекомбинационных процессов
носителей заряда и их транспорта в полупроводниковых нитевидных
нанокристаллах...
§ 4.1 Введение.250
§ 4.2 Схема экспериментальной установки optical-pump terahertz generation-
probe time-domain spectroscopy...250
§ 4.3 Исследование релаксационных и рекомбинационных процессов
носителей заряда и их транспорта в полупроводниковых нитевидных
нанокристаллах на основе AlGaAs254
§ 4.4 Исследование релаксационных и рекомбинационных процессов
носителей заряда и их транспорта в периодических структурах
полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs
§ 4.5 Выводы к главе 4....
ГЛАВА 5. Терагерцовая ближнепольная микроскопия ..
§ 5.1 Введение..276
§ 5.2 Терагерцовый сканирующий зондовый микроскоп
§ 5.3 Электрохимическое изготовления нанозондов в слое электролита296
§ 5.4 Метод выделения дифференциального сигнала..
§ 5.5 Экспериментальное исследование зависимости геометрии зонда на
эффект усиления рассеяния ТГц излучения306
§ 5.6 Экспериментальное исследование влияния параметров модуляции
положения зонда на спектральные характеристики терагерцового
излучения, регистрируемого в дальней зоне..
§ 5.7 Выводы к главе 5.

ГЛАВА 6. Краевые терагерцовые электромагнитные волны.
§ 6.1 Введение
§ 6.2 Экспериментальные результаты по дифракции электромагнитного
излучения на конусообразном металлическом зонде и полубесконечном
металлическом цилиндре
8

§ 6.3 Теоретическое исследование дифракции ограниченного пучка
терагерцового излучения на полубесконечном металлическом тонком
цилиндре
§ 6.4 Выводы к главе 6.
ГЛАВА 7. Терагерцовая ближнепольная микроскопия полупроводников и
полупроводниковых наноструктур..
§ 7.1 Определение пространственного распределения концентрации
носителей заряда в элементах микроэлектроники и оптоэлектроники
§ 7.1.1 Методика определения концентрации носителей заряда в
полупроводниковых наноструктурах на основе кривых
подвода
§ 7.1.2 Методика определения концентрации носителей заряда в
полупроводниковых наноструктурах на основе спектрального анализа
§ 7.2 Экспериментальное исследование пространственного распределения
концентрации носителей заряда в полупроводниковых элементах
микроэлектроники и оптоэлектроники.
§ 7.3 Выводы к главе 7..
Заключение.
Список сокращений и условных обозначений.
Благодарности..365
Список литературы..366
Приложение А. Расчет распределения тока в однопроводной антенне бегущей
волны при рассеянии плоской электромагнитной волны в ограниченной
области385
Приложение Б. (обязательное) Публикации по теме диссертации.......